摘要:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur kostengünstigen und umweltschonenden Herstellung von Dialkylindiumchlorid in hoher Ausbeute sowie mit hoher Selektivität und Reinheit. Das erfindungsgemäß hergestellte Dialkylindiumchlorid eignet sich, auch aufgrund der hohen Reinheit und Ausbeute, besonders zur bedarfsgerechten Herstellung Indium-haltiger Präkursoren mit hoher Ausbeute und Selektivität und in hoher Reinheit. Die erhältlichen Indium-haltigen Präkursoren sind aufgrund der hohen Reinheit besonders geeignet für die metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD; metal organic chemical vapour deposition) oder die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE; metal organic chemical vapor phase epitaxy). Das erfindungsgemäße neue Verfahren zeichnet sich durch die verbesserte Verfahrensführung aus, insbesondere eine schnelle Prozessführung. Durch gezielte und weitgehende Verwendung kostengünstiger und gering umweltschädlicher Ausgangsstoffe ist das Verfahren auch für den industriellen Maßstab geeignet.
摘要:
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Verbindung der Formel MXn aus einer Vorläuferverbindung der Formel MX m , wobei M ein Metall ist, X ein Halogenid ist, ausgewählt ist aus F, Cl, Br, J, m ausgewählt ist aus einer Zahl von 2 bis 8, und n ausgewählt ist aus einer Zahl von 1 bis 7, mit der Maßgabe, dass n n reduziert wird.
摘要:
Es werden Metallkomplexeder Formel (I) beschrieben: [M(L 1 )x(L 2 ) y (hydra)z] n Formel (I) wobei: M=Metallatom mit einer Ordnungszahl ausgewählt aus den Bereichen a) bis c): a)12, 21 bis 34, mit Ausnahme von 30, b)39 bis 52, mit Ausnahme von 48, c)71 bis 83, mit Ausnahme von 80, L 1 =neutraler oder anionischer Ligand, mit x = 0 oder 1,1 L 2 =neutraler oder anionischer Ligand, mit y = 0 oder 1, (hydra) =Acetondimethylhydrazon-Monoanion, mit z = 1, 2 oder 3, n = 1 oder 2 ist, und die Gesamtladung des Komplexes 0 ist.
摘要:
The present patent application relates to new metal complexes having at least one N-aminoguanidinate ligand. The patent application further relates to the preparation of the new metal complexes and also to their use. The new metal complexes are especially suitable as precursors for the preparation of functional layers by means of gas-phase thin-film processes such as CVD, MO-CVD, MOVPE and ALD. Additionally, they are also suitable as catalysts for olefin hydroamination and for olefin polymerization.
摘要:
Die Erfindung betrifft ein verbessertes Verfahren zur kostengünstigen und umweltschonenden Herstellung von Trialkylgallium-Verbindungen der allgemeinen Formel : R 3 Ga mit hoher Ausbeute und Selektivität, wobei R ein Alkylrest mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen ist. Die Herstellung von Trialkylgallium erfolgt erfindungsgemäß über die Zwischenstufe Alkylgalliumdichlorid (RGaCI 2 ) bzw. Dialkylgalliumchlorid/Alkylgalliumdichlorid-Mischung (R 2 GaCI/RGaCl 2 ). Erfindungsgemäß ist auch das hergestellte RGaCI 2 bzw. die R 2 GaCI/RGaCl 2 -Mischung. Das erfindungsgemäße neue Verfahren zeichnet sich durch die verbesserte Verfahrensführung aus. Durch gezielte und weitgehende Verwendung kostengünstiger und gering umweltschädlicher Ausgangsstoffe und Reagenzien ist das Verfahren auch für den industriellen Maßstab geeignet. Die hergestellten Trialkylgallium-Verbindungen sind aufgrund der hohen Reinheit besonders geeignet als metallorganischer Präkursor für die metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) oder die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) in der Halbleiter- und Mikrosystemtechnik.
摘要:
Die Erfindung betrifft eine zweistufige Synthese zur Herstellung von Bis {tertbutylimido)bis(dialkylamido)wolfram-Verbindungen gemäß der allgemeinen Formel [W(N t Bu) 2 (NR A R B ) 2] (I) betrifft, ausgehend von [W(N t Bu) 2 (NH t Bu) 2] , Die Erfindung betrifft weiterhin Verbindungen gemäß der allgemeinen Formel [W(N t Bu) 2 (NR A R B ) 2] (I), erhältlich nach dem beanspruchten Verfahren, Verbindungen gemäß der allgemeinen Formel [W(N t Bu) 2 (NR A R B ) 2] (I), mit Ausnahme von [W(N t Bu) 2 (NMe 2)2] und [W(N t Bu) 2 (NE t Me) 2] , die Verwendung einer Verbindung [W(N t Bu) 2 (NR A R B ) 2] (I) sowie ein Substrat, welches auf einer Oberfläche eine Wolfram-Schicht oder eine Wolfram enthaltende Schicht aufweist. Mit dem beschriebenen Verfahren sind definierte Bis {tertbutylimido)bis(dialkylamido)wolfram-Verbindungen des Typs [W(N t Bu) 2 (NR A R B ) 2] (I) auf einfache, kostengünstige und reproduzierbare Weise in hoher Reinheit und guten Ausbeuten darstellbar. Sie eignen sich aufgrund ihrer hohen Reinheit als Präkursoren zur Herstellung qualitativ hochwertiger Substrate, welche Wolfram-Schichten oder Wolfram enthaltende Schichten aufweisen.
摘要:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur kostengünstigen und umweltschonenden Herstellungvon Alkylindiumsesquichloridin hoher Ausbeutesowie mit hoher Selektivität und Reinheit. Das erfindungsgemäß hergestellte Alkylindiumsesquichlorideignet sich, auch aufgrund der hohen Reinheit und Ausbeute, besonders zur bedarfsgerechten Herstellung Indium-haltiger Präkursoren mit hoher Ausbeute und Selektivität und in hoher Reinheit. Die erhältlichen Indium-haltigen Präkursoren sind aufgrund der hohen Reinheit besonders geeignet für die metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD; metal organic chemical vapour deposition) oder die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE; metal organic chemical vapor phase epitaxy). Das erfindungsgemäße neue Verfahren zeichnet sich durch die verbesserte Verfahrensführung aus, insbesondereeine schnelle Prozessführung. Durch gezielte und weitgehende Verwendung kostengünstiger und gering umweltschädlicher Ausgangsstoffe ist das Verfahren auch für den industriellen Maßstab geeignet.
摘要:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Komplexen der Edelmetalle, insbesondere von Platin, welche wenigstens einen Organo-dihydroazulenyl-Liganden aufweisen. Gegenstand der Erfindung sind außerdem Komplexe der Edelmetalle, insbesondere von Platin, welche wenigstens einen Organo-dihydroazulenyl-Liganden aufweisen. Ferner betrifft die Erfindung die Verwendung der vorgenannten Metallkomplexe als Präkatalysatoren oder Katalysatoren in einer chemischen Reaktion oder als Präkursorverbindungen zur Herstellung einer Schicht, welche ein Edelmetall, insbesondere Platin enthält, oder einer Metallschicht bestehend aus einem Edelmetall, insbesondere Platin, insbesondere auf wenigstens einer Oberfläche eines Substrats. Außerdem ist Gegenstand der Erfindung ein Substrat, insbesondere erhältlich nach einem solchen Verfahren. Zudem ist Gegenstand der Erfindung eine vernetzbare Silikonzusammensetzung, umfassend wenigstens eine Verbindung mit aliphatischen Kohlenstoff-Kohlenstoff-Mehrfachbindungen, wenigstens eine Verbindung mit Si-gebundenen Wasserstoffatomen und wenigstens einen Platin(IV)-Komplex des vorgenannten Typs. Weiterhin betrifft die Erfindung neue Alkalimetall-organo-dihydroazulenide, welche zur Herstellung von Metallkomplexen, insbesondere des vorgenannten Typs, verwendbar sind.
摘要:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Verbindungen gemäß der allgemeinen Formel MAYn(AzuH) (I), wobei MA = Alkalimetall, Y = Neutralligand, n = 0, 1, 2, 10 3 oder 4. AzuH ist Azulen (Bicyclo[5.3.0]decapentaen) oder ein Azulenderivat, welches in 4-, 6- oder 8-Position zusätzlich zu einem H-Atom ein Hydrid-Anion H- trägt. Gegenstand der Erfindung sind zudem Verbindungen, erhältlich nach diesem Verfahren, sowie ein Verfahren unter Verwendung solcher Verbindungen zur Herstellung von Komplexen von Metallen der Gruppen 6 bis 12. Weiterhin betrifft die Erfindung Komplexe mittlerer und 15 später Übergangsmetalle (Gruppen 6 bis 12), welche jeweils wenigstens ein H-Dihydroazulenyl-Anion (AzuH)1- aufweisen, sowie die Verwendung aller vorgenannten Übergangsmetallkomplexe als Präkatalysatoren oder Katalysatoren oder Elektronentransfer-Reagenzien in einer chemischen Reaktion oder als Präkursorverbindungen zur Herstellung einer Schicht, welche ein Metall M enthält, oder 20 einer Metallschicht bestehend aus dem Metall M, insbesondere auf wenigstens einer Oberfläche eines Substrats. Außerdem ist Gegenstand der Erfindung ein Substrat, erhältlich nach einem solchen Verfahren. 25
摘要:
Es werden Rutheniumkomplexe der Formel (I) beschrieben: [(aren)RuXL] Formel (I) wobei der Rutheniumkomplex folgende Liganden aufweist: (aren) Aren, das optional substituiert sein kann, X H oder C 1 -C 8 Kohlenwasserstoffrest, und L R 2 N-CR 1 =NR 3 , wobei R1 ausgewählt ist aus H, C 1 -C 8 Kohlenwasserstoffrest, der optional substituiert sein kann, und -NR 4 R 5 , wobei R 4 und R 5 unabhängig voneinander ausgewählt sind aus H und C 1 -C 8 Kohlenwasserstoffresten, die optional substituiert sein können, R 2 und R 3 unabhängig voneinander ausgewählt sind aus C 1 -C 8 Kohlenwasserstoffresten, die optional substituiert sein können, wobei R2 und R3 gleich oder verschieden voneinander sind, und R 1 mit R 2 , R 1 mit R 3 und/oder R 2 mit R 3 direkt verknüpft sein kann.