公开(公告)号：WO2008017323A1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：PCT/EP2006/007985

申请日：2006-08-11

Applicant: H2B PHOTONICS GMBH ,  HAUPT, Oliver ,  BÜSCHING, Carsten

Inventor： HAUPT, Oliver ,  BÜSCHING, Carsten

IPC: C03B33/095

CPC classification number: C03B33/0955

Abstract: Eine erfindungsgemäße Vorrichtung zum durchtrennenden Bearbeiten von rohrförmigen Bauteilen aus sprödbrüchigem Material durch Erzeugen eines thermisch induzierten Spannungsrisses an dem Bauteil entlang einer Trennzone weist Mittel zum Richten eines Laserstrahles 8 auf das Bauteil auf. Erfindungsgemäß ist die Wellenlänge der Laserstrahlung in Abhängigkeit von dem Material des Bauteiles derart gewählt, daß die Laserstrahlung überwiegend im Wandungsvolumen des Bauteiles absorbiert wird. Erfindungsgemäß ist ferner die Richtung des Laserstrahles 8 relativ zu dem Bauteil derart gewählt, daß der Laserstrahl die Wandung 10 des Bauteiles an wenigstens einer Umfangsstelle 14 im wesentlichen in Umfangsrichtung verlaufend durchstrahlt.

Abstract translation: 用于通过沿一个分离区在组件上产生热应力裂纹切断由脆性材料制成的编辑管状构件的本发明的装置包括用于在所述部件将激光束引导8的装置。 根据本发明，所述激光辐射作为组分的材料的函数的波长是，激光辐射被吸收主要是在以这样的方式选定的组件的Wandungsvolumen。 激光束8的方向是根据本发明相对于该组件的进一步选择，使得所述激光束，所述部件的至少一个圆周位置在圆周方向上基本上延伸14个照射壁10。

公开(公告)号：WO2005107998A1

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：PCT/EP2005/003416

申请日：2005-04-01

Applicant: LZH LASERZENTRUM HANNOVER E.V. ,  HAASE, Michael, A. ,  HAUPT, Oliver

Inventor： HAASE, Michael, A. ,  HAUPT, Oliver

IPC: B23K26/40

CPC classification number: C03B33/091 ,  B23K26/40 ,  B23K2203/172 ,  B23K2203/50 ,  B28D1/221 ,  B28D5/0011 ,  B28D7/04 ,  C03B33/093

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum durch­trennenden Bearbeiten von Bauteilen 4 aus sprödbrüchi­gem Material, beispielsweise Glas, Keramik, Glaskeramik oder dergleichen, durch Erzeugen eines thermisch indu­ zierten Spannungsrisses an dem Bauteil 4 an einer Trennzone. Die Vorrichtung weist einen Laser zum Rich­ten eines Laserstrahles 10 auf das zu bearbeitende Bau­teil auf, derart, daß das Bauteil 4 den Laserstrahl gleichzeitig oder zeitlich aufeinander folgend entlang der Trennzone im wesentlichen an der gleichen Stelle oder an zueinander gering beabstandeten Stellen unter Teilabsorption wenigstens zweimal teilweise transmit­tiert. Erfindungsgemäß ist eine Lagerungseinrichtung mit einer Lagerfläche 40 vorgesehen, auf der das zu bearbeitende Bauteil zur Verringerung oder Vermeidung fremdinduzierter mechanischer Spannungen lagerbar ist, wobei die Lagerfläche 40 wenigstens teilweise aus einem für die Laserstrahlung hochtransmissiven Werkstoff be­steht. Die erfindungsgemäße Vorrichtung ermöglicht eine trennende Bearbeitung von Bauteilen aus sprödbrüchigem Material mit besonders hoher Präzision.

Abstract translation: 本发明涉及一种装置，用于切断加工部件4的脆性材料，如玻璃，陶瓷，玻璃陶瓷或通过产生热应力裂纹INDU编到组件4至分离区等。 该装置包括一个激光器，用于将激光束10到部件以这样的方式被处理，该部件4同时将激光束或依次沿着分离区在大致相同的点，或在根据的部分吸收彼此小间隔的位置的至少两倍部分 传输。 根据本发明的存储装置设置有支承表面40，在其上要加工的构件，以减少或避免外来引起的机械应力可以被安装在本发明中，所述支承表面40部分地由一个至少高度透射激光辐射的材料。 根据本发明的装置可实现与精度特别高的由脆性材料的组件的分离加工。

公开(公告)号：WO2011116968A3

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：PCT/EP2011/001481

申请日：2011-03-24

Applicant: LASER ZENTRUM HANNOVER E.V. ,  HAUPT, Oliver ,  SIEGEL, Frank

Inventor： HAUPT, Oliver ,  SIEGEL, Frank

IPC: B23K26/08 ,  B23K26/067 ,  B23K26/36 ,  B23K26/06

Abstract: In a first aspect, the present invention relates to a system or device allowing fast, efficient and flexible laser-beam based processing. Further, the present invention provides a method for laser-beam based processing, e.g. in the field of high-precision laser patterning of micro structures on large-scale surfaces.

公开(公告)号：WO2005115678A1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：PCT/EP2005/003422

申请日：2005-04-01

Applicant: LZH LASERZENTRUM HANNOVER E.V. ,  HAUPT, Oliver ,  LANGE, Bernd

Inventor： HAUPT, Oliver ,  LANGE, Bernd

IPC: B23K26/40

CPC classification number: B23K26/064 ,  B23K26/40 ,  B23K2201/35 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/50 ,  B23K2203/52

Abstract: Bei einem erfindungsgemässen Verfahren zum Durchtrennen von Halbleitermaterialien wird ein Laserstrahl (10) auf eine Trennzone (18) des Halbleitermaterials (4) gerichtet, wobei die Wellenlänge der Laserstrahlung derart gewählt wird, dass der Laserstrahl von dem Halbleitermaterial unter Teilabsorption teilweise transmittiert wird. Erfindungsgemäss liegt die Wellenlänge der Laserstrahlung im Bereich von etwa 1100 bis etwa 1150 nm, insbesondere im Bereich von 1115 bis 1125 nm, wobei die Wellenlänge der Laserstrahlung derart gewählt wird, dass der Transmissionsgrad des Halbleitermateriales (4) etwa 30 bis etwa 60 %, insbesondere 45 bis 55 % beträgt. Das erfindungsgemässe Verfahren ermöglicht ein schnelles und präzises Durchtrennen von Halbleitermaterialien, insbesondere von Wafern.

Abstract translation: 在用于半导体材料的切割本发明的方法中，激光束（10）到所述半导体材料（4）的分离区（18）被引导，其中，所述激光辐射的波长进行选择，使得从下部分吸收半导体材料的激光束被部分地透射。 根据本发明，在约1100的范围内的激光辐射的波长至约1150纳米，特别是在范围1115至1125年纳米，其中所述激光辐射的波长被选择为使得所述半导体材料的透射率（4）约30至约60％，特别是 45至55％（重量）。 本发明的方法允许半导体材料的快速和精确的切割，尤其是晶片。