公开(公告)号：WO2018048682A1

公开(公告)日：2018-03-15

申请号：PCT/US2017/049228

申请日：2017-08-29

申请人： SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.

发明人： SHENG, Bin ,  ZHOU, Yao ,  WANG, Tao ,  QIAN, Xiaozhou ,  GUO, Lu ,  BAI, Ning

IPC分类号： G11C14/00 ,  G11C11/00 ,  G11C11/16 ,  G11C15/00 ,  G11C16/06

摘要： The present invention relates to an improved sense amplifier for reading values in flash memory cells in an array. In one embodiment, a sense amplifier comprises an improved pre- charge circuit for pre-charging a bit line during a pre-charge period to increase the speed of read operations. In another embodiment, a sense amplifier comprises simplified address decoding circuitry to increase the speed of read operations.

摘要翻译： 本发明涉及用于读取阵列中的闪存单元中的值的改进的读出放大器。 在一个实施例中，读出放大器包括改进的预充电电路，用于在预充电时段期间对位线进行预充电以增加读取操作的速度。 在另一个实施例中，读出放大器包括简化的地址解码电路以提高读取操作的速度。

公开(公告)号：WO2016014164A1

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：PCT/US2015/035214

申请日：2015-06-10

申请人： SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.

发明人： QIAN, Xiaozhou ,  ZHOU, Yao ,  SHENG, Bin ,  PENG, Jiaxu ,  ZHU, Yaohua

IPC分类号： G11C7/10 ,  G11C7/12 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C16/30 ,  G11C16/34 ,  G11C5/14 ,  G11C7/04 ,  G11C29/02

CPC分类号： G11C16/24 ,  G11C5/145 ,  G11C5/147 ,  G11C7/04 ,  G11C7/1048 ,  G11C7/12 ,  G11C16/12 ,  G11C16/26 ,  G11C16/30 ,  G11C16/3418 ,  G11C29/028

摘要： A bitline regulator for use in a high speed flash memory system is disclosed. The bitline regulator is responsive to a set of trim bits that are generated by comparing the bias voltage of a bitline to a reference voltage.

摘要翻译： 公开了一种用于高速闪存系统的位线调节器。 位线调节器响应于通过将位线的偏置电压与参考电压进行比较而产生的一组修整位。

公开(公告)号：WO2014139138A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：PCT/CN2013/072666

申请日：2013-03-15

申请人： SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC

发明人： ZHOU, Yao ,  YUE, Kaiman ,  QIAN, Xiaozhou ,  SHENG, Bin

IPC分类号： G11C7/08 ,  G11C7/22

CPC分类号： G11C16/28 ,  G11C7/08 ,  G11C7/227 ,  G11C8/18 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C16/32

摘要： A self-timer for a sense amplifier in a memory device is disclosed.

摘要翻译： 公开了一种用于存储器件中的读出放大器的自拍器。