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    研磨パッド
    1.
    发明申请
    研磨パッド 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019139117A1

    公开(公告)日：2019-07-18

    申请号：PCT/JP2019/000668

    申请日：2019-01-11

    申请人： ニッタ・ハース株式会社

    发明人： 尾関　晃

    IPC分类号： B24B37/26 ,  H01L21/304

    CPC分类号： B24B37/26 ,  H01L21/304

    摘要： 研磨パッドは、研磨スラリーが供給され回転しながら被研磨物を研磨可能な研磨パッドであって、前記被研磨物を研磨可能な研磨面を有する研磨層を備え、前記研磨面は、前記被研磨物を研磨する際に回転するときの回転中心を中心とし且つ所望の長さの半径を有する同心円上に配置される凹部及び前記研磨層を貫通した貫通孔の少なくとも一方を有する非接触部を有する。

    基板液処理装置
    3.
    发明申请
    基板液処理装置 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019116939A1

    公开(公告)日：2019-06-20

    申请号：PCT/JP2018/044359

    申请日：2018-12-03

    申请人： 東京エレクトロン株式会社

    发明人： 元松　一騎 ,  金子　聡

    IPC分类号： C23C18/31 ,  C23C18/16 ,  H01L21/304

    CPC分类号： C23C18/16 ,  C23C18/31 ,  H01L21/304

    摘要： ［課題］基板の外周部における温度の低下を抑制することができる基板液処理装置を提供する。 ［解決手段］処理液Ｌ１によって基板Ｗの処理面Ｓｗの液処理を行う基板液処理装置５は、基板Ｗを保持する基板保持部５２と、基板保持部５２により保持された基板Ｗの処理面Ｓｗに処理液Ｌ１を供給する処理液供給部５３と、ヒータ６３を具備し、基板Ｗを内側に配置し且つ処理面Ｓｗを覆う下方位置に配置可能なカバーユニット１０と、平面視において少なくとも一部が基板Ｗの外周部を取り囲むように設けられる環状壁４０と、を備える。環状壁４０は、基板Ｗの外周部の周囲の空間に対する気体の流入及び流出のうち少なくともいずれかを抑制する

    研磨用組成物およびシリコン基板研磨方法
    4.
    发明申请
    研磨用組成物およびシリコン基板研磨方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019049610A1

    公开(公告)日：2019-03-14

    申请号：PCT/JP2018/030185

    申请日：2018-08-13

    申请人： 株式会社フジミインコーポレーテッド

    发明人： 土屋　公亮 ,  浅田　真希

    IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/308

    CPC分类号： B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/308

    摘要： 低ＬＰＤおよび低表面粗さを同時に実現し得る研磨用組成物を提供する。本発明により提供される研磨用組成物は、砥粒、水溶性高分子、界面活性剤、および塩基性化合物を含む。上記水溶性高分子は、以下の式：α＝θ１－θ０；により表される洗浄性パラメータαが、１＜α＜３５を満たす。ここで、上記式中のθ０は、単結晶シリコンウェーハの表面に上記水溶性高分子の水溶液を塗布した後に水洗して得られるＳＣ－１処理前ウェーハの水接触角であり、上記式中のθ１は、上記ＳＣ－１処理前ウェーハに２９％アンモニア水と３１％過酸化水素水と水とを１：２：３０の体積比で含む室温のＳＣ－１洗浄液Ｌ Ａ で１０秒間処理する洗浄処理Ａを施して得られるＳＣ－１処理後ウェーハの水接触角である。

    基板処理方法、基板処理液及び基板処理装置
    5.
    发明申请
    基板処理方法、基板処理液及び基板処理装置 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019021664A1

    公开(公告)日：2019-01-31

    申请号：PCT/JP2018/022488

    申请日：2018-06-12

    申请人： 株式会社SCREENホールディングス

    发明人： 佐々木　悠太

    IPC分类号： H01L21/304

    CPC分类号： H01L21/304

    摘要： パターンの倒壊を抑制しつつ、基板の乾燥に用いる昇華性物質の使用量の削減を可能とする基板処理方法、基板処理液及び基板処理装置を提供する。　基板処理方法は、基板のパターン形成面に、基板処理液を供給する基板処理液供給工程Ｓ１３と、基板処理液を、パターン形成面上で凝固させて凝固体を形成する凝固工程Ｓ１４と、凝固体を昇華させて、パターン形成面から除去する昇華工程Ｓ１５と、を含む基板処理方法であって、基板処理液として、融解状態の昇華性物質と溶媒を含み、昇華性物質の凝固点が溶媒の凝固点よりも高く、かつ、昇華性物質と溶媒を分離させた場合に、基板処理液よりも密度の大きい昇華性物質が沈降するものを用い、凝固工程Ｓ１４は、基板処理液供給工程Ｓ１３でパターン形成面に供給された基板処理液に於いて、昇華性物質を分離させて沈降させ、沈降した昇華性物質を、パターンと同等以上の高さとなる様に凝固させる。

    半導体素子の製造装置および半導体素子の製造方法
    6.
    发明申请
    半導体素子の製造装置および半導体素子の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019017489A1

    公开(公告)日：2019-01-24

    申请号：PCT/JP2018/027360

    申请日：2018-07-20

    申请人： 東邦化成株式会社

    发明人： 山本　弘和 ,  伊丹　宏貴 ,  野口　勇 ,  塚本　忠和 ,  川戸　進

    IPC分类号： H01L21/304 ,  C08L27/12 ,  H01L21/027 ,  H05F1/00

    CPC分类号： C08L27/12 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304 ,  H05F1/00

    摘要： 本発明は、効率的な静電気除去効果を有し、クリーン性に優れ、耐薬品性に優れる、半導体素子の製造装置および半導体素子の製造方法を提供する。 チャックピン及び／又はウエハピンを備え、半導体ウエハを保持するためのステージ；及び洗浄液、エッチング液又はレジスト液を供給するためのノズルを、有する半導体素子の製造装置であり、ノズルは、少なくとも１種のフッ素樹脂及びカーボンナノチューブを含む複合樹脂材料を含む樹脂成形体であり、；及び／又はチャックピン、ウエハピン及びステージから選択される少なくとも１は、少なくとも１種のフッ素樹脂およびカーボンナノチューブを含む複合樹脂材料を含む樹脂成形体である、半導体素子の製造装置である。

    半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハ製造工程の管理方法
    8.
    发明申请
    半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハ製造工程の管理方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018193762A1

    公开(公告)日：2018-10-25

    申请号：PCT/JP2018/010111

    申请日：2018-03-15

    申请人： 信越半導体株式会社

    发明人： 冨井　和弥

    IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B49/12 ,  H01L21/66

    CPC分类号： B24B49/12 ,  H01L21/304

    摘要： 本発明は、半導体インゴットからスライスされた主表面と主裏面からなる主面を有する半導体ウェーハのエッジを面取り研削加工した後に、面取り研削加工された半導体ウェーハの前記主表面もしくは前記主表面と主裏面の両面を研磨加工して前記主面と面取り面を有する半導体ウェーハを作製し、その後鏡面面取り加工が施された半導体ウェーハの評価方法であって、前記面取り面近傍の半導体ウェーハの前記主面に対してレーザー光を照射し、照射面からの散乱光を検知することで暗視野にて検査し、前記鏡面面取り加工により前記面取り面と前記主面との境界を越えて研磨されるオーバーポリッシュを検査することを特徴とする半導体ウェーハの評価方法である。これにより、鏡面面取り加工で発生する半導体ウェーハ主面内へのオーバーポリッシュの有無の評価及びオーバーポリッシュの入り込み量の測定を短時間かつ非破壊にて評価することができる半導体ウェーハの評価方法が提供される。

    基板処理装置および基板処理方法
    9.
    发明申请
    基板処理装置および基板処理方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018179945A1

    公开(公告)日：2018-10-04

    申请号：PCT/JP2018/005064

    申请日：2018-02-14

    申请人： 株式会社SCREENホールディングス

    发明人： 上田　大 ,  長谷川　愛子

    IPC分类号： H01L21/304

    CPC分类号： H01L21/304

    摘要： 基板の上面に液膜を形成してこれを凝固させるプロセスを含む基板処理技術において、短時間で基板の周縁部まで液膜を良好に凝固させる技術を提供する。基板処理装置１は、基板Ｗの周縁部を保持して基板Ｗを水平姿勢に支持しながら、基板を鉛直方向に平行な回転軸周りに回転させる基板保持部１１と、基板Ｗの上面に処理液を供給して処理液の液膜を形成させる処理液供給部８４と、基板Ｗの下方から基板Ｗの下面に処理液の凝固点よりも低温の流体である冷媒を供給して液膜を凝固させる冷媒供給部８６とを備え、冷媒供給部８６が基板Ｗの下面の回転中心に向けて所定流量の冷媒を供給開始した後、基板Ｗの下面の周縁部に供給される冷媒の流速および供給量の少なくとも一方を経時的に増加させる。