Abstract:
A semiconductor device (10) comprises a substrate body (11), an environmental sensor (12), a cap body (13) and a volume of gas (14). The environmental sensor (12) and the volume of gas (14) are arranged between the substrate body (11) and the cap body (13) in a vertical direction (z) which is perpendicular to the main plane of extension of the substrate body (11), and at least one channel (15) between the substrate body (11) and the cap body (13) connects the volume of gas (14) with the environment of the semiconductor device (10) such that the channel (15) is permeable for gases.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein mikromechanisches Bauteil für eine Drucksensorvorrichtung mit einer an einem Substrat (10) aufgespannten und mittels eines Druckunterschieds zwischen einer ersten Substratseite des Substrats (10) und einer zweiten Substratseite des Substrats (10) verwölbbaren Membran (12), und einer Wippenstruktur (14) welche derart mit der Membran (12) verbunden ist, dass die Wippenstruktur (14) mittels einer Verwölbung der Membran (12) um eine erste Drehachse (16) verstellbar ist, wobei die Wippenstruktur (14) über eine Hebelstruktur (18) derart mit der Membran (12) verbunden ist, dass die Verwölbung der Membran (12) eine Drehbewegung der Hebelstruktur (18) um eine parallel zu der ersten Drehachse (16) ausgerichtete und davon beabstandete zweite Drehachse (20) auslöst und die Drehbewegung der Hebelstruktur (18) um die zweite Drehachse (20) eine weitere Drehbewegung der Wippenstruktur (18) um die erste Drehachse (16) auslöst. Des Weiteren betrifft die Erfindung eine Drucksensorvorrichtung und ein Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil für eine Drucksensorvorrichtung.
Abstract:
A sensor assembly for being mounted on a circuit board (CB) comprises an interposer (I) with at least one opening (01, 02, 03, 04) extending between a first and a second main surface (MS1, MS2) of the interposer (I). The interposer (I) comprises at least two stress decoupling elements, each comprising a flexible structure (F1, F2, F3, F4) formed by a respective portion of the interposer (I) being partially enclosed by one of the at least one opening (01, 02, 03, 04). A sensor die (S) is connected to the flexible structures (F1, F2, F3, F4) on the first main surface (MS1). At least two board connection elements (SB) are arranged on the first main surface (MSI) and adapted for connecting the assembly to the circuit board (CB).
Abstract:
The method for drawing a fiber with a textured surface comprises the following steps: - forming of a preform from which the fiber is to be drawn with a textured surface; - addition of an outer layer to the textured preform to preserve the shape of the texture of the preform surface during the drawing operation; - drawing of a fiber from the preform, whereby the fiber keeps the formed texture of the preform surface and - removing the additional outer layer to leave the original surface textured fiber exposed. The obtained fiber can be used as a mold to form a textured hollow channel in another material, as a surface coating and as a pressure detector.
Abstract:
Es ist ein MEMS-Sensor zur messtechnischen Erfassung einer Messgröße mit verbesserter Überlastfestigkeit beschrieben, der mehrere aufeinander angeordnete Lagen (1, 3, 5), insb. Siliziumlagen, umfasst, dessen Lagen (1, 3, 5) mindestens eine innere Lage (5) umfassen, die zwischen einer ersten Lage (1 ) und einer zweiten Lage (3) angeordnet ist, und in dessen inneren Lage (5) mindestens eine senkrecht zur Ebene der inneren Lage (5) durch die innere Lage (5) hindurch verlaufende Ausnehmung (7) vorgesehen ist, an die außenseitlich zumindest abschnittweise ein ein Verbindungselement (9) bildender Bereich der inneren Lage (5) angrenzt, der mit der ersten Lage (1 ) und der zweiten Lage (3) verbundenen ist, der sich dadurch auszeichnet, dass eine die Ausnehmung (7) außenseitlich zumindest abschnittweise begrenzende Mantelfläche (11) des Verbindungselements (9) in einem der erste Lage (1) zugewandten Endbereich eine die Querschnittsfläche der Ausnehmung (7) in Richtung der ersten Lage (1 ) verkleinernde, abgerundete Formgebung aufweist, und in einem der zweiten Lage (3) zugewandten Endbereich eine die Querschnittsfläche der Ausnehmung (7) in Richtung der zweiten Lage (3) verkleinernde, abgerundete Formgebung aufweist.
Abstract:
Die Erfindung schafft eine mikroelektronische Bauelementanordnung mit einer Mehrzahl von Substraten und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Die mikroelektronische Bauelementanordnung mit einer Mehrzahl von Substraten umfasst ein erstes Substrat (C1), welches als Schaltungssubstrat mit einem ersten Integrationsgrad ausgebildet ist, ein zweites Substrat (C2), welches als Schaltungssubstrat mit einem zweiten Integrationsgrad ausgebildet ist und ein drittes Substrat (C3), welches als MEMS-Sensorsubstrat ausgebildet ist und auf das zweite Substrat (C2) gebondet ist. Zweites und drittes Substrat sind auf das erste Substrat (C1) gebondet. Der erste Integrationsgrad ist wesentlich größer als der zweite Integrationsgrad.
Abstract:
Eine Bauteilanordnung (1), umfasst: ein erstes Bauteil (10), welches eine erste Fügefläche (11) aufweist und ein zweites Bauteil (20), welches eine zweite Fügefläche (21) aufweist, wobei die erste Fügefläche (11) mit der zweiten Fügefläche (21) unter Verwendung eines integrierten reaktiven Materialsystems (30) mit einander verbunden ist, wobei das integrierte reaktiven Materialsystem mindestens eine Beschichtung mindestens einer der Fügeflächen (11) umfasst, wobei das integrierte reaktiven Materialsystem einen Aktivierungsbereich (33) auf einer Oberfläche umfasst, wobei der Aktivierungsbereich (33) außerhalb miteinander gefügter Bereiche der ersten bzw. zweiten Fügefläche angeordnet ist und an die miteinander gefügten Bereiche angrenzt.
Abstract:
Die Erfindung schafft eine mikromechanische Drucksensorvorrichtung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Die mikromechanische Drucksensorvorrichtung umfasst einen ASIC-Wafer (1) mit einer Vorderseite (VS) und einer Rückseite (RS), eine auf der Vorderseite (VS) gebildeten Umverdrahtungseinrichtung (1a) mit einer Mehrzahl von Leiterbahnebenen (LB0, LB1, LB2) und dazwischenliegenden Isolationsschichten (I), eine über einer obersten Leiterbahnebene (LB0) der Mehrzahl von Leiterbahnebenen (LB0, LB1, LB2) gebildeten strukturierten Isolationsschicht (6), eine auf der Isolationsschicht (6) gebildeten mikromechanischen Funktionsschicht (2; 2"), welche einen mit Druck beaufschlagbaren Membranbereich (M; Μ'; M") über einer Aussparung (A1; A1 ") der Isolationsschicht (6) als eine erste Druckdetektionselektrode aufweist, und eine in der obersten Leiterbahnebene (LB0) beanstandet vom Membranbereich (M; M'; M") in der Aussparung (A1; A1") gebildeten zweiten Druckdetektionselektrode (7; 7"), welche vom Membranbereich (M; Μ'; M") elektrisch isoliert ist. Der Membranbereich (M; Μ'; M") ist durch ein oder mehrere erste Kontaktstöpsel (P1, P2; P1", P2") mit der obersten Leiterbahnebene (LB0) elektrisch verbunden, welche durch den Membranbereich (M; Μ'; M") und durch die Isolationsschicht (6) geführt sind.
Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines mikroelektromechanischen Wandlers, das die folgenden Schritte aufweist: -Herstellen einer Vielzahl von mikroelektromechanischen Wandlern (1) auf einem einzigen Wafer (13), wobei jeder Wandler (1) eine Membran (3) aufweist, -Aufteilen des Wafers (13) in zumindest einen ersten und einen zweiten Bereich (14, 15), -Feststellen der mechanischen Spannungen einer Stichprobe (18) von Membranen (3) des ersten Bereichs (14) und Vergleich mit einem vorgegebenen Soll-Wert, -Feststellen der mechanischen Spannungen einer Stichprobe (18) von Membranen (3) des zweiten Bereichs (14) und Vergleich mit dem vorgegebenen Soll-Wert, -Anpassen der Spannungen der Membranen (3) in dem ersten Bereich (14) an den vorgegebenen Soll-Wert, und -Anpassen der Spannungen der Membranen (3) in dem zweiten Bereich (15) an den vorgegebenen Soll-Wert.
Abstract:
A microelectromechanical pressure sensor structure that comprises a planar base and side walls and a diaphragm plate. The side walls extend circumferentially away from the planar base to a top surface of the side walls. The planar base, the side walls and the diaphragm plate are attached to each other to form a hermetically closed gap in a reference pressure, and a top edge of the inner surfaces of the side walls forms a periphery of a diaphragm. The diaphragm plate comprises one or more planar material layers of which a first planar material layer spans over the periphery of the diaphragm. The top surface of the side walls comprises at least one isolation area that is not covered by the first planar material layer.