公开(公告)号：WO2015084155A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：PCT/MY2014/000201

申请日：2014-06-30

Applicant: MIMOS BERHAD

Inventor： MOHD ROFEI, Mat Hussin ,  SHARAIFAH KAMARIAH, Wan Sabl

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/872 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L29/8725 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66143

Abstract: The method comprises forming a trench structure (100), forming a gate electrode inside the trench through gate oxidation (200); forming a polysilicon gate (300); forming a pre-metal dielectric layer (400); forming a polysilicon recess (1000) in the polysilicon gate; depositing a transitional metal layer (450); forming metal silicide layer (500) through rapid thermal annealing; conducting chemical cleaning to remove unreacted metallic layer on the gate oxide (2000) and conducting second thermal rapid annealing (3000).

Abstract translation: 该方法包括形成沟槽结构（100），通过栅极氧化在沟槽内形成栅电极（200）; 形成多晶硅栅极（300）; 形成预金属介电层（400）; 在多晶硅栅中形成多晶硅凹槽（1000）; 沉积过渡金属层（450）; 通过快速热退火形成金属硅化物层（500）; 进行化学清洗以去除栅极氧化物上的未反应的金属层（2000）并进行第二次热快速退火（3000）。