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公开(公告)号:WO2020101383A1
公开(公告)日:2020-05-22
申请号:PCT/KR2019/015521
申请日:2019-11-14
Applicant: 주식회사 동진쎄미켐
Abstract: 고온치수변화가 적은 폴리이미드계 필름, 이를 형성할 수 있는 폴리이미드계 조성물, 및 이를 이용한 필름 제조 방법이 제공된다. 폴리이미드계 필름은 두께 10㎛ 기준 황색도가 15 이하이고, 유리전이온도는 350℃이상이며, 열팽창계수는 30ppm/℃ 이하이며, 50 내지 350℃온도범위에서의 고온 치수 변화(Hysteresis Gap)는 80㎛ 이하이다.
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公开(公告)号:WO2015102320A1
公开(公告)日:2015-07-09
申请号:PCT/KR2014/012915
申请日:2014-12-26
Applicant: 주식회사 동진쎄미켐
Abstract: 본 발명은 장시간 동안 전도성 고분자의 산화나 분해가 억제되어 표면 저항 신뢰성이 우수한 전도성 필름의 제공을 가능케 하는 전도성 필름 형성용 조성물 및 전도성 필름에 관한 것이다. 상기 전도성 필름 형성용 조성물은 전도성 고분자 5 내지 80 중량%, 유기 바인더의 0.1 내지 30 중량%, 금속염을 포함한 고체 확장제의 0.01 내지 10 중량%, 산화 방지제의 0.01 내지 10 중량%, 및 유기 용매의 10 내지 85 중량%를 포함할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成导电膜的组合物,其能够提供具有显着表面电阻可靠性的导电膜,因为导电聚合物的氧化或降解长时间被抑制; 和导电膜。 用于形成导电膜的组合物可以包含5-80重量%的导电聚合物,0.1-30重量%的有机粘合剂,0.01-10重量%的含有金属盐的固体增量剂,0.01-10重量% 抗氧化剂和10-85重量%的有机溶剂。
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公开(公告)号:WO2016024743A1
公开(公告)日:2016-02-18
申请号:PCT/KR2015/008059
申请日:2015-07-31
Applicant: 주식회사 동진쎄미켐
Abstract: 본 발명은 보다 미세한 선폭을 가지며, 종횡비(aspect ratio)가 큰 투명 전극 패턴을 보다 안정적으로 형성할 수 있는 투명 전극의 형성 방법과, 이로부터 형성된 투명 전극 적층체에 관한 것이다. 상기 투명 전극의 형성 방법은 전도성 고분자, 전도성 탄소계 소재, 금속 나노 구조체 및 전도성 금속 산화물로 이루어진 군에서 선택된 1 종 이상의 도전성 물질을 포함하는 투명 전극층을 기판 상에 형성하는 단계; 폴리실록산계 중합체, 아크릴계 중합체 및 우레탄계 중합체로 이루어진 군에서 선택된 1 종 이상을 포함하는 보호층을 상기 투명 전극층 상에 형성하는 단계; 상기 보호층 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴에 의해 개방된 영역의 보호층 및 투명 전극층을 산화제로 표면 처리하여 상기 투명 전극층을 비도전화시키는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种形成透明电极的方法,该透明电极能够更稳定地形成具有更细线宽和长宽比的透明电极图案,以及由此形成的透明电极层叠体。 形成透明电极的方法包括以下步骤:在衬底上形成包括一种或多种导电材料的透明电极层,所述导电材料选自由导电聚合物,导电碳基材料,金属纳米结构和 导电金属氧化物; 在所述透明电极层上形成保护层,所述保护层包含选自由聚硅氧烷类聚合物,丙烯酸类聚合物和氨基甲酸酯类聚合物组成的组中的一种或多种材料; 在保护层上形成光致抗蚀剂图案; 并且通过用氧化剂将保护层和透明电极层进行表面处理,使得透明电极层不被光致抗蚀剂图案打开的区域中。
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公开(公告)号:WO2016006840A1
公开(公告)日:2016-01-14
申请号:PCT/KR2015/006308
申请日:2015-06-22
Applicant: 주식회사 동진쎄미켐
Abstract: 본 발명은 투명 전극층; 상기 투명 전극층 상에 형성되고, 물에 대한 접촉각이 60°이상인 폴리실록산계 고분자층; 및 상기 폴리실록산계 고분자층 상에 형성된 감광성 수지층;을 포함하는 투명 전극 복합체에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种透明电极组件,包括:透明电极层; 在透明电极层上形成的聚硅氧烷类聚合物层相对于水的接触角为60°以上; 以及形成在聚硅氧烷类聚合物层上的感光性树脂层。
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公开(公告)号:WO2015088146A1
公开(公告)日:2015-06-18
申请号:PCT/KR2014/010859
申请日:2014-11-12
Applicant: 주식회사 동진쎄미켐
CPC classification number: G02F1/13439 , G02F2201/121 , G02F2202/22 , H01B1/124
Abstract: 본 발명은 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 실란 커플링제의 졸-겔 반응으로 얻어진 조성물에 전도성 고분자 및 특정 열산발생제를 포함하여, 조성물 내에서 전도성 고분자의 분산도를 최적화하여 액정표시장치에서 투과도와 표면경도가 우수하며, 또한 코팅막의 신뢰성이 향상된 대전방지용 배면전극을 제공할 수 있다. 특히 본 발명은 경도 향상과 코팅후 시간 경과에 따른 면저항 변화가 적도록 신뢰성을 확보할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成液晶显示装置的后电极的导电组合物。 特别地,本发明可以提供一种在液晶显示装置中具有优异的透射率和表面硬度的抗静电后电极,并且通过在通过溶胶获得的组合物中包含导电聚合物和特定的热酸发生剂来提高涂膜的可靠性 硅烷偶联剂的 - 凝胶反应,使得导电聚合物在组合物中的分散度最优化。 具体地说,本发明可以提高硬度,确保可靠性,以便在涂布后经过时减少表面电阻的变化。
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公开(公告)号:WO2014077515A1
公开(公告)日:2014-05-22
申请号:PCT/KR2013/009160
申请日:2013-10-14
Applicant: 주식회사 동진쎄미켐
IPC: C08F212/14 , C08G61/12 , H01B1/12 , H01G9/012
CPC classification number: C08F212/14 , C08F12/30 , C08G2261/126 , C08G2261/1424 , C08G2261/794 , C08L65/00 , H01B1/125 , H01G9/028 , H01G9/15 , C08L25/18 , C08F228/02
Abstract: 본 발명은 고체 콘덴서용 고분자의 도판트로 사용하기 위한 중합체의 제조방법과 이를 이용한 고체 콘덴서용 수분산 전도성 고분자의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명에 따르면 소듐 스티렌술포네이트와 특정 술폰산계 단량체의 중합으로 얻어진 폴리비닐술포닉-co-스티렌술폰산과 같은 술폰산계 중합체를 도판트를 사용함으로써, 기존 대비 높은 항복 전압을 나타내고, 전기적 특성이 우수한 수분산 전도성 고분자의 제조방법이 제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制备用作固体冷凝器的高分子的掺杂剂的聚合物的方法,以及制备用于使用其的固体冷凝器的水分散性导电性高分子的方法。 更具体地,根据本发明,提供了一种制备具有优异电性能并相对于常规大分子显示较高击穿电压的水分散性导电性高分子的方法,其通过使用磺酸基聚合物如聚乙烯基磺酸 - 共 - 苯乙烯磺酸 酸作为掺杂剂,其中磺酸基聚合物通过苯乙烯磺酸钠和特定的磺酸基单体的聚合获得。
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