公开(公告)号：WO2012171742A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：PCT/EP2012/059159

申请日：2012-05-16

Applicant: AMS AG ,  MINIXHOFER, Rainer ,  STÜCKLER, Ewald ,  SCHREMS, Martin ,  KOPPITSCH, Günther ,  KRAFT, Jochen ,  TEVA, Jordi

Inventor： MINIXHOFER, Rainer ,  STÜCKLER, Ewald ,  SCHREMS, Martin ,  KOPPITSCH, Günther ,  KRAFT, Jochen ,  TEVA, Jordi

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: In dem Halbleiterkörper (1) ist eine Aussparung (11) vorhanden, die den Halbleiterkörper durchdringt. Eine Leiterschicht (6), die mit einer Metallebene (3) auf oder über dem Halbleiterkörper elektrisch leitend verbunden ist, schirmt den Halbleiterkörper von der Aussparung elektrisch ab. Die Leiterschicht kann Metall, gegebenenfalls mit einer Barriereschicht (6a), oder ein dotierter Bereich des Halbleiterkörpers sein.

Abstract translation: 在半导体主体（1）具有一凹槽（11）存在时，穿透半导体本体中。 其导电连接的金属层（3）上或在半导体主体上方的导体层（6），从凹部电屏蔽的半导体本体。 导体层可以是金属，任选地用阻挡层（6a）中，或在半导体本体的掺杂区域。

公开(公告)号：WO2014140000A2

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：PCT/EP2014/054684

申请日：2014-03-11

Applicant: AMS AG

Inventor： TEVA, Jordi ,  ROGER, Frederic ,  STÜCKLER, Ewald ,  JESSENIG, Stefan ,  MINIXHOFER, Rainer ,  WACHMANN, Ewald ,  SCHREMS, Martin ,  KOPPITSCH, Günther

CPC classification number: H01L31/107 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/50

Abstract: The lateral single-photon avalanche diode comprises a semiconductor body (1, 2) comprising a semiconductor material of a first type of electric conductivity, a trench (3) in the semiconductor body, and anode and cathode terminals (5, 6). A junction region (14) of the first type of electric conductivity is located near the sidewall (38) of the trench, and the electric conductivity is higher in the junction region than at a farther distance from the sidewall. A semiconductor layer (4) of an opposite second type of electric conductivity is arranged at the sidewall of the trench adjacent to the junction region. The anode and cathode terminals are electrically connected with the semiconductor layer and with the junction region, respectively. The junction region (14) may be formed by a sidewall implantation.

Abstract translation: 横向单光子雪崩二极管包括半导体本体（1,2），其包括第一导电类型的半导体材料，半导体主体中的沟槽（3）以及阳极和阴极端子（5,6）。 第一类型导电性的结区域（14）位于沟槽的侧壁（38）附近，并且在结区域中的电导率高于距离侧壁更远的距离。 具有相反的第二导电类型的半导体层（4）布置在与结区相邻的沟槽的侧壁处。 阳极和阴极端子分别与半导体层和结区域电连接。 接合区域（14）可以通过侧壁注入形成。

公开(公告)号：WO2014122055A1

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：PCT/EP2014/051715

申请日：2014-01-29

Applicant: AMS AG

Inventor： KOPPITSCH, Günther ,  STÜCKLER, Ewald ,  ROHRACHER, Karl ,  TEVA, Jordi

IPC: G03F7/09 ,  H05K3/00

CPC classification number: H01L21/76882 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76898

Abstract: The method comprises the steps of providing a semiconductor body or substrate (1) with a recess or trench (2) in a main surface (10), applying a mask (3) on the main surface, the mask covering the recess or trench, so that the walls and bottom of the recess or trench and the mask together enclose a cavity (4), which is filled with a gas, and forming at least one opening (5) in the mask at a distance from the recess or trench, the distance (6) being adapted to allow the gas to escape from the cavity via the opening when the gas pressure exceeds an external pressure.

Abstract translation: 该方法包括以下步骤：在主表面（10）中提供具有凹槽或沟槽（2）的半导体主体或衬底（1），在主表面上施加掩模（3），覆盖凹部或沟槽的掩模， 使得凹部或沟槽和面罩的壁和底部一起包围填充有气体的空腔（4），并且在距离凹部或沟槽一定距离处的掩模中形成至少一个开口（5） 所述距离（6）适于当所述气体压力超过外部压力时允许所述气体经由所述开口从所述空腔逸出。

公开(公告)号：WO2015082203A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：PCT/EP2014/074786

申请日：2014-11-17

Applicant: AMS AG

Inventor： KRAFT, Jochen ,  SIEGERT, Jörg ,  STÜCKLER, Ewald

IPC: G02B6/42 ,  G02B6/12 ,  H05K1/02

CPC classification number: G02B6/122 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/132 ,  G02B6/136 ,  G02B6/4214 ,  G02B6/43 ,  G02B2006/12104

Abstract: The semiconductor device comprises a substrate (1) of semiconductor material, a dielectric layer (2) above the substrate, a waveguide (3) arranged in the dielectric layer, and a mirror region (4) arranged on a surface of a mirror support (5) integrated on the substrate, the mirror support being a high-density plasma deposited oxide. A mirror is thus formed facing the waveguide. The surface of the mirror support and hence the mirror are inclined with respect to the waveguide.

Abstract translation: 半导体器件包括半导体材料的衬底（1），衬底上的电介质层（2），布置在电介质层中的波导（3）和布置在反射镜支撑体的表面上的反射镜区域（4） 5）集成在基板上，镜支架是高密度等离子体沉积氧化物。 因此形成面向波导的反射镜。 反射镜支撑体的表面，因此反射镜相对于波导管倾斜。