セラミック複合体
    1.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2021045077A1

    公开(公告)日:2021-03-11

    申请号:PCT/JP2020/033190

    申请日:2020-09-02

    Abstract: 【課題】一次光と波長変換された二次光を均一に散乱して、波長変換効率を向上させることが可能なセラミック複合体を提供する。 【解決手段】少なくともY3Al5O12相およびAl2O3相の2つの酸化物相をラメラ構造として有し、Y3Al5O12相におけるラメラ間隔の平均値が0.5μm以上20μm以下であり、MgOが10ppm以上500ppm以下含有されているセラミック複合体である。また、Y3Al5O12相がCeで付活されており、Ceの含有量が、0.01mol%以上5.0mol%以下である。

    DISPOSITIF DE PALPAGE ETANCHE D'UNE SURFACE
    2.
    发明申请
    DISPOSITIF DE PALPAGE ETANCHE D'UNE SURFACE 审中-公开
    用于密封表面感测的装置

    公开(公告)号:WO2017012939A1

    公开(公告)日:2017-01-26

    申请号:PCT/EP2016/066606

    申请日:2016-07-13

    CPC classification number: C30B35/00 C30B11/006 C30B15/24 C30B29/06

    Abstract: Dispositif de palpage étanche d'une surface disposée dans une enceinte sous atmosphère contrôlée, comportant un bâti, au moins une canne de palpage (14) d'axe longitudinal (X) munie d'une extrémité destinée à venir en contact avec la surface et apte à se déplacer le long de l'axe longitudinal (X), un soufflet de connexion (16) à l'enceinte, et des moyens de détection de la position de la canne de palpage. Le soufflet (16) comporteune première extrémité (16.1) fixée de manière étanche à une paroi de l'enceinte et une deuxième extrémité (16.2) fixée de manière étanche à la canne de palpage (14) de sorte que, lorsque le dispositif de montage est fixé sur l'enceinte, la première extrémité de la canne de palpage (14) est disposée dans l'enceinte et peut être rapprochée ou éloignée de ladite surface (F) le long de son axe longitudinal (X).

    Abstract translation: 用于密封地感测位于受控气氛下的腔室内的表面的装置,包括支撑结构,至少一个纵向轴线(X)的感测杆(14),其具有旨在与表面接触的端部,并且能够 沿着纵轴(X)移动,用于连接到室的连接器(16)以及检测感测杆的位置的装置。 所述护具(16)包括以密封方式固定到所述腔室壁的第一端(16.1)和以密封方式固定到所述感测杆(14)的第二端(16.2),使得当所述安装装置固定时 在腔室中,感测杆(14)的第一端定位在腔室的内部,并且可沿其纵向轴线(X)更靠近或远离所述表面(F)。

    단결정 성장 장치
    8.
    发明申请
    단결정 성장 장치 审中-公开
    单晶生长装置

    公开(公告)号:WO2015083955A1

    公开(公告)日:2015-06-11

    申请号:PCT/KR2014/011109

    申请日:2014-11-19

    Inventor: 방인식 김철환

    Abstract: 실시 예는 챔버, 상기 챔버 내부에 마련되고, 단결정 성장 원료인 용융액을 수용하는 도가니, 상기 도가니 상단에 배치되는 도가니 스크린, 및 상기 도가니 스크린을 상승 또는 하강시키는 이송 수단을 포함하며, 상기 도가니 스크린과 상기 제1 상부 단열부를 상승함으로써 행정 거리를 조절할 수 있고, 행정 거리 부족에 기인하는 리프트 오프 공정 불가능, 및 단결정의 크랙 발생을 방지할 수 있다.

    Abstract translation: 一个实施例包括:一个室; 设置在所述室中并容纳作为单晶生长的原料的熔融液体的坩埚; 设置在坩埚的上端的坩埚筛; 以及用于升高或降低坩埚筛的移动单元,其中坩埚筛和第一上绝热单元被升高以控制行程距离,从而防止由于行程距离不足而引起的剥离过程不可能 在单晶中产生裂纹。

    단결정 실리콘버튼을 이용한 폴리실리콘 제조장치
    9.
    发明申请
    단결정 실리콘버튼을 이용한 폴리실리콘 제조장치 审中-公开
    使用单晶硅钮的聚硅氧烷制造设备

    公开(公告)号:WO2014189160A1

    公开(公告)日:2014-11-27

    申请号:PCT/KR2013/004524

    申请日:2013-05-23

    CPC classification number: C30B11/005 C30B11/002 C30B29/06

    Abstract: 본 발명은 단결정 실리콘버튼을 이용한 폴리실리콘 제조장치에 관한 것으로서, 진공 분위기를 유지하는 진공챔버, 상기 진공챔버에 구비되어 전자빔을 조사하는 전자빔조사부, 입자형태의 실리콘원료가 투입되며, 상기 전자빔조사부로부터 전자빔이 조사되는 영역 내에 배치되어 전자빔에 의해 실리콘원료가 용융되어 실리콘용탕이 만들어지는 실리콘용융부, 하부에 냉각채널이 형성되어 상기 실리콘용융부로부터 공급되는 실리콘용탕을 응고시키는 일방향응고부 및 상기 일방향응고부 내부에 구비되며 별도로 제조되어 상기 실리콘용융부로부터 공급되는 실리콘용탕을 상기 일방향응고부 하부로 이송시키는 단결정 실리콘버튼 및 상기 단결정 실리콘버튼 하면에 접합되며 상기 단결정 실리콘버튼이 이동되도록 하는 흑연더미바를 을 포함하는 스타트블럭을 포함한다.

    Abstract translation: 本发明涉及使用单晶硅按钮的多晶硅制造装置,包括:真空室,用于保持真空气氛; 电子束照射部,配置在真空室内,用于照射电子束; 硅熔融部分,其布置在电子束被电子束照射部分照射的区域中,并且以颗粒形式插入硅原料,硅材料被电子熔化 从而产生硅熔体; 单向凝结部,其下部具有冷却通道,使从所述硅熔融部供给的硅熔体凝结; 以及开始块,其中,所述起始块包括:单晶硅按钮,其单独制造并且装配在所述单向凝结部内,以将从所述硅熔融部供给的硅熔体输送到所述单向凝结部的下部; 以及粘结到单晶硅按钮的下表面以使单晶硅按钮移动的石墨虚拟棒。

    WEIR FOR INHIBITING MELT FLOW IN A CRUCIBLE
    10.
    发明申请
    WEIR FOR INHIBITING MELT FLOW IN A CRUCIBLE 审中-公开
    用于抑制可溶性的熔体流动

    公开(公告)号:WO2014099861A1

    公开(公告)日:2014-06-26

    申请号:PCT/US2013/075580

    申请日:2013-12-17

    CPC classification number: C30B15/12 C30B11/002 C30B15/002 Y10T117/1052

    Abstract: A system for growing a crystal ingot includes a crucible and a weir. The crucible has a base and a sidewall for the containment of a silicon melt therein. The weir is located along the base of the crucible inward from the sidewall of the crucible. The weir has a body connected with at least a pair of legs disposed to inhibit movement of the silicon melt therebetween.

    Abstract translation: 用于生长晶锭的系统包括坩埚和堰。 坩埚具有用于在其中容纳硅熔体的基部和侧壁。 堰沿着坩埚的底部从坩埚的侧壁向内定位。 堰具有连接至少一对腿部的主体,以防止硅熔体在其间移动。

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