公开(公告)号：WO2015190910A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：PCT/MY2015/000046

申请日：2015-06-08

Applicant: MIMOS BERHAD

Inventor： LEE, Hing Wah ,  BIEN, Daniel Chia Sheng ,  EMBONG, Saat Shukri

IPC: G01L1/18

CPC classification number: G01L1/20 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0264 ,  G01L1/18

Abstract: A pressure-sensing device (10) and a process for fabricating it is disclosed. In a preferred embodiment, a sacrificial oxide layer (11 ) is first formed onto a silicon substrate (30). A bottom polymer film (14) is then formed on oxide layer (11 ). Conductive elements including electrodes (12a, 12b) and/or contact pads (18a, 18b) are formed on the bottom polymer film (14). A graphene sheet (20) is deposited to electrically connect the electrodes (12a, 12b). A top polymer film (16) is then laid on top so that the conductive elements (12, 18) and graphene (20) are sandwiched and encapsulated in between the top and bottom polymer layers (14, 16) chosen from polyimide or poly dimethylsiloxane (PDMS). Openings (19a, 19b) on top polymer layer (16) may optionally be provided to allow for interconnection of the contact pads (18a, 18b). The sacrificial oxide (11 ) is then etched to release the completed device (10) from the substrate (30) which may be reused.

Abstract translation: 公开了一种压力感测装置（10）及其制造方法。 在优选实施例中，首先在硅衬底（30）上形成牺牲氧化物层（11）。 然后在氧化物层（11）上形成底部聚合物膜（14）。 在底部聚合物膜（14）上形成包括电极（12a，12b）和/或接触焊盘（18a，18b）的导电元件。 沉积石墨烯片（20）以电连接电极（12a，12b）。 然后将顶部聚合物膜（16）放置在顶部上，使得导电元件（12,18）和石墨烯（20）被夹持并包封在选自聚酰亚胺或聚二甲基硅氧烷的顶部和底部聚合物层（14,16）之间 （PDMS）。 可以可选地设置顶部聚合物层（16）上的开口（19a，19b）以允许接触焊盘（18a，18b）的互连。 然后蚀刻牺牲氧化物（11）以将完成的装置（10）从可以重复使用的基板（30）释放。

公开(公告)号：WO2014209098A1

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：PCT/MY2014/000088

申请日：2014-04-30

Applicant: MIMOS BERHAD

Inventor： BIEN, Daniel Chia Sheng ,  LEE, Hing Wah ,  NABIPOOR, Mohsen ,  ABD WAHID, Khairul Anuar ,  EMBONG, Saat Shukri

IPC: G01N27/07 ,  G01N27/22 ,  G01N27/30 ,  H01L21/027 ,  H01L29/786

CPC classification number: G01N27/226

Abstract: Described herein is a metal electrode (100) having at least one high aspect ratio structure. The metal electrode (100) comprises a silicon layer (101) having the high aspect ratio structure, an oxide layer (102) on top of the silicon layer (101), an adhesive layer (103) on top of the oxide layer (102), and a metal layer (104) on top of the adhesive layer (103). The thickness of the metal layer (104) is at least 15 times lesser than the height of the high aspect ratio structure. Due to this particular feature, the metal layer (104) is deposited on top of the adhesive layer (103) in a self-aligned manner, taking the shape of the high aspect ratio structure, and disconnected at the wall of the high aspect ratio structure. Further, the metal electrode (100) can be modified accordingly to suit different applications. Also described herein is a method for fabricating the aforementioned metal electrode (100).

Abstract translation: 这里描述的是具有至少一个高纵横比结构的金属电极（100）。 金属电极（100）包括具有高纵横比结构的硅层（101），在硅层（101）的顶部上的氧化物层（102），在氧化物层（102）的顶部上的粘合剂层 ）和在粘合剂层（103）的顶部上的金属层（104）。 金属层（104）的厚度比高纵横比结构的高度小至少15倍。 由于这个特殊特征，金属层（104）以自对准的方式沉积在粘合剂层（103）的顶部上，采用高纵横比结构的形状，并且在高纵横比的壁处断开 结构体。 此外，可以相应地修改金属电极（100）以适应不同的应用。 这里也描述了制造上述金属电极（100）的方法。

公开(公告)号：WO2016032314A1

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：PCT/MY2015/000069

申请日：2015-08-14

Applicant: MIMOS BERHAD

Inventor： ENDUT, Zulkarnain ,  ABDULLAH, Ali Zaini ,  SYONO, Mohd Ismahadi ,  EMBONG, Saat Shukri

IPC: G01N27/414

CPC classification number: G01N27/414

Abstract: The present invention relates to an extended gate field effect transistor (EGFET) with a phosphate selective alloy membrane (80) that has a high sensitivity towards phosphate ions in a solution and improves corrosion rate. The phosphate selective alloy membrane (80) can be made of a binary, ternary, quaternary, or quinary alloy. The EGFET also includes feature such as an extended gate metallisation layer (60) made of a metallic or a non-metallic conductor, which enables the phosphate selective alloy membrane (80) to be separated from the FET wafer of the EGFET. A method for fabricating said EGFET is also disclosed in the present invention. In order to ensure the reliability and accuracy of the EGFET phosphate sensor device when sensing phosphate ions in the solution, and preventing any chemical components from leaching away and further damaging the sensor device, the method emphasises on the steps of depositing the extended gate metallisation layer (60) on the gate terminal (50); depositing the phosphate selective alloy membrane (80) in sensing pad area so that the phosphate selective alloy membrane (80) is in contact with the solution; and creating an epoxy dam (90) for controlling the exposure of the phosphate selective alloy membrane (80) to target analyte in the solution.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有磷酸盐选择性合金膜（80）的扩展栅场效应晶体管（EGFET），其对溶液中的磷酸根离子具有高灵敏度，并提高腐蚀速率。 磷酸盐选择性合金膜（80）可以由二元，三元，四元或五元合金制成。 EGFET还包括诸如由金属或非金属导体制成的延伸栅极金属化层（60）的特征，其使磷酸盐选择性合金膜（80）能够与EGFET的FET晶片分离。 本发明还公开了一种制造所述EGFET的方法。 为了确保EGFET磷酸盐传感器设备在检测溶液中的磷酸根离子时的可靠性和准确性，并且防止任何化学成分脱落并进一步破坏传感器装置，该方法强调了沉积扩展栅极金属化层 （60）在所述栅极端子（50）上; 在所述磷酸盐选择性合金膜（80）与所述溶液接触的情况下，将所述磷酸盐选择性合金膜（80）沉积在感测焊盘区域中; 以及创建用于控制所述磷酸盐选择合金膜（80）暴露于所述溶液中的目标分析物的环氧树脂坝（90）。