PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UN EMPILEMENT DU TYPE PREMIÈRE ÉLECTRODE/COUCHE ACTIVE/DEUXIÈME ÉLECTRODE.
    1.
    发明申请
    PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UN EMPILEMENT DU TYPE PREMIÈRE ÉLECTRODE/COUCHE ACTIVE/DEUXIÈME ÉLECTRODE. 审中-公开
    用于生产第一电极/活性层/第二电极堆叠的方法

    公开(公告)号:WO2013182970A1

    公开(公告)日:2013-12-12

    申请号:PCT/IB2013/054563

    申请日:2013-06-03

    Abstract: Procédé de réalisation d'un empilement du type première électrode/couche active/deuxième électrode destiné à un dispositif électronique notamment du type photodétecteur organique ou cellule solaire organique,, comportant les étapes suivantes : (a) dépôt d'une première couche (2) de matériau conducteur sur un substrat (1), pour former la première électrode, (b) dépôt d'une couche active (3), sous la forme d'une couche mince semi-conductrice organique, cette couche comportant des zones (30) non continues, (c) élimination locale par attaque chimique de la première couche conductrice (2), à travers les zones non continues (30) de la couche active et (d) dépôt d'une deuxième couche (4) de matériau conducteur sur la couche active (3), pour former la deuxième électrode conductrice.

    Abstract translation: 一种用于电子设备,特别是有机光电检测器或有机太阳能电池的第一电极/有源层/第二电极堆叠的制造方法,包括以下步骤:(a)沉积导电材料的第一层(2) 在基板(1)上形成第一电极,(b)以有机半导体薄层的形式沉积有源层(3),所述层包括非连续区域(30),(c)局部 通过化学蚀刻第一导电层(2),通过有源层的非连续区域(30)消除(d)在有源层(3)上沉积导电材料的第二层(4) ,以形成第二导电电极。

    PROCEDE DE FORMATION D'UN EMPILEMENT ET EMPILEMENT

    公开(公告)号:WO2018108540A1

    公开(公告)日:2018-06-21

    申请号:PCT/EP2017/080905

    申请日:2017-11-30

    Abstract: Procédé de réalisation d'un empilement, comprenant les étapes suivantes : - former une première couche (2) apte à conduire l'électricité, - former une couche d'intérêt (3) sur la première couche (2), ladite couche d'intérêt (3) comprenant au moins un volume libre, - former au moins un élément de réparation (7), chaque élément de réparation remplissant au moins partiellement un volume libre, appelé volume libre d'intérêt, l'élément de réparation (7) comprenant au moins une couche isolante et laissant libre une surface supérieure (31) de la couche d'intérêt (3) opposée à la première couche (2) située en dehors dudit au moins un volume libre, - former une deuxième couche (20), apte à conduire l'électricité, sur la couche d'intérêt (3), la deuxième couche (20) recouvrant l'élément de réparation (7) et la surface libre (31), l'étape de formation de l'élément de réparation (7) comprenant les étapes suivantes : - former, sur la couche d'intérêt (3), une couche (4) s'étendant au moins partiellement dans le volume libre d'intérêt, - recouvrir au moins une partie de la couche tampon (4) située dans le volume d'intérêt d'une couche de remplissage (5), ladite couche tampon (4) et la couche de remplissage (5) étant dans des matériaux différents.

    PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UN EMPILEMENT DU TYPE PREMIÈRE ÉLECTRODE / COUCHE ACTIVE / DEUXIÈME ÉLECTRODE
    3.
    发明申请
    PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UN EMPILEMENT DU TYPE PREMIÈRE ÉLECTRODE / COUCHE ACTIVE / DEUXIÈME ÉLECTRODE 审中-公开
    用于生产第一电极/活性层/第二电极堆叠的方法

    公开(公告)号:WO2016202938A1

    公开(公告)日:2016-12-22

    申请号:PCT/EP2016/063922

    申请日:2016-06-16

    Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'un empilement du type première électrode/couche active/deuxième électrode destiné à un dispositif électronique notamment du type photodétecteur organique ou cellule solaire organique, comportant les étapes suivantes : (a) dépôt d'une première couche (2) de matériau conducteur sur la face avant d'un substrat, pour former la première électrode, (b) dépôt d'une couche active (3), sous la forme d'une couche mince semi-conductrice organique, cette couche comportant des zones non continues, caractérisé en ce que, ce procédé comporte également les étapes suivantes : (d) dépôt d'une couche de résine (4) sur la face de l'empilement opposée au substrat qui est au moins partiellement transparent, (e) insolation de la couche de résine (4) par la face arrière (10) dudit substrat, (f) développement de la couche de résine et (g) dépôt d'une deuxième couche (5) de matériau conducteur pour former la deuxième électrode conductrice.

    Abstract translation: 本发明涉及一种制造用于电子器件,特别是有机光电检测器或有机太阳能电池的第一电极/有源层/第二电极堆叠的方法,包括以下步骤:(a)沉积第一层(2) 的导电材料,以形成第一电极; (b)沉积有机半导体薄层形式的有源层(3),所述层包括非连续区域。 该方法的特征还在于它还包括以下步骤:(d)在至少部分透明的与衬底相对的堆叠的表面上沉积薄层树脂(4); (e)通过所述基板的背面(10)使树脂层(4)绝缘; (f)显影树脂层; 和(g)沉积导电材料的第二层(5)以形成第二导电电极。

    DISPOSITIF MATRICIEL DE DETECTION INCORPORANT UN MAILLAGE METALLIQUE DANS UNE COUCHE DE DETECTION ET PROCEDE DE FABRICATION
    4.
    发明申请
    DISPOSITIF MATRICIEL DE DETECTION INCORPORANT UN MAILLAGE METALLIQUE DANS UNE COUCHE DE DETECTION ET PROCEDE DE FABRICATION 审中-公开
    在检测层中并入金属网的矩阵检测装置及制造方法

    公开(公告)号:WO2015169623A1

    公开(公告)日:2015-11-12

    申请号:PCT/EP2015/058941

    申请日:2015-04-24

    CPC classification number: H01L27/308 H01L27/307

    Abstract: L'invention a aussi pour objet un dispositif matriciel de détection comportant un empilement comprenant une matrice de pixels d'éléments de détection, une matrice active comprenant un réseau de lignes et de colonnes de commande (20) desdits pixels réalisé à la surface d'un substrat (10), caractérisé en ce que : - les pixels d'éléments de détection comprennent : - une électrode supérieure commune (60); - une couche de détection (50); - des électrodes inférieures discrètes (40); - ledit dispositif comprenant un maillage métallique : - relié à ladite électrode supérieure; - comportant des plots (80) présentant au moins une partie métallique, lesdits plots étant incorporés dans ladite couche de détection; - positionné en correspondance avec ledit réseau de lignes et de colonnes de commande. L'invention a aussi pour objet un procédé de fabrication du dispositif matriciel de détection de l'invention.

    Abstract translation: 本发明涉及一种矩阵检测装置,其包括:包括检测元件像素矩阵的堆叠;有源矩阵,其包括在基板(10)的表面上产生的用于控制所述像素的行和列的网络(20) 其特征在于,所述检测元件像素包括:公共上电极(60); 检测层(50); 和下分立电极(40)。 所述装置包括:金属网,其连接到所述上电极; 包括具有至少一个金属部分的接触焊盘(80),所述接触焊盘被结合在所述检测层中; 定位成连接到控制行和列的所述网络。 本发明还涉及根据本发明的用于制造矩阵检测装置的方法。

    DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE ORGANIQUE, MATRICE DE TELS DISPOSITIFS ET PROCEDE DE FABRICATION DE TELLES MATRICES
    5.
    发明申请
    DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE ORGANIQUE, MATRICE DE TELS DISPOSITIFS ET PROCEDE DE FABRICATION DE TELLES MATRICES 审中-公开
    有机光电子器件,这种器件的矩阵和制造这种矩阵的方法

    公开(公告)号:WO2017108882A1

    公开(公告)日:2017-06-29

    申请号:PCT/EP2016/082064

    申请日:2016-12-21

    CPC classification number: H01L51/4213 H01L27/308 H01L51/4253 Y02E10/549

    Abstract: Dispositif optoélectronique (1) comprenant un empilement de couches agencées sur un substrat (2) électriquement isolant, dont au moins une cathode (3) réalisée dans un matériau de travail de sortie φ1,une couche de collection des électrons (4), agencée au dessus de ladite cathode (3), réalisée dans un matériau de travail de sortie φ2 et de résistance par carré R,une couche active (5) comprenant au moins un matériau semi-conducteur organique de type p, de niveau énergétique HO1 caractérisé en ce que ledit travail de sortie φ2 de ladite couche de collection des électrons (3) et ledit niveau énergétique HO1 de ladite couche active (5) forment une barrière de potentiel apte à bloquer l'injection de trous depuis ladite cathode (3) vers ladite couche active (5) et ladite résistance par carré R de ladite couche de collection des électrons (4) est supérieure ou égale à 108 Ω.

    Abstract translation: 光电子器件(1)包括布置在电绝缘衬底(2)上的层堆叠,其中至少一个阴极(3)形成为无光泽材料 φ1输出工件,布置在所述阴极(3)上方的电子收集层(4),其实现为输出工件材料φ2和r3 抵抗由carró R,包括至少一种能级为HO1的p型有机半导体材料的有源层(5),其特征在于: 其中所述电子收集层(3)的所述输出功φ2和所述有源层(5)的所述能级HO1形成势垒势能; 阻止从所述阴极(3)向所述有源层(5)和所述方形电阻注入空穴; 所述电子收集层(4)的R大于或等于 108Ω。

    DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE MATRICIEL PRESENTANT UNE ELECTRODE SUPERIEURE TRANSPARENTE
    6.
    发明申请
    DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE MATRICIEL PRESENTANT UNE ELECTRODE SUPERIEURE TRANSPARENTE 审中-公开
    具有透明超级电极的矩阵光电子器件

    公开(公告)号:WO2017108670A1

    公开(公告)日:2017-06-29

    申请号:PCT/EP2016/081699

    申请日:2016-12-19

    Abstract: Dispositif optoélectronique matriciel comprenant un substrat (S) sur lequel est déposée une matrice (MEI) d'électrodes (EI) dites inférieures; une structure active (STA), de préférence continue et organique, agencée au dessus de ladite matrice d'électrodes inférieures, adaptée pour détecter un rayonnement lumineux; et au moins une électrode dite supérieure (ES) s'étendant au-dessus de ladite structure active, ladite électrode supérieure étant transparente au rayonnement lumineux émis ou détecté par la structure active; ainsi qu'au moins un élément conducteur (C2) porté par le substrat sans interposition de ladite structure active et relié à ladite électrode supérieure par au moins une interconnexion verticale (IV), ledit élément conducteur présentant une conductivité électrique supérieure à celle de ladite électrode supérieure. Le dispositif peut comprendre également une couche en matériau scintillateur (SC) fixée à ladite électrode supérieure, de manière à constituer un imageur à rayons X.

    Abstract translation:

    包含具有DéPOSéËDé电极的矩阵(MEI)(EI)的基板(S)装置光电é矩阵电子所述下éEXTERIORFEATURES; 具有连续和有机预测的有源结构(STA),布置在所述下电极矩阵之上,适于检测光辐射; 和所述至少一个称为SUPé更高(ES)S'é以上趋向所述活性结构é电极,DE电极SUPéé为透明的,以光E辐射更高;设定或DE TECTDé 由积极的结构; 以及至少一名驾驶员(C2) 通过衬底而不插入所述有源和连接结构 À 所述上电极通过至少一个垂直互连(IV),所述导电元件具有导电性; 更高的电气& 所述上电极的厚度。 该装置还可以包括连接到该装置的闪烁体材料层(SC)。 所述上电极以这种方式 构成一个影像和雕刻; X射线。

    PROCEDE DE STRUCTURATION D'UNE COUCHE ACTIVE ORGANIQUE DEPOSEE SUR UN SUBSTRAT
    7.
    发明申请
    PROCEDE DE STRUCTURATION D'UNE COUCHE ACTIVE ORGANIQUE DEPOSEE SUR UN SUBSTRAT 审中-公开
    用于结构在基底上沉积的有效有机层的方法

    公开(公告)号:WO2013045775A1

    公开(公告)日:2013-04-04

    申请号:PCT/FR2012/051649

    申请日:2012-07-12

    CPC classification number: H01L51/0002 H01L51/0016

    Abstract: Ce procédé de structuration dune couche active organique (1) déposée sur un substrat (2) consiste : - à déposer une couche sacrificielle (4) sur le substrat (2) par photo-lithogravure, ladite couche sacrificielle tant réalisée en au moins une résine photosensible, - créer au moins un motif (5) au sein de la couche sacrificielle (4), - déposer une couche active organique (1) sur la couche sacrificielle (4) et dans le motif (5), - déposer une couche protectrice (3) réalisée en polymère organique sur la couche active (1) et dans le motif (5) de ladite couche sacrificielle (4), - retirer la couche sacrificielle (4) par projection d'un solvant sur la résine constitutive de ladite couche, et - retirer la couche protectrice (3) par dissolution du polymère qui la constitue dans un solvant.

    Abstract translation: 用于构造沉积在基板(2)上的活性有机层(1)的该方法包括:通过光刻在基板(2)上沉积牺牲层(4),所述牺牲层由至少一种光致抗蚀剂形成; 在所述牺牲层(4)中产生至少一个特征(5); 在牺牲层(4)和特征(5)中沉积活性有机层(1); 在有源层(1)和所述牺牲层(4)中的特征(5)中沉积由有机聚合物制成的保护层(3); 通过将溶剂喷涂到所述层的构成抗蚀剂上来除去牺牲层(4); 并通过将形成它的聚合物溶解在溶剂中来除去保护层(3)。

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