CHARGIERUNG VON WERKSTÜCKEN IN EINER BESCHICHTUNGSANLAGE
    1.
    发明申请
    CHARGIERUNG VON WERKSTÜCKEN IN EINER BESCHICHTUNGSANLAGE 审中-公开
    充电所加工的零件涂装线

    公开(公告)号:WO2016156601A1

    公开(公告)日:2016-10-06

    申请号:PCT/EP2016/057279

    申请日:2016-04-01

    Applicant: CEMECON AG

    Abstract: Beschrieben ist eine Chargiervorrichtung für Werkstücke (16) in einer Beschichtungsanlage (10) sowie ein Verfahren zum Chargieren der Werkstücke 16. Ein aufrecht angeordneter Ständer (22) weist in einer nach Außen weisenden Fläche (44) eine Anzahl von übereinander angeordneten Öffnungen (24) auf. Eine Anzahl von Einsatzhülsen (30) ist zur Aufnahme in den Öffnungen (24) vorgesehen, wobei die Einsatzhülsen (30) jeweils einen Schaft (32) und eine Haltestruktur (24) aufweisen, sowie eine Bohrung (26) zur Aufnahme eines Werkstücks (16). Die Öffnungen (24) und die Schäfte (32) der Einsatzhülsen (30) sind so ausgebildet, dass die Einsatzhülsen (30) durch die Öffnungen (24) hindurch steckbar sind. Die Öffnungen (24) und die Haltestrukturen (34) sind so ausgebildet, dass sich ein haltender Eingriff zwischen den Einsatzhülsen (30) und den Öffnungen (24) ergibt.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于在一个涂覆设备的工件(16)的充电装置(10),以及充电工件16.一种直立布置支架(22)具有,以面对的外表面(44)的数叠置开口的方法(24) 上。 被提供(30)一种数插入套筒中的开口(24),要被接收,其中,所述插入件套管(30),每个具有用于接收工件的柄(32)和支撑结构(24)和孔(26)(16 )。 所述开口(24)和所述插入套管(30)的柄部(32)被形成为使得所述插入管(30)通过开口(24)穿过其中是可插入的。 形成开口(24)和所述保持结构(34),从而获得该插入套管(30)和所述开口(24)之间的保持接合。

    VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM VORBEHANDELN UND BESCHICHTEN VON KÖRPERN
    2.
    发明申请
    VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM VORBEHANDELN UND BESCHICHTEN VON KÖRPERN 审中-公开
    DEVICE AND METHOD FOR预处理和包覆体

    公开(公告)号:WO2009132822A2

    公开(公告)日:2009-11-05

    申请号:PCT/EP2009/003082

    申请日:2009-04-28

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Vorbehandeln und Beschichten von Körpern durch Magnetronzerstäuben. In einer Vakuumkammer mit metallischer Kammerwandung (26) sind Magnetrons mit Sputter-Targets angeordnet, von denen mindestens eines ein HPPMS-Magnetron ist, dem elektrische Pulse zugeführt werden, indem ein Kapazitätselement (6) durch ein Schaltelement (5) mit dem Sputter-Target des HPPMS-Magnetron verbunden wird. Um eine effektive Vorbehandlung und Beschichtung von Substraten zu ermöglichen, ist gemäß einem ersten Aspekt vorgesehen, dass das Schaltelement an der Kammerwandung angeordnet ist. Gemäß einem zweiten Aspekt ist ein Elektrodenpaar vorgesehen, von dem eine erste Elektrode ein HPPMS-Magnetron (1) ist und die erste und die zweite Elektrode so angeordnet sind, dass ein an einem Substrattisch (4) aufgenommener Körper (11) zwischen den aktiven Flächen des Elektrodenpaares angeordnet ist oder durch den Zwischenraum der aktiven Flächen des Elektrodenpaares bewegt wird. Als dritter Aspekt ist ein Verfahren vorgesehen, bei dem in einem Ätzschritt eine negative Bias-Spannung an dem Körper angelegt wird und der Körper durch Beschuss mit Metallionen geätzt wird und anschließend die Bias-Spannung kontinuierlich abgesenkt wird, so dass von den Sputter-Targets abgesputtertes Material zu einem Schichtaufbau auf dem Körper führt.

    Abstract translation: 本发明涉及一种装置和用于处理前和涂层制品通过磁控溅射的方法。 在真空室中与磁控管的金属室壁(26)被布置成与溅射靶,其中之一是至少一种HPPMS磁控管,通过电容元件(6)由开关元件(5)与所述溅射靶供给到电脉冲 HPPMS磁控管连接。 为了允许有效的预处理和底物的涂层,在第一方面中提供,所述开关元件被布置在所述腔室壁上。 根据第二个方面,提供一对电极,其中第一电极是HPPMS磁控管(1)和所述第一和第二电极被布置为使得所述有源区之间的一个衬底台(4)记录体(11) 所述一对电极被布置或由电极对的有源表面之间的空间中移动。 作为第三方面,其中提供了一种方法,在蚀刻步骤中,负的偏置电压施加到所述主体和所述主体由轰击用金属离子进行蚀刻,然后将偏置电压被连续地降低,使得从溅射靶溅射 材料对身体导致形成分层结构。

    BESCHICHTUNGSVORRICHTUNG UND BESCHICHTUNGSVERFAHREN MIT UNTERTEILTEN PULSEN

    公开(公告)号:WO2022058193A1

    公开(公告)日:2022-03-24

    申请号:PCT/EP2021/074470

    申请日:2021-09-06

    Applicant: CEMECON AG

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Beschichtungsverfahren und eine Beschichtungsvorrichtung zum Beschichten eines Körpers (40). Eine Magnetron-Kathode (22a, 22b, 22c, 22d) mit einem Target (24a, 24b, 24c, 24h) ist in der Vakuumkammer (12) angeordnet. Der Magnetron-Kathode (22a, 22b, 22c, 22d) wird elektrische Leistung zugeführt, so dass ein Plasma generiert und das Target (24a, 24b, 24c, 24h) zerstäubt wird, um eine Beschichtung (44) auf dem Körper (40) abzuscheiden. Dabei wird die elektrische Leistung gemäß dem HIPIMS-Verfahren als Kathodenpulse (60) periodisch innerhalb einer Periodendauer T zugeführt, wobei jeder Kathodenpuls (60) mindestens zwei Kathodensubpulse (62) und eine dazwischenliegende Kathodensubpulspause (64) umfasst. Um unter Nutzung des chopped HIP IMS Verfahrens auf besonders günstige Weise Beschichtungen (44) mit günstigen Eigenschaften abscheiden zu können, wird am zu beschichtenden Substrat (40) eine Bias-Spannung mit Biasspannungspulsen (66) angelegt, wobei jeder Biasspannungspuls (66) mindestens zwei Biassubpulse (68) und eine dazwischenliegende Biassubpulspause (70) umfasst.

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