公开(公告)号：WO2021257267A1

公开(公告)日：2021-12-23

申请号：PCT/US2021/034870

申请日：2021-05-28

Applicant: TOKYO ELECTRON LIMITED ,  TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC.

Inventor： LEFEVRE, Scott ,  KO, Akiteru

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683 ,  B08B7/0035 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/335 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/6831

Abstract: Embodiments are disclosed for reducing substrate breaks which result from inadequate de-chucking. Contaminants are removed from the surface of a chuck by exposing the chuck to a plasma process that comprises a hydrogen (H)-containing plasma. The chuck is subjected to the hydrogen-based plasma when no substrate is on the chuck. In one embodiment, the plasma is a hydrocarbon-based plasma. Hydrogen in the hydrocarbon plasma may react with and remove the contaminants. The process may further include an additional plasma step for removal of any newly formed materials that may result from the hydrocarbon plasma. The removal step may be, for example, a subsequent plasma ash step. In one embodiment, the chuck is an electrostatic chuck and the contaminants comprise fluorine. By removing contaminants from the chuck surface, improved substrate de-chucking occurs. This improvement correspondingly leads to less substrate breakage when removing substrates from the chuck.

公开(公告)号：WO2022240651A1

公开(公告)日：2022-11-17

申请号：PCT/US2022/027892

申请日：2022-05-05

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： CUI, Linying ,  ROGERS, James ,  DORF, Leonid

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/6833

Abstract: Embodiments of the present disclosure relate to a system for pulsed direct- current (DC) biasing and clamping a substrate. In one embodiment, the system includes a plasma chamber having an electrostatic chuck (ESC) for supporting a substrate. An electrode is embedded in the ESC and is electrically coupled to a biasing and clamping network. The biasing and clamping network includes at least a shaped DC pulse voltage source and a clamping network. The clamping network includes a DC source and a diode, and a resistor. The shaped DC pulse voltage source and the clamping network are connected in parallel. The biasing and clamping network automatically maintains a substantially constant clamping voltage, which is a voltage drop across the electrode and the substrate when the substrate is biased with pulsed DC voltage, leading to improved clamping of the substrate.

公开(公告)号：WO2021139977A1

公开(公告)日：2021-07-15

申请号：PCT/EP2020/086351

申请日：2020-12-16

Applicant: CEMECON AG

Inventor： MAY, Walter

IPC: H01L21/677 ,  F16M11/24 ,  F16M11/04 ,  F16M11/38 ,  F16M11/42 ,  F16M11/18 ,  B66F3/12 ,  B66F7/06 ,  C23C16/27 ,  C23C30/00 ,  H01J37/32 ,  B66F7/0608 ,  B66F7/0691 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4587 ,  F16M11/046 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/67706 ,  H01L21/67724 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung (10) zum Halten von Werkstücken (30) in einer Prozesskammer. Ferner betrifft die Erfindung eine Beschichtungsanlage (20), sowie ein Verfahren zum Beschichten eines Werkstücks (30). Um für die Position von Werkstücken (30) eine präzise Höhenverstellbarkeit bei fester und stabiler Lagerung bereitzustellen, umfasst die Haltevorrichtung (10) eine Ablage (72) für die Werkstücke (30), ein höhenverstellbares erstes Stützelement (22) und ein höhenverstellbares zweites Stützelement (48) für die Ablage (72), wobei die Stützelemente (22, 48) jeweils zumindest ein erstes und ein zweites Schenkelelement (26, 56) umfassen, wobei das jeweils erste und das jeweils zweite Schenkelelement (26, 56) gegeneinander um eine Schwenkachse X, Y schwenkbar gekoppelt sind, und wobei die Schwenkachse X des ersten Stützelements (22) unter einem Winkel zu der Schwenkachse Y des zweiten Stützelements (48) angeordnet ist.

公开(公告)号：WO2021122810A1

公开(公告)日：2021-06-24

申请号：PCT/EP2020/086512

申请日：2020-12-16

Applicant: OERLIKON SURFACE SOLUTIONS AG, PFÄFFIKON

Inventor： MUELLER, Dieter ,  SIEBERT, Max ,  HOEWELING, Christoph

IPC: C23C14/50 ,  C23C16/458 ,  H01J37/32 ,  B23Q17/22 ,  B25J15/06 ,  B25B23/12 ,  B23Q3/15 ,  C23C14/505 ,  C23C16/4581 ,  H01J37/32715

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Haltevorrichtung (2) zum Halten eines magnetisierbaren Substrats (8) während einer Bearbeitung von mindestens einer Substratoberfläche, insbesondere eines zu bearbeitenden magnetisierbaren Werkzeugs, umfassend eine endseitig angeordnete magnetische Halteeinheit (4) zur endseitigen Fixierung des Substrats (8) über die Ausbildung eines magnetischen Feldes, eine an der Halteeinheit (4) angeordnete Aufnahmeeinheit (6) zur Aufnahme des Substrats (8), eine innerhalb der Aufnahmeeinheit (6) angeordnete austauschbare Adaptereinheit (10) zur Führung und Abschirmung des Substrats (8), wobei die Adaptereinheit (10) zumindest eine Ausnehmung (12) zur Durchführung des Substrats (8) aufweist, wobei das Substrat (8) mittels der Ausnehmung (12) seitlich abgestützt innerhalb der Haltevorrichtung (2) fixierbar ist.

公开(公告)号：WO2022238621A1

公开(公告)日：2022-11-17

申请号：PCT/FI2022/050314

申请日：2022-05-10

Applicant: PICOSUN OY

Inventor： KILPI, Väinö

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/455 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/511 ,  H01J2237/20235 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/3288 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785

Abstract: A substrate processing apparatus (100), comprising a reaction chamber (50), an outer chamber (80) at least partly surrounding the reaction chamber (50) and forming an intermediate volume (70) therebetween, and a substrate support (40) within the reaction chamber (50), comprising a hollow inner volume (42), wherein the hollow inner volume (42) and the intermediate volume (70) are in fluid communication through a channel (45) extending from the hollow inner volume (42) to the intermediate volume (70).

公开(公告)号：WO2021247627A1

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：PCT/US2021/035329

申请日：2021-06-02

Applicant: LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： AGARWAL, Prahalad Narasinghdas

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23C16/458 ,  H01J37/32 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68785

Abstract: A substrate support for a substrate processing system includes a monobloc pedestal plate with a first surface configured to support a substrate and a second surface configured to interface with a pedestal stem. A groove is formed in the second surface of the monobloc pedestal plate. The groove has a serpentine shape and a depth of the groove extends upward from the second surface of the monobloc pedestal plate. A heater coil is arranged within the groove. A gap is defined between the heater coil and the second surface of the monobloc pedestal plate and a gap material is arranged within the gap to seal the heater coil within the groove.

公开(公告)号：WO2021228323A1

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：PCT/DE2021/100418

申请日：2021-05-07

Applicant: HANWHA Q CELLS GMBH

Inventor： SCHAPER, Martin

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/673 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67313 ,  H01L21/67326

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Haltevorrichtung zum Halten mehrerer Substrate (4) bei einer plasmaunterstützten Abscheidung einer Schicht aus der Gasphase auf den Substraten (4) aufweisend: parallel zueinander angeordnete Träger-Innenplatten (1), die ausgebildet sind, auf einander gegenüberliegenden Seiten jeweils Substrate (4) zu tragen, parallel zu den Träger-Innenplatten (1) angeordnete Träger-Außenplatten (2) mit einer den Träger-Innenplatten (1) zugewandten Innenseite und einer von den Träger-Innenplatten (1) abgewandten Außenseite, wobei jede Träger-Außenplatte (2) ausgebildet ist, auf ihrer Innenseite ein oder mehrere Substrate (4) zu tragen und auf ihrer Außenseite Substrat-frei zu sein, und Abschirmplatten (3), die jeweils beabstandet zur Außenseite der Träger-Außenplatte (2) derart angeordnet sind, dass die Abschirmplatten (3) die Träger-Außenplatten (2) in einer Aufsicht auf die Träger-Außenplatten (2) zumindest größtenteils abschatten, wobei jede Abschirmplatte (3) ausgebildet ist, Substrat-frei zu sein. Ferner betrifft die Erfindung die Verwendung der Haltevorrichtung bei einer plasmaunterstützten Abscheidung aus der Gasphase als Haltevorrichtung für Substrate (4).

公开(公告)号：WO2021222726A1

公开(公告)日：2021-11-04

申请号：PCT/US2021/030131

申请日：2021-04-30

Applicant: MATTSON TECHNOLOGY, INC. ,  BEIJING E-TOWN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD.

Inventor： XIE, Ting ,  LI, Haochen ,  MENG, Shuang ,  ZHANG, Luke ,  KOHL, Dave ,  MA, Shawming ,  YANG, Haichun ,  CHUNG, Hua ,  PAKULSKI, Ryan ,  YANG, Michael

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  C23C16/50 ,  H01J2237/334 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069

Abstract: Apparatus and methods for processing a workpiece using a plasma are provided. In one example implementation, an apparatus can include a processing chamber. The apparatus can include a plasma chamber comprising a dielectric tube defining a sidewall. The apparatus can include an inductively coupled plasma source. The inductively coupled plasma source can include an RF generator configured to energize an induction coil disposed about the dielectric tube. The apparatus can include a separation grid separating the processing chamber from the plasma chamber. The apparatus can include a controller configured to operate the inductively coupled plasma source in a pulsed mode. During the pulsed mode the RF generator is configured to apply a plurality of pulses of RF power to the induction coil. A frequency of pulses can be in a range of about 1 kHz to about 100 kHz.

公开(公告)号：WO2022240418A1

公开(公告)日：2022-11-17

申请号：PCT/US2021/032550

申请日：2021-05-14

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： MA, Jun ,  ZHOU, Jianhua

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724

Abstract: A substrate support assembly includes a cooling plate forming one or more channels configured to receive heat transfer fluid. The substrate support assembly further includes a gas distribution plate disposed on the cooling plate. The gas distribution plate forms an interior volume configured to receive a gas. The substrate support assembly further includes a heating plate disposed on the gas distribution plate. The heating plate includes a resistive heater. The substrate support assembly further includes an electrostatic chuck disposed on the heating plate. The electrostatic chuck is configured to support a substrate in a processing chamber.

公开(公告)号：WO2022238622A1

公开(公告)日：2022-11-17

申请号：PCT/FI2022/050315

申请日：2022-05-10

Applicant: PICOSUN OY

Inventor： KILPI, Väinö ,  BLOMBERG, Tom

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/687 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/4583 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32807 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/6875

Abstract: A substrate processing apparatus (100), comprising a reaction chamber (20) having an upper portion (20a) and a lower portion (20b) sealing an inner volume of the reaction chamber (20) for substrate processing, the lower portion (20b) being movable apart from the upper portion (20a) to form a substrate loading gap therebetween, a substrate support system comprising a support table (31) and at least one support element (70) vertically movable in relation to the support table (31) and extending through the support table (31) to receive a substrate within the reaction chamber (20), and a stopper (90) stopping a downward movement of the at least one support element (70) at a substrate loading level.