公开(公告)号：WO2015169623A1

公开(公告)日：2015-11-12

申请号：PCT/EP2015/058941

申请日：2015-04-24

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： TALLAL, Jamal ,  CHARLOT, Simon ,  DAAMI, Anis ,  VERILHAC, Jean-Marie

IPC: H01L27/30

CPC classification number: H01L27/308 ,  H01L27/307

Abstract: L'invention a aussi pour objet un dispositif matriciel de détection comportant un empilement comprenant une matrice de pixels d'éléments de détection, une matrice active comprenant un réseau de lignes et de colonnes de commande (20) desdits pixels réalisé à la surface d'un substrat (10), caractérisé en ce que : - les pixels d'éléments de détection comprennent : - une électrode supérieure commune (60); - une couche de détection (50); - des électrodes inférieures discrètes (40); - ledit dispositif comprenant un maillage métallique : - relié à ladite électrode supérieure; - comportant des plots (80) présentant au moins une partie métallique, lesdits plots étant incorporés dans ladite couche de détection; - positionné en correspondance avec ledit réseau de lignes et de colonnes de commande. L'invention a aussi pour objet un procédé de fabrication du dispositif matriciel de détection de l'invention.

Abstract translation: 本发明涉及一种矩阵检测装置，其包括：包括检测元件像素矩阵的堆叠;有源矩阵，其包括在基板（10）的表面上产生的用于控制所述像素的行和列的网络（20） 其特征在于，所述检测元件像素包括：公共上电极（60）; 检测层（50）; 和下分立电极（40）。 所述装置包括：金属网，其连接到所述上电极; 包括具有至少一个金属部分的接触焊盘（80），所述接触焊盘被结合在所述检测层中; 定位成连接到控制行和列的所述网络。 本发明还涉及根据本发明的用于制造矩阵检测装置的方法。

公开(公告)号：WO2012104809A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：PCT/IB2012/050491

申请日：2012-02-02

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  BENWADIH, Mohammed ,  TALLAL, Jamal

Inventor： BENWADIH, Mohammed ,  TALLAL, Jamal

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/10

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B05D3/12 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/005 ,  H01L51/05 ,  H01L51/102

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une monocouche autoassemblée (SAM) d'injection comprenant des molécules comprenant un groupement terminal thiol, à la surface d'un support en métal. Le procédé de fabrication de l'invention comprend les étapes suivantes : a) dépôt de la SAM de molécules voulues sur une zone en relief d'un tampon, et b) transfert de la SAM, sur la surface du support, par pressage à chaud de la zone en relief du tampon obtenu à l'étape a). L'invention trouve application dans le domaine de l'électronique, en particulier.

Abstract translation: 本发明涉及一种在金属支撑构件的表面上制造自组装注射单层（SAM）的方法，该SAM包含具有硫醇端基的分子。 本发明的制造方法包括以下步骤：a）将所需分子的SAM沉积在缓冲液缓冲区中; 和b）通过对在步骤a）中获得的缓冲区进行热压，将SAM转移到支撑构件的表面上。 本发明特别适用于电子领域。

公开(公告)号：WO2013153327A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：PCT/FR2013/050777

申请日：2013-04-10

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  ISORG

Inventor： TALLAL, Jamal ,  BENWADIH, Mohammed

IPC: G06F3/042

CPC classification number: G06F3/042 ,  G06F2203/04105

Abstract: L'invention concerne un dispositif d'interface (50) comprenant une matrice de pixels (12) et un substrat (16) isolant et transparent, les pixels étant reliés au substrat par des éléments de liaison (52), la surface de contact entre les éléments de liaison et les pixels étant strictement inférieure à la surface des pixels en regard du substrat.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括像素阵列（12）和绝缘透明基板（16）的接口装置（50），所述像素通过连接元件（52）连接到基板，连接元件和 像素严格小于面向衬底的像素的表面。

公开(公告)号：WO2014029930A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：PCT/FR2013/051852

申请日：2013-07-31

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： ALIANE, Abdelkader ,  COPPARD, Romain ,  TALLAL, Jamal

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/495 ,  H01L31/02 ,  H01L23/00 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L21/4867 ,  H01L21/563 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02175 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/11515 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13187 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/29035 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81409 ,  H01L2224/818 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/819 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

Abstract: Ce procédé de fabrication d'un dispositif microélectronique comportant un premier composant (12) hybridé à un second composant (14) au moyen d'interconnexions électriques, consiste : à réaliser des premier et second composants (12, 14), le second composant (14) étant transparent à un rayonnement ultraviolet au moins au droit d'emplacements prévus pour les interconnexions; à former des éléments d'interconnexion (22) comprenant de l'oxyde de cuivre sur le second composant (14) aux emplacements prévus pour les interconnexions; à reporter les premier et second composants (12, 14) l'un sur l'autre; et à appliquer un rayonnement ultraviolet au travers le second composant (14) sur les éléments comprenant de l'oxyde de cuivre de manière à mettre en œuvre un recuit ultraviolet transformant l'oxyde de cuivre en cuivre.

Abstract translation: 用于制造包括通过电互连与第二部件（14）杂交的第一部件（12）的微电子器件的该工艺包括：产生第一和第二部件（12,14），第二部件（14）对于 紫外线辐射至少与提供给互连的位置一致; 在为所述互连提供的位置中形成在所述第二部件（14）上包含氧化铜的互连元件（22）; 将第一和第二部件（12,14）放置在另一个上; 以及通过所述第二部件（14）将紫外线辐射施加到包含氧化铜的元件上，以实现将所述氧化铜转化为铜的紫外线退火。

公开(公告)号：WO2013190515A3

公开(公告)日：2013-12-27

申请号：PCT/IB2013/055108

申请日：2013-06-21

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  ISORG

Inventor： BENWADIH, Mohammed ,  DAAMI, Anis ,  TALLAL, Jamal

IPC: H01L51/44

Abstract: Photodétecteur organique comprenant une première électrode (11 à 31 ) plane et formée sur un substrat plan (10 à 30), une couche active convexe (12 à 32), formée sur la première électrode, et une deuxième électrode (13 à 33) formée sur la couche active, des moyens pour concentrer le rayonnement lumineux dans la couche active étant intégrés dans le photodétecteur.