公开(公告)号：WO2015172961A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：PCT/EP2015/058183

申请日：2015-04-15

Applicant: OSRAM OLED GMBH

Inventor： POPP, Michael ,  INGLE, Andrew ,  KEFES, Christoph ,  ROSENBERGER, Johannes ,  DECHAND, Stefan ,  HOEFLING, Egbert ,  KRUMMACHER, Benjamin, Claus

IPC: H01B3/40 ,  C08K5/101 ,  C08K5/17 ,  C08L63/00 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/5237 ,  C08G59/50 ,  C08G59/5006 ,  C08G59/5033 ,  C08K5/101 ,  H01B3/40 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3283 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5392 ,  C08L63/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Isolatorschicht angegeben. Dieses umfasst folgende Verfahrensschritte: A) Bereitstellen eines Precursors, der eine Mischung einer ersten, einer zweiten und einer dritten Komponente umfasst, wobei - die erste Komponente eine Verbindung der allgemeinen Formel IA umfasst, wobei R 1 und R 2 unabhängig voneinander aus einer Gruppe auswählt sind, die Wasserstoff und Alkylreste umfasst und n = 1 bis 10000; die zweite Komponente eine Verbindung der allgemeinen Formel IIA umfasst, wobei R 3 für einen Alkylrest steht, und die dritte Komponente zumindest eine Aminverbindung umfasst B) Aufbringen des Precursors auf ein Substrat; C) Aushärten des Precursors zur Bildung der Isolatorschicht.

Abstract translation: 提供了一种用于绝缘体层的制备方法。 这包括以下方法步骤：a）提供包含第一，第二和第三组分的混合物的前体，其中 - 所述第一部件包括通式IA，其中R1和R2选择独立地选自下组的化合物 包括氢和烷基，且n = 1至10,000; 第二组分包含通式IIA化合物，其中R 3是烷基，和第三组分，至少一种胺化合物包括B）将所述前体到衬底上; C）固化所述前体以形成所述绝缘层。