公开(公告)号：WO2012088526A8

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：PCT/US2011067252

申请日：2011-12-23

申请人： OREGON STATE ,  KESZLER DOUGLAS A ,  JIANG KAI ,  ANDERSON JEREMY

发明人： KESZLER DOUGLAS A ,  JIANG KAI ,  ANDERSON JEREMY

IPC分类号： C01G25/04 ,  C01G25/02 ,  C01G27/02 ,  C01G27/04 ,  H01L51/05

CPC分类号： G03F7/0042 ,  C01G25/02 ,  C01G27/02 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/40 ,  H01B1/08 ,  H01L51/0023

摘要： Embodiments of a method for synthesizing aqueous precursors comprising Hf4+ or Zr4+ cations, peroxide, and a monoprotic acid are disclosed. The aqueous precursors are suitable for making HfO2 and ZrO2 thin films, which subsequently can be patterned. The disclosed thin films are dense and continuous, with a surface roughness of = 0.5 nm and a refractive index of 1.85-2.0 at ? = 550 nm. Some embodiments of the disclosed thin films have a leakage-current density = 20 nA/cm2 at 1 MV/cm, with a dielectric breakdown = 3 MV/cm. The thin films can be patterned with radiation to form dense lines and space patterns.

摘要翻译： 公开了用于合成包含Hf4 +或Zr4 +阳离子，过氧化物和一元酸的水性前体的方法的实施方案。 水性前体适用于制造HfO2和ZrO2薄膜，随后可以将其图案化。 所公开的薄膜致密且连续，表面粗糙度= 0.5nm，折射率为1.85-2.0atm。 = 550nm。 所公开的薄膜的一些实施例在1MV / cm处具有漏电流密度= 20nA / cm 2，绝缘击穿= 3MV / cm。 薄膜可以用辐射形成图案以形成密集的线条和空间图案。

公开(公告)号：WO2012088526A3

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：PCT/US2011067252

申请日：2011-12-23

申请人： OREGON STATE ,  KERSZLER DOUGLAS A ,  JIANG KAI ,  ANDERSON JEREMY

发明人： KERSZLER DOUGLAS A ,  JIANG KAI ,  ANDERSON JEREMY

IPC分类号： C01G25/04 ,  C01G25/02 ,  C01G27/02 ,  C01G27/04 ,  H01L51/05

CPC分类号： G03F7/0042 ,  C01G25/02 ,  C01G27/02 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/40 ,  H01B1/08 ,  H01L51/0023

摘要： Embodiments of a method for synthesizing aqueous precursors comprising Hf4+ or Zr4+ cations, peroxide, and a monoprotic acid are disclosed. The aqueous precursors are suitable for making HfO2 and ZrO2 thin films, which subsequently can be patterned. The disclosed thin films are dense and continuous, with a surface roughness of = 0.5 nm and a refractive index of 1.85-2.0 at ? = 550 nm. Some embodiments of the disclosed thin films have a leakage-current density = 20 nA/cm2 at 1 MV/cm, with a dielectric breakdown = 3 MV/cm. The thin films can be patterned with radiation to form dense lines and space patterns.

摘要翻译： 公开了用于合成含Hf4 +或Zr4 +阳离子，过氧化物和单质酸的含水前体的方法的实施方案。 水性前体适于制备HfO 2和ZrO 2薄膜，其随后可以被图案化。 所公开的薄膜是致密且连续的，表面粗糙度为0.5nm，折射率为1.85-2.0， = 550nm。 所公开的薄膜的一些实施例具有1MV / cm 2的漏电流密度= 20nA / cm 2，介质击穿= 3MV / cm。 薄膜可以用辐射图案化以形成密集的线和空间图案。