公开(公告)号：WO2016030184A1

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：PCT/EP2015068543

申请日：2015-08-12

Applicant: OSRAM OLED GMBH

Inventor： WEHLUS THOMAS ,  RIEDEL DANIEL ,  RIEGEL NINA ,  SCHARNER SILKE ,  ROSENBERGER JOHANNES ,  FLEISSNER ARNE

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/00 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L51/0022 ,  H01L51/445 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/56 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: The invention relates to an optoelectronic device, comprising a first electrode (2), which is permeable to light, an electrically conductive track (3), which comprises a metal, a functional organic region (4), which comprises at least one active region (5), wherein the electrically conductive track (3) is arranged between the first electrode (3) and the functional organic region (4) and the electrically conductive track (3) is in direct contact with the first electrode (2) and the functional organic region (3).

Abstract translation: 它是设置有（4）包括至少一个有源区中的第一电极（2）其上形成透光的，导电片（3），包括金属，有机功能区域的光电子装置（5） 其中所述导电片（3）（3）和（4）被布置在所述第一电极和所述的导电性网状之间的有机功能区域（3）（在与所述第一电极直接接触（2）和该功能性有机范围 3）。

公开(公告)号：WO2015181071A1

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：PCT/EP2015/061387

申请日：2015-05-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  MUERMANN, Björn ,  ENGL, Karl ,  EICHINGER, Christian

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L31/022466 ,  H01L33/42 ,  H01L51/442 ,  H01L51/445 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5215 ,  H01L51/5234 ,  Y02E10/549

Abstract: Es wird eine elektrische Kontaktstruktur (10) für ein Halbleiterbauelement (100) angegeben mit einer transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht (1), auf der eine erste metallische Kontaktschicht (2) aufgebracht ist, einer zweiten metallischen Kontaktschicht (3), die die erste metallische Kontaktschicht (2) vollständig überdeckt, und einer Trennschicht (4), die zwischen der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht (1) und der zweiten metallischen Kontaktschicht (3) angeordnet ist und die die zweite metallische Kontaktschicht (3) von der transparenten elektrisch leitenden Kontaktschicht (1) trennt. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement (100) mit einer solchen elektrischen Kontaktstruktur (10) angegeben.

Abstract translation: 存在用于设置有透明的导电的接触层（1）的半导体器件（100）的电接触结构（10），被施加到第一金属接触层（2），第二金属接触层（3），所述的第一金属接触层 （2）完全覆盖，并分离层（4）设置在所述透明导电接触层（1）之间，并且所述第二金属接触层（3）被布置和第二金属接触层（3）从透明导电接触层（1 ）分离。 此外，具有这样的电接触结构（10）的半导体装置（100）被指定。

公开(公告)号：WO2015147429A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：PCT/KR2015/000242

申请日：2015-01-09

Applicant: 부산대학교 산학협력단

Inventor： 정세영 ,  김지영 ,  김원경

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01B5/14 ,  C23C14/086 ,  C23C14/205 ,  C23C14/34 ,  C30B23/08 ,  C30B29/02 ,  C30B33/10 ,  H01B1/02 ,  H01B1/08 ,  H01B13/0036 ,  H01L31/022466 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/102 ,  H01L51/445 ,  H01L51/5212 ,  Y02E10/549

Abstract: 본 발명은 단결정 구리를 이용한 나노 망사 다층 구조의 전극 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판, 상기 기판의 상부에 형성되는 나노사이즈의 선폭을 가지는 벌집 모양 패턴의 단결정 구리 전극층, 및 상기 단결정 구리 전극층의 상부에 형성되는 금속 산화물층으로 이루어져 광학적 투과도가 우수하고 전기적 면저항이 낮으며 기계적 안정성이 우수한 단결정 구리를 이용한 나노 망사 다층 구조의 전극 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 기판; 상기 기판의 상부에 형성되는 나노사이즈의 선폭을 가지는 벌집 모양 패턴의 단결정 구리 전극층; 및 상기 단결정 구리 전극층의 상부에 형성되는 금속 산화물층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 단결정 구리를 이용한 나노 망사 다층 구조의 전극을 기술적 요지로 한다.

Abstract translation: 本发明涉及使用单晶铜的具有纳米网状多层结构的电极及其制造方法，更具体地，涉及使用单晶铜的具有纳米网状多层结构的电极，以及 其制造方法，所述电极包括：基板; 单晶铜电极层，形成在基板的上部，具有纳米尺寸线宽的梳形图案; 以及形成在单晶铜电极层的上部的金属氧化物层，由此具有优异的透光率，低电表面电阻和优异的机械稳定性。 本发明的技术特征在于具有使用单晶铜的纳米网状多层结构的电极，所述电极包括：基板; 单晶铜电极层，形成在基板的上部，具有纳米尺寸线宽的梳形图案; 以及形成在单晶铜电极层的上部的金属氧化物层。

公开(公告)号：WO2014171616A1

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：PCT/KR2013/012364

申请日：2013-12-30

Applicant: 광주과학기술원

Inventor： 정건영 ,  이광호

IPC: H01B13/00

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L31/022466 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/445 ,  H01L51/5212 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 용액 공정을 이용하는 투명 전극 제조방법, 투명 전극을 채용하는 투명 반도체 장치 및 그 제조방법이 개시된다. 투명 전극은 기판 상에 다수개의 트렌치홈 라인을 가지는 템플릿을 형성하는 단계와, 템플릿 상에 적어도 다수개의 트렌치홈 라인을 매립하도록 전도성 물질을 배치하는 단계와, 다수개의 트렌치홈 라인에 매립된 전도성 물질을 남기고 템플릿 및 템플릿 상의 전도성 물질을 제거하는 단계로 제조된다. 이러한 투명 전극을 채용하는 투명 반도체 장치는 바람직하게 투명 디스플레이의 구동유닛으로 적용될 수 있다.

Abstract translation: 公开了使用溶液法的透明电极制造方法，采用透明电极的透明半导体装置及透明半导体装置的制造方法。 通过以下步骤制造透明电极：在衬底中形成具有多个沟槽线的模板; 沉积导电材料以填充模板中的至少多个沟槽线; 以及去除模板上的模板和导电材料，留下导电材料填充多个沟槽线。 使用这种透明电极的透明半导体装置可以理想地用于透明显示器的驱动单元。

公开(公告)号：WO2014034920A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：PCT/JP2013/073468

申请日：2013-09-02

Applicant: コニカミノルタ株式会社

Inventor： 末松　孝敏 ,  松村　智之

IPC: H01B5/14 ,  B32B7/02 ,  H01B13/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/28

CPC classification number: H01L51/5228 ,  B32B15/02 ,  B32B15/08 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/412 ,  B32B2457/00 ,  H01L51/445 ,  H01L51/5212

Abstract: 　透明樹脂基板と金属細線パターンとの密着性を高め、金属細線パターンの剥離や多孔質層へのクラックの発生を抑制する透明電極が開示されている。　透明電極（１）は、透明樹脂基板（１０）、多孔質層（２０）、金属細線パターン（３０）および透明導電性保護層（４０）を有し、透明樹脂基板（４０）上に多孔質層（２０）と金属細線パターン（３０）とが形成され、多孔質層（２０）および金属細線パターン（３０）上に透明導電性保護層（４０）が形成されている。透明電極（１）では、金属細線パターン（３０）の厚さ（３２）に対する多孔質層（２０）の厚さ（２２）の比率が５～４０％の範囲内で、かつ、金属細線パターン（３０）の厚さ（３２）が０．３～３．０μｍの範囲内である。

Abstract translation: 公开了透明电极，其中透明树脂基板和金属细线图案之间的粘合性得到改善，并且抑制了金属细线图案的分离或多孔层的破裂的发生。 透明电极（1）包括透明树脂基板（10），多孔层（20），金属细线图案（30）和透明导电保护层（40）。 在透明树脂基板（10）上形成多孔层（20）和金属细线图案（30），在多孔层（20）上形成透明导电保护层（40），金属细线图案 （30）。 在该透明电极（1）中，多孔层（20）的厚度（22）与金属细线图案（30）的厚度（32）的比例在5-40％的范围内， 金属细线图案（30）的厚度（32）在0.3-3.0μm的范围内。

公开(公告)号：WO2013136039A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：PCT/GB2013/000109

申请日：2013-03-13

Applicant: CAMBRIDGE DISPLAY TECHNOLOGY LIMITED

Inventor： MALIK, Surama ,  CARTER, Julian ,  SCULLION, Laurence ,  BAKER, Colin ,  FLEISSNER, Arne ,  BURROUGHES, Jeremy

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5088 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/441 ,  H01L51/445 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/5275 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5361 ,  Y02E10/549

Abstract: This invention generally relates to an optoelectronic device and a method of fabricating such a device, and more particularly to an optoelectronic device comprising an anode layer (21), a semiconductive layer (25) provided over the anode layer, and a cathode layer (26) provided over the semiconductive layer, the anode layer comprising a plurality of electrically conductive tracks (212) connected together and spaced apart from one another with gaps (211) therebetween, the device further comprising a first (23) and one or more further hole injection layers (24) provided between the anode layer and the semiconductive layer and extending across said gaps, wherein the first hole injection layer has a conductivity greater than the conductivity of the one or more further hole injection layers.

Abstract translation: 本发明一般涉及一种制造这种器件的光电器件及其制造方法，尤其涉及包括阳极层（21），提供在阳极层上的半导体层（25）和阴极层（26）的光电器件 ），所述阳极层包括连接在一起并且彼此间隔开的多个导电轨道（212），所述导电轨道（212）之间具有间隙（211），所述装置还包括第一（23）和一个或多个另外的孔 所述注入层（24）设置在所述阳极层和所述半导体层之间并延伸穿过所述间隙，其中所述第一空穴注入层的导电率大于所述一个或多个其它空穴注入层的导电率。

公开(公告)号：WO2013087066A2

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：PCT/DE2012/100243

申请日：2012-08-20

Applicant: SITEC SOLAR GMBH ,  ALBRECHT, Dirk ,  SCHRAMM, Nico ,  BUSCHMANN, Heinz

Inventor： ALBRECHT, Dirk ,  SCHRAMM, Nico ,  BUSCHMANN, Heinz

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/18 ,  B32B37/12 ,  B32B37/18 ,  B32B38/10 ,  B32B2457/12 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/00 ,  H01L51/00 ,  H01L51/445 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/56 ,  Y02E10/50

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbzeugs für ein Modul mit einer Zelle aus photoaktivem Material, insbesondere Solarzelle, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen eines Substrats (1), Anordnen einer Zelle (2; 3) aus photoaktivem Material auf dem Substrat (1), derart, dass eine Lichteinfall- oder eine Lichtemissionsseite der Zelle (2; 3) dem Substrat (1) zugewandt ist, Ausbilden einer Haftmassenschicht (10), in die die Zelle (2; 3) und ein an einer Anschlussleitung der Zelle (2; 3) gebildeter Kontaktanschluss (7) teilweise oder vollständig eingebettet werden, und Ausbilden eines Kontaktbereiches (8), der auf der Rückseite des Substrats (1) mit dem hierin angeordneten Kontaktanschluss (7) gebildet wird, wobei zum Ausbilden des Kontaktbereiches (8) der Kontaktanschluss (7) nachträglich wieder freigelegt wird, indem ein auf dem Kontaktanschluss (7) angeordneter Schichtverbund entfernt wird, und wobei zum Entfernen des Schichtverbundes eine Haftung zwischen dem Kontaktanschluss (7) und der oberhalb des Kontaktanschlusses (7) angeordneten Haftmassenschicht (10) gemindert wird, indem auf dem Kontaktanschluss (7) vor dem Aufbringen der Haftmassenschicht (10) eine Abdeckschicht angeordnet und / oder der Kontaktanschluss (7) und / oder wenigstens ein benachbart zum Kontaktanschluss (7) angeordneter Bereich der Haftmassenschicht (10) mit einer Aktivierungsenergie beaufschlagt werden sowie eine Vorrichtung zum Bearbeiten eines Halbzeuges.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造预制件用于与光活性材料的电池的模块，特别是太阳能电池，该方法包括以下步骤：提供衬底（1），将细胞（2; 3）在所述光活性材料的 面对所述衬底（1），形成粘合材料层（10），其中，所述细胞（2; 3）;基片（1），使得光电池的发生率或光出射侧（3 2）和连接线 小区（2; 3）被嵌入部分或完全形成的接触端子（7），并形成接触区域（8），其形成在所述基板（1）与设置在其中的接点端子的背侧（7），其中所述形成 接触区域（8）的接触端子（7）随后再暴露由（7），其布置复合层被去除的接触端子上，并且其中所述复合层以除去 存在减少的所述接触端子之间的粘附性（7）和接触端子上述（7）的粘接材料层（10）的应用程序之前，设置粘合材料层（10）通过所述接触端子（7）上被布置在盖和/或接触端子（7 ）和/或至少一个相邻布置在该区域与所述粘合剂组合物层（10）和用于处理半成品的设备的活化能被提供的触点端子（7）。

公开(公告)号：WO2013039019A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：PCT/JP2012/072998

申请日：2012-09-09

Applicant: トヨタ自動車東日本株式会社 ,  長草 善孝 ,  潮田 裕之

Inventor： 長草　善孝 ,  潮田　裕之

IPC: H01L51/42

CPC classification number: H01L51/445 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/424 ,  H01L51/441 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 　光電変換層３０の一方の側に配置される光電変換デバイス用電極２２が、ｐ型電極として機能する一方の電極２３と、ｎ型電極として機能する他方の電極２４とを、ほぼ同一面上に配置して構成する。これにより、透明電極材を用いないで、各種光電変換デバイス２０を提供することができる。

Abstract translation: 用于光电转换装置的电极（22）通过布置用作p型电极的一个电极（23）和另一个用于工作的电极（24）的电极构成，所述电极布置在光电转换层（30）的一侧上， 作为基本上相同的表面上的n型电极。 由此，可以在不使用透明电极材料的情况下提供各种类型的光电转换装置（20）。

公开(公告)号：WO2013035283A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：PCT/JP2012/005510

申请日：2012-08-31

Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  東 耕平 ,  前原 佳紀 ,  塚原 次郎 ,  都丸 雄一

Inventor： 東　耕平 ,  前原　佳紀 ,  塚原　次郎 ,  都丸　雄一

IPC: H01B5/14 ,  B32B15/08 ,  B32B37/00 ,  G06F3/041 ,  H01B1/12 ,  H01B13/00 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50 ,  H01M14/00 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26 ,  H05B33/28

CPC classification number: H05K1/0274 ,  G06F2203/04103 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022491 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/445 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10T29/49155

Abstract: 【課題】安価なフイルム基板上にロール成膜可能とされた、高透明性、高導電性を両立した有機電子デバイス用の透明導電フイルムを得る。 【解決手段】プラスチック支持体（１２）上に、マスク蒸着された、膜厚が５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、平面視における線幅が０．３ｍｍ以上１ｍｍ以下の金属もしくは合金からなる導電性ライン（１４ａ）が複数、間隔３ｍｍ以上２０ｍｍ以下で配置されてなる導電ストライプ（１４）と、プラスチック支持体（１２）と導電ストライプ（１４）を覆うように設けられた、比抵抗が４×１０ －３ Ω・ｃｍ以下であり、膜厚２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である透明導電材料層（１８）とから透明導電フィルムを構成する。

Abstract translation: [问题]为了获得具有高透明度和高导电性的有机电子器件的透明导电膜，并且可以在低成本的薄膜基底上成卷。 [解决方案]透明导电膜由以下部分构成：导电条纹（14）掩模蒸镀沉积在塑料支撑体（12）上，通过以3mm-20mm的间隔布置多条导线（14a）而形成，具有膜 厚度为50nm-500nm，平面图中线宽为0.3mm-1mm，并且包括金属或合金; 和设置为覆盖塑料支撑体（12）和导电条（14）的透明导电材料层（18），其膜厚度为20nm-500nm，比电阻最多为4×10-3Omega· 厘米。

公开(公告)号：WO2013022405A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：PCT/SG2012/000281

申请日：2012-08-08

Applicant: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE ,  LOH, Kian Ping ,  TONG, Shi Wun ,  WANG, Yu

Inventor： LOH, Kian Ping ,  TONG, Shi Wun ,  WANG, Yu

IPC: H01L31/06

CPC classification number: H01L51/445 ,  H01L27/302 ,  H01L51/4246 ,  H01L51/441

Abstract: A tandem solar cell with graphene interlayer and method of making are disclosed. The graphene interlayer can serve as a recombination contact to a pair of photoactive subcells electrically connected in series or as a common electrode to a pair of photoactive subcells electrically connected in parallel. The highly conducting, transparent nature, and easily modifiable chemical and electrical properties of a graphene interlayer enable tunable energy matching to the photoactive subcells. Using different photoactive subcells that can harvest light across the solar spectrum results in a tandem solar cell that can achieve high power conversion efficiency.

Abstract translation: 公开了一种具有石墨烯夹层和制造方法的串联太阳能电池。 石墨烯中间层可以用作与串联电连接或作为公共电极的一对光活性子电池的复合接触到并联电连接的一对光活性子电池。 石墨烯夹层的高导电性，透明性和容易修改的化学和电学性能使得能够与光活性亚细胞匹配的可调谐能量。 使用可以在太阳光谱上收集光的不同的光活性子电池产生可实现高功率转换效率的串联太阳能电池。