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公开(公告)号：WO2020242210A1
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：PCT/KR2020/006893
申请日：2020-05-28
Applicant: 주식회사 엘지화학
Abstract: 본 발명은 낮은 반사율 및 투광율 편차를 가지면서 높은 내스크래치성 및 방오성을 동시에 구현할 수 있고 디스플레이 장치의 화면의 선명도를 높일 수 있는 반사 방지 필름과 이를 포함한 편광판 및 디스플레이 장치에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2020080858A1
公开(公告)日：2020-04-23
申请号：PCT/KR2019/013679
申请日：2019-10-17
Applicant: 주식회사 엘지화학
Abstract: 본 발명은 낮은 반사율 및 투광율 편차를 가지면서 높은 내스크래치성 및 방오성을 동시에 구현할 수 있고 디스플레이 장치의 화면의 선명도를 높일 수 있는 반사 방지 필름과 이를 포함한 편광판 및 디스플레이 장치에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2019004613A8
公开(公告)日：2019-01-03
申请号：PCT/KR2018/006167
申请日：2018-05-30
Applicant: 주식회사 엘지화학
Abstract: 본 발명에서는 저온, 특히 열전소자의 구동 은도에 대웅하는 온도에서 우수한 상 안정성을 나타내며, 출력인자 증가 및 열전도도 감소를 통해 우수한 열전 성능지수를 나타내는, 하기 화학식 1의 신규 칼코겐 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 열전소자가 제공된다: [화학식 1] V 1-x M x Sn 4 Bi 2 Se 7 - y Te y 상기 화학식 1에서, V는 공공이고, M은 알칼리 금속이며, X는 0 초과 1 미만이고, y는 0 초과 1 이하이다.
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公开(公告)号：WO2019004613A1
公开(公告)日：2019-01-03
申请号：PCT/KR2018/006167
申请日：2018-05-30
Applicant: 주식회사 엘지화학
Abstract: 본 발명에서는 저온, 특히 열전소자의 구동 은도에 대웅하는 온도에서 우수한 상 안정성을 나타내며, 출력인자 증가 및 열전도도 감소를 통해 우수한 열전 성능지수를 나타내는, 하기 화학식 1의 신규 칼코겐 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 열전소자가 제공된다: [화학식 1] V 1-x M x Sn 4 Bi 2 Se 7 - y Te y 상기 화학식 1에서, V는 공공이고, M은 알칼리 금속이며, X는 0 초과 1 미만이고, y는 0 초과 1 이하이다.
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公开(公告)号：WO2018169173A1
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：PCT/KR2017/015376
申请日：2017-12-22
Applicant: 주식회사 엘지화학
Abstract: 본 발명에서는 우수한 전기전도도와 함께 향상된 열전 성능 지수를 가져, 열전 변환 소자의 열전 변환 재료. 태양 전지 등과 같이 다양한 용도로 : 용도로 활용될 수 있는 신규한 화합물 반도체 물질. 및 그 제조 방법이 제공된다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：WO2015034320A1
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：PCT/KR2014/008410
申请日：2014-09-05
Applicant: 주식회사 엘지화학
IPC: H01L35/14
CPC classification number: H01L35/16 , C01B19/007 , C01G3/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , H01L35/14
Abstract: 본 발명은 성능이 우수한 열전 변환 재료를 개시한다. 본 발명에 따른 열전 재료는, Cu 및 Se를 포함하고, Cu 원자 및 Se 원자로 구성되는 결정이 소정 온도에서 복수의 서로 다른 결정 구조를 함께 갖는다.
Abstract translation: 公开了具有优异性能的热电转换材料。 根据本发明的热电材料包括Cu和Se，其中包含Cu原子和Se原子的晶体在特定温度下立即具有多个不同的结晶结构。
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公开(公告)号：WO2021187859A1
公开(公告)日：2021-09-23
申请号：PCT/KR2021/003226
申请日：2021-03-16
Applicant: 주식회사 엘지화학
Abstract: 본 발명은, 하드 코팅층; 및 저굴절층을 포함하고, 중공형 무기 나노 입자 및 솔리드형 무기 나노 입자를 함께 포함하고, 1.5 ㎚ 내지 22 ㎚의 두께를 갖는 입자 혼재층이 상기 저굴절층 내에 존재하며, 파장 550nm에서의 반사율 대비 파장 400nm에서의 반사율의 비율이 1.3 내지 2.7인 반사 방지 필름과 상기 반사 방지 필름을 포함하는 편광판, 디스플레이 장치 및 유기발광다이오드 디스플레이 장치에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2016099155A1
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：PCT/KR2015/013819
申请日：2015-12-16
Applicant: 주식회사 엘지화학
Abstract: 본 발명은 열전 성능이 향상된 스쿠테루다이트계 열전 재료의 제조에 이용될 수 있는 표면 처리된 열전 파우더를 개시한다. 본 발명에 따른 열전 파우더는, 하나 또는 그 이상의 스쿠테루다이트 입자를 포함하는 코어부; 및 Ni 함유물을 구비하며, 상기 코어부의 표면 중 적어도 일부 표면에 코팅된 코팅부를 포함할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种表面处理的热电粉末，其可用于制造具有改进的热电性能的方钴矿基热电材料。 根据本发明的热电粉末包括：包含一种或多种方钴矿颗粒的核心部分; 以及具有Ni夹杂物并涂覆在芯单元的表面的至少一部分上的涂层部分。
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公开(公告)号：WO2015057018A1
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：PCT/KR2014/009795
申请日：2014-10-17
Applicant: 주식회사 엘지화학
CPC classification number: H01L35/16 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01P2002/54 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , H01L35/34
Abstract: 본 발명은 열전 변환 성능이 우수한 신규한 열전 재료 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 화합물 반도체는, 다음의 화학식 1과 같이 표시될 수 있다. Cu x Se 1-y X y 상기 화학식 1에서, X는 F, Cl, Br 및 I로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나 이상이고, 2
Abstract translation: 公开了具有优异的热电转换性能的新型热电材料及其制造方法。 根据本发明的化合物半导体可以由以下化学式1表示：CuxSe1-yXy，其中X是选自由F，Cl，Br和I组成的组中的至少一种，2
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