公开(公告)号：WO2019022381A1

公开(公告)日：2019-01-31

申请号：PCT/KR2018/006887

申请日：2018-06-19

Applicant: 에스케이실트론 주식회사

Inventor： 이재형 ,  이기상 ,  박형국 ,  남병욱 ,  이규형

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/324

Abstract: 실시 예에 의한 웨이퍼 제조 방법은 1E17 atoms/㎤ 이하의 저농도로 도핑된 도펀트를 포함하며, 0.2 Ω·㎝ 이상의 비저항을 가지며, 보이드 결함을 갖지 않는 기판을 준비하는 단계와, 준비된 기판을 급속 열처리하는 단계와, 급속 열처리된 기판에서 질화막을 제거하는 단계와, 기판을 어닐링하는 단계와 어닐링된 기판 위에 에피텍셜층을 형성하는 단계를 포함한다.