公开(公告)号：WO2017153787A1

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：PCT/GB2017/050682

申请日：2017-03-13

申请人： THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD

发明人： MADATHIL, Sankara Narayanan Ekkanath ,  UNNI, Vineet

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/20

摘要： A normally-off transistor comprising a first layer (102) of semiconductor material, a second layer (104) of semiconductor material comprising first (106) and second (108) regions and a third region (110) between the first and second region, a source electrode (130) connected to the first region (104) and a drain electrode (132) connected to the second region (108), and a gate electrode (134) located over the third region (110), wherein the first (104) and second (108) regions are of a material arranged to form a polarization having a first polarity at the interface (114, 116) between the first and second regions and the first semiconductor layer (102), and the third region (110) is of a material arranged to form a polarization having a second polarity opposite to the first polarity at the interface (118) between the third region and the first semiconductor layer of opposite polarity.

摘要翻译： 包括半导体材料的第一层（102），包括第一（106）和第二（108）区域的半导体材料的第二层（104）以及第三区域（110）的常关晶体管 ），连接到第一区域（104）的源电极（130）和连接到第二区域（108）的漏电极（132）;以及位于第三区域之上的栅电极（134） （110），其中所述第一区域（104）和所述第二区域（108）是被布置成在所述第一区域和第二区域与所述第一半导体层（102）之间的界面（114,116）处形成具有第一极性的偏振的材料 ），并且第三区域（110）是用于在第三区域和极性相反的第一半导体层之间的界面（118）处形成具有与第一极性相反的第二极性的极化的材料。