公开(公告)号：WO2016108381A1

公开(公告)日：2016-07-07

申请号：PCT/KR2015/008692

申请日：2015-08-20

Applicant: 주식회사 엘지실트론

Inventor： 방인식

IPC: C30B15/28 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/26 ,  C30B15/28 ,  C30B29/06

Abstract: 본 발명은 쵸크랄스키법에 의해 단결정 잉곳을 성장시키면서 성장 계면의 형상을 제어하는 방법으로서, 잉곳의 계면이 목표로 하는 형상이 되도록 단결정 성장 공정의 제어 조건을 설정한 후 단결정 잉곳의 성장을 시작하는 단계, 상기 단결정 잉곳 상부에 배치된 로드셀로, 일정 시간 동안 성장한 잉곳의 중량을 측정하여 측정값을 도출하는 단계, 일정 시간 동안 공정 챔버의 외부에 배치된 직경측정 카메라에 의해 측정된 단결정 잉곳의 직경과, 일정 시간 동안 성장된 단결정 잉곳의 높이를 통해 상기 단결정 잉곳 중량의 이론값을 도출하는 단계, 상기 측정값과 이론값의 차이를 도출하여, 성장 중인 단결정 잉곳의 성장 계면 형상을 예측하는 단계 및 예측된 단결정 잉곳의 계면 형상과 목표로 하는 단결정 잉곳의 계면의 형상을 비교하여, 단결정 잉곳 성장 중의 공정 조건을 변경하는 단계를 포함할 수 있다. 따라서, 성장 중인 잉곳의 계면 형상을 단결정 잉곳의 성장 공정 중에 예측할 수 있어, 공정 조건을 제어하여 목표로 하는 계면 형상으로 실리콘 잉곳을 성장시킬 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种通过切克劳斯基法生长单晶锭来控制生长界面形状的方法，并且用于控制生长界面形状的方法包括以下步骤：在设定单晶锭的控制条件之后，开始生长 单晶生长过程，使得晶锭的界面变成目标形状; 通过设置在单晶锭的上部的测力传感器测量生长了预定时间的锭的重量，得出测量值; 通过直径为单晶锭的直径，通过设置在处理室外部的直径测量相机测量预定时间的单晶锭的重量的理论值，以及生长的单晶锭的高度 预定时间; 通过导出测量值和理论值之间的差来预测生长的单晶锭的生长界面形状; 并且通过将单晶锭的预测界面形状与单晶锭的目标界面形状进行比较来改变单晶锭生长过程中的工艺条件。 因此，由于可以在单晶锭的生长过程中预测生长的锭的界面形状，所以可以通过控制工艺条件将硅锭生长成目标界面形状。

公开(公告)号：WO2015083955A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：PCT/KR2014/011109

申请日：2014-11-19

Applicant: 주식회사 엘지실트론

Inventor： 방인식 ,  김철환

IPC: C30B15/24 ,  C30B15/20 ,  C30B29/20

CPC classification number: C30B17/00 ,  C30B11/006 ,  C30B15/14 ,  C30B15/20 ,  C30B29/20 ,  C30B35/00 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

Abstract: 실시 예는 챔버, 상기 챔버 내부에 마련되고, 단결정 성장 원료인 용융액을 수용하는 도가니, 상기 도가니 상단에 배치되는 도가니 스크린, 및 상기 도가니 스크린을 상승 또는 하강시키는 이송 수단을 포함하며, 상기 도가니 스크린과 상기 제1 상부 단열부를 상승함으로써 행정 거리를 조절할 수 있고, 행정 거리 부족에 기인하는 리프트 오프 공정 불가능, 및 단결정의 크랙 발생을 방지할 수 있다.

Abstract translation: 一个实施例包括：一个室; 设置在所述室中并容纳作为单晶生长的原料的熔融液体的坩埚; 设置在坩埚的上端的坩埚筛; 以及用于升高或降低坩埚筛的移动单元，其中坩埚筛和第一上绝热单元被升高以控制行程距离，从而防止由于行程距离不足而引起的剥离过程不可能 在单晶中产生裂纹。

公开(公告)号：WO2017026648A1

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：PCT/KR2016/006782

申请日：2016-06-24

Applicant: 주식회사 엘지실트론

Inventor： 강인구 ,  황정하 ,  방인식

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02

Abstract: 본 발명의 실시예는 쵸크랄스키법으로 실리콘 용융액에서 목표로 하는 비저항을 갖는 단결정 잉곳을 성장시키는 방법으로서, 원부자재 내에 포함된 도펀트 농도에 따른 비저항값을 도출하여 이를 신뢰성있는 데이터로 테이블화하는 단계, 목표로 하는 비저항값에 대한 도펀트 농도의 기준값을 설정하는 단계, 상기 원부자재 자체에 포함된 도펀트 농도에 대한 측정값을 도출하는 단계, 상기 기준값과 측정값 간의 차이값을 산출하는 단계, 상기 차이값만큼 상기 실리콘 용융액에 카운터 도핑(counter doping)을 실시하는 단계를 포함할 수 있다. 따라서, 원부자재 자체에 포함된 불순물의 개선없이 8KΩ 이상의 비저항을 갖는 단결정 잉곳을 성장시킬 수 있다.

Abstract translation: 根据本发明的一个实施方案，根据本发明的一个实施方式，生产具有来自熔融硅的目标电阻率的单晶锭的方法包括以下步骤：根据包含在本发明的掺杂剂中的掺杂剂的浓度导出电阻率值 原材料和电阻率值作为可靠数据; 设定目标电阻率值的掺杂剂浓度的参考值; 导出原料本身所含掺杂剂浓度的测量值; 计算参考值和测量值之间的差; 并进行与熔融硅相差的程度的反掺杂。 因此，可以生长电阻率为8KΩ以上的单晶锭，而不增加原料本身所含的杂质。