公开(公告)号：WO2015178755A1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：PCT/MY2015/000033

申请日：2015-05-13

Applicant: MIMOS BERHAD

Inventor： BIEN, Daniel Chia Sheng ,  ABD WAHID, Khairul Anuar ,  MOHAMMAD HANIFF, Muhammad Aniq Shazni ,  LEE, Mai Woon

IPC: G01N27/414

CPC classification number: G01N27/4145

Abstract: Disclosed herein is an ion-sensitive field-effect transistor (ISFET) (100) having nanostructures (109) for sensing ions and measuring ion concentration in solutions. In general, the base layer (101) at the sensing region of the ISFET (100) is etched to form the nanostructures (109). Each of the nanostructures (109) has a diameter of less than 100nm, and the nanostructures (109) have a distance of less than 100nm from each other. The nanostructures (109) are nanopillars with cylindrical shape, needle-like shape, or a combination thereof. Due to all these particular features, the surface area of the ISFET (100) that is exposed to ions is increased, and therefore the sensitivity and efficiency of the ISFET (100) are improved. Also disclosed herein is a fabrication method thereof.

Abstract translation: 本文公开了具有用于感测离子和测量溶液中的离子浓度的纳米结构（109）的离子敏感场效应晶体管（ISFET）（100）。 通常，在ISFET（100）的感测区域处的基底层（101）被蚀刻以形成纳米结构（109）。 每个纳米结构（109）具有小于100nm的直径，并且纳米结构（109）彼此之间的距离小于100nm。 纳米结构（109）是具有圆柱形，针状或其组合的纳米柱。 由于所有这些特定的特征，暴露于离子的ISFET（100）的表面积增加，因此提高了ISFET（100）的灵敏度和效率。 这里也公开了其制造方法。

公开(公告)号：WO2015170958A1

公开(公告)日：2015-11-12

申请号：PCT/MY2015/000026

申请日：2015-04-29

Applicant: MIMOS BERHAD

Inventor： LEE, Hing Wah ,  BIEN, Daniel Chia Sheng ,  ABD WAHID, Khairul Anuar ,  ATAN@MOHAM, Khairom Nizam ,  ZAKARIA, Anifah

IPC: H01L21/027

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81C2201/0153 ,  B81C2201/0159 ,  H01L51/0023

Abstract: The present invention provides an etch-free method for conductive electrode formation. The method comprises depositing an insulating layer (104) on a substrate (102), spin coating a first polymer layer (106) on the substrate (102), patterning the first polymer layer (106) by photo-lithography and depositing a conductive metal layer by physical deposition to form a top metallic layer (108) and a bottom metallic layer (110).

Abstract translation: 本发明提供了一种用于导电电极形成的无蚀刻方法。 该方法包括在衬底（102）上沉积绝缘层（104），在衬底（102）上旋涂第一聚合物层（106），通过光刻法图案化第一聚合物层（106）并沉积导电金属 层，通过物理沉积形成顶部金属层（108）和底部金属层（110）。

公开(公告)号：WO2015076659A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：PCT/MY2014/000114

申请日：2014-05-26

Applicant: MIMOS BERHAD

Inventor： BIEN, Daniel Chia Sheng ,  LEE, Wai Yee ,  LEE, Hing Wah ,  ABD WAHID, Khairul Anuar

IPC: H01L51/10 ,  C01B31/02 ,  H01L29/16 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L51/44

CPC classification number: H01L51/0017 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  H01L29/1606 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/102 ,  H01L51/441

Abstract: The present invention relates to a method of forming a device, more particularly the present invention relates to a method of forming a graphene device by effectively transferring a graphene layer comprising the steps of providing at least a first material (11) layer, depositing at least a second material (12) layer on said at least a first material (11) layer, and depositing at least a catalyst layer (21) on said at least a second material (12) layer for forming nanostructures (22), etching said at least a first material (11) layer, and transferring remaining layers of said at least a second material (12) layer with nanostructures (22) onto at least a substrate (13).

Abstract translation: 本发明涉及一种形成装置的方法，更具体地说，本发明涉及一种通过有效地转移石墨烯层来形成石墨烯装置的方法，包括以下步骤：提供至少第一材料层（11），至少沉积 在所述至少第一材料（11）层上的第二材料层（12），以及在所述至少第二材料层（12）上至少沉积催化剂层（21）以形成纳米结构（22）， 至少第一材料层（11），并将所述至少第二材料层（12）的剩余层与纳米结构（22）转移到至少一个基板（13）上。

公开(公告)号：WO2014088405A1

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：PCT/MY2013/000227

申请日：2013-12-03

Applicant: MIMOS BERHAD

Inventor： LEE, Wai Yee ,  BIEN, Daniel Chia Sheng ,  TEH, Aun Shih ,  ABD WAHID, Khairul Anuar

IPC: H01L21/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653

Abstract: A method of producing vertical nanowires using single catalyst material is provided, the method includes the steps of depositing an insulating oxide or nitride layer (101) on a substrate surface, depositing a gold catalyst layer (103) on top of the insulating oxide or nitride layer (101), annealing the substrate with the gold catalyst layer at temperature above 350°C, such that nanoparticles are formed of a diameter in the range of 1 to 100 nm, growing zinc oxide nanowires from the exposed gold catalyst nanoparticles by chemical vapour deposition (CVD) with diethylzinc as a precursor, and growing silicon nanowires from the remaining gold catalyst nanoparticles with silicon as precursor, such that vertical type zinc oxide nanowires are produced and laterally connected by silicon nanowires wherein the insulating oxide or nitride layer (101) is not required when the substrate is an insulative material.

Abstract translation: 提供了使用单一催化剂材料制造垂直纳米线的方法，该方法包括以下步骤：在衬底表面上沉积绝缘氧化物或氮化物层（101），在绝缘氧化物或氮化物的顶部上沉积金催化剂层（103） 层（101），在高于350℃的温度下用金催化剂层退火衬底，使得形成直径在1至100nm范围内的纳米颗粒，通过化学气相从暴露的金催化剂纳米颗粒生长氧化锌纳米线 用二乙基锌作为前体沉积（CVD），并从剩余的金催化剂纳米颗粒中以硅为前体生长硅纳米线，使得垂直型氧化锌纳米线产生并通过硅纳米线横向连接，其中绝缘氧化物或氮化物层（101） 当衬底是绝缘材料时不需要。

公开(公告)号：WO2014209098A1

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：PCT/MY2014/000088

申请日：2014-04-30

Applicant: MIMOS BERHAD

Inventor： BIEN, Daniel Chia Sheng ,  LEE, Hing Wah ,  NABIPOOR, Mohsen ,  ABD WAHID, Khairul Anuar ,  EMBONG, Saat Shukri

IPC: G01N27/07 ,  G01N27/22 ,  G01N27/30 ,  H01L21/027 ,  H01L29/786

CPC classification number: G01N27/226

Abstract: Described herein is a metal electrode (100) having at least one high aspect ratio structure. The metal electrode (100) comprises a silicon layer (101) having the high aspect ratio structure, an oxide layer (102) on top of the silicon layer (101), an adhesive layer (103) on top of the oxide layer (102), and a metal layer (104) on top of the adhesive layer (103). The thickness of the metal layer (104) is at least 15 times lesser than the height of the high aspect ratio structure. Due to this particular feature, the metal layer (104) is deposited on top of the adhesive layer (103) in a self-aligned manner, taking the shape of the high aspect ratio structure, and disconnected at the wall of the high aspect ratio structure. Further, the metal electrode (100) can be modified accordingly to suit different applications. Also described herein is a method for fabricating the aforementioned metal electrode (100).

Abstract translation: 这里描述的是具有至少一个高纵横比结构的金属电极（100）。 金属电极（100）包括具有高纵横比结构的硅层（101），在硅层（101）的顶部上的氧化物层（102），在氧化物层（102）的顶部上的粘合剂层 ）和在粘合剂层（103）的顶部上的金属层（104）。 金属层（104）的厚度比高纵横比结构的高度小至少15倍。 由于这个特殊特征，金属层（104）以自对准的方式沉积在粘合剂层（103）的顶部上，采用高纵横比结构的形状，并且在高纵横比的壁处断开 结构体。 此外，可以相应地修改金属电极（100）以适应不同的应用。 这里也描述了制造上述金属电极（100）的方法。

公开(公告)号：WO2014088403A1

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：PCT/MY2013/000225

申请日：2013-12-03

Applicant: MIMOS BERHAD

Inventor： BIEN, Daniel Chia Sheng ,  TEH, Aun Shih ,  LEE, Hing Wah ,  LEE, Wai Yee ,  ABD WAHID, Khairul Anuar

IPC: G01N27/12 ,  B82Y15/00

CPC classification number: G01N27/127 ,  B82Y15/00 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02653

Abstract: A resistive gas sensor device, wherein the gas sensor device operates based on changes in electrical resistivity using nanomaterials interconnectable by conductive bridge electrodes between contact electrodes.

Abstract translation: 一种电阻式气体传感器装置，其中所述气体传感器装置基于使用可由接触电极之间的导电桥接电极互连的纳米材料的电阻率变化来操作。