公开(公告)号：WO2017222601A1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：PCT/US2017/014617

申请日：2017-01-23

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： SUN, Jennifer Y.

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/56

CPC classification number: C23C16/40 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/30 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32495

Abstract: Described herein is a method of depositing a plasma resistant ceramic coating onto a surface of a chamber component using a non-line-of-sight (NLOS) deposition process, such as atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD). The plasma resistant ceramic coating consists of an erbium containing oxide, an erbium containing oxy-fluoride, or an erbium containing fluoride. Also described are chamber components having a plasma resistant ceramic coating of an erbium containing oxide, an erbium containing oxy-fluoride, or an erbium containing fluoride.

Abstract translation: 本文描述了使用非视线（NLOS）沉积工艺（例如原子层沉积（ALD））将抗等离子体陶瓷涂层沉积到腔室部件的表面上的方法， 和化学气相沉积（CVD）。 耐等离子陶瓷涂层由含铒氧化物，含铒氧氟化物或含铒氟化物组成。 还描述了具有含铒氧化物，含铒氟氧化物或含铒氟化物的铒的抗等离子体陶瓷涂层的腔室部件。

公开(公告)号：WO2017115147A3

公开(公告)日：2017-08-10

申请号：PCT/IB2016001962

申请日：2016-12-16

Applicant: AIR LIQUIDE

Inventor： GIRARD JEAN-MARC ,  KO CHANGHEE ,  OSHCHEPKOV IVAN ,  YANAGITA KAZUTAKA ,  OKUBO SHINGO ,  NODA NAOTO ,  GATINEAU JULIEN

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: Disclosed are methods of depositing silicon-containing films on substrates via vapor deposition processes using penta-substituted disilanes, such as pentahalodisilane or pentakis(dimethylamino)disilane.

Abstract translation: 公开了通过使用五取代乙硅烷如五卤代乙硅烷或五（二甲基氨基）乙硅烷的气相沉积工艺在衬底上沉积含硅膜的方法。

公开(公告)号：WO2017115147A2

公开(公告)日：2017-07-06

申请号：PCT/IB2016/001962

申请日：2016-12-16

Applicant: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE

Inventor： GIRARD, Jean-Marc ,  KO, Changhee ,  OSHCHEPKOV, Ivan ,  YANAGITA, Kazutaka ,  OKUBO, Shingo ,  NODA, Naoto ,  GATINEAU, Julien

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: Disclosed are methods of depositing silicon-containing films on substrates via vapor deposition processes using penta-substituted disilanes, such as pentahalodisilane or pentakis(dimethylamino)disilane.

Abstract translation: 公开了使用五取代乙硅烷如五卤代乙硅烷或五（二甲基氨基）乙硅烷通过气相沉积法在基材上沉积含硅膜的方法。

公开(公告)号：WO2017115138A1

公开(公告)日：2017-07-06

申请号：PCT/IB2016/001940

申请日：2016-12-12

Applicant: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE

Inventor： GATINEAU, Satoko ,  KIMURA, Mikiko ,  DUSSARRAT, Christian ,  GIRARD, Jean-Marc ,  BLASCO, Nicolas

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  C07F9/00

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/42 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02697 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76898

Abstract: Cobalt-containing film forming compositions, their preparation, and their use for the vapor deposition of films are disclosed. The cobalt-containing film forming compositions comprise silylamide-containing precursors, particularly Co[N(SiMe 3 ) 2 ] 2 (NMe 2 Et) and/or Co[N(SiMe 3 ) 2 ] 2 (NMeEt 2 ).

Abstract translation: 公开了含钴膜形成组合物，其制备及其用于膜的气相沉积的用途。 含钴成膜组合物包含含有甲硅烷基酰胺的前体，特别是Co [N（SiMe 3）2] 2（NMe 3） Et（Et 2 Et）和/或Co [N（SiMe 3）2] 2（NMeEt 2 >）。

公开(公告)号：WO2017034855A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：PCT/US2016/047150

申请日：2016-08-16

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： LU, Xinliang ,  LEI, Pingyan ,  KAO, Chien-Teh ,  BALSEANU, Mihaela ,  XIA, Li-Qun ,  SRIRAM, Mandyam

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/285 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228

Abstract: Methods for the deposition of SiN films comprising sequential exposure of a substrate surface to a silicon halide precursor at a temperature greater than or equal to about 600°C and a nitrogen-containing reactant.

Abstract translation: 用于沉积SiN膜的方法包括在大于或等于约600℃的温度下将衬底表面顺序暴露于卤化硅前体和含氮反应物的方法。

公开(公告)号：WO2017018834A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：PCT/KR2016/008303

申请日：2016-07-28

Applicant: 한국표준과학연구원

Inventor： 강상우 ,  문지훈

IPC: C01B17/20 ,  C01G39/06

CPC classification number: C23C16/305 ,  C01B17/20 ,  C01G39/06 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/45555 ,  C23C16/52 ,  C30B25/16 ,  C30B25/186 ,  C30B29/46 ,  C30B29/64

Abstract: 본 발명은 2차원의 전이금속 디칼코지나이드의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 고균일 2차원 전이금속 디칼코지나이드 박막의 제조 방법에 관한 것이며, 보다 구체적으로는 500℃ 이하의 저온 조건에서 고균일 2차원 전이금속 디칼코지나이드 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 二维过渡金属二硫属元素化合物的制造方法技术领域本发明涉及一种二维过渡金属二硫属元素化合物的制造方法，具体涉及高均匀性二维过渡金属二硫属元素化薄膜的制造方法，更具体地说， 二维过渡金属二硫属元素薄膜在500℃以下的低温条件下。

公开(公告)号：WO2017007986A1

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：PCT/US2016/041435

申请日：2016-07-08

Applicant: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE ,  AMERICAN AIR LIQUIDE, INC. ,  FAFARD, Claudia ,  KUCHENBEISER, Glenn ,  PALLEM, Venkateswara R. ,  GIRARD, Jean-Marc ,  NODA, Naoto

Inventor： FAFARD, Claudia ,  KUCHENBEISER, Glenn ,  PALLEM, Venkateswara R. ,  GIRARD, Jean-Marc ,  NODA, Naoto

IPC: C23C16/42

CPC classification number: C23C16/42 ,  C07F7/10 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45553

Abstract: Disclosed are Si-containing film forming compositions comprising alkylamino-substituted halocarbosilane precursors, methods of synthesizing the same, and their use for vapor deposition processes.

Abstract translation: 公开了包含烷基氨基取代的卤代碳硅烷前体的含Si成膜组合物，其合成方法及其用于气相沉积工艺。

公开(公告)号：WO2016203887A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/JP2016/064573

申请日：2016-05-17

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 吉野　智晴 ,  遠津　正揮 ,  西田　章浩 ,  杉浦　奈奈

IPC: C07F13/00 ,  C07F15/04 ,  C07F15/06 ,  C23C16/18 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/18 ,  C07F13/00 ,  C07F13/005 ,  C07F15/04 ,  C07F15/045 ,  C07F15/06 ,  C07F15/065 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/285

Abstract: 本発明の新規化合物は、下記一般式（Ｉ）または（ＩＩ）で表されることを特徴とする： ［式中、Ｒ 1 及びＲ 2 は、各々独立に炭素原子数１～１２の炭化水素基を表し、該炭化水素基の水素原子はＳｉ（Ｒ 3 ） 3 で置換されている場合もある。ただし、Ｒ 1 とＲ 2 は、異なる基である。Ｒ 3 は、メチル基またはエチル基を表し、Ｍは、金属原子またはケイ素原子を表し、ｎは、１～４の整数を表す。］

Abstract translation: 该新型化合物的特征在于通式（I）或（II）表示。 [式中，R 1和R 2各自独立地表示碳原子数1〜12的烃基，烃基中的氢原子可以被Si（R 3）3取代，条件是R 1和R 2为不同的基团。 R 3表示甲基或乙基。 M表示金属原子或硅原子。 n表示1〜4的整数。]

公开(公告)号：WO2016201320A1

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：PCT/US2016/037013

申请日：2016-06-10

Applicant: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE ,  AIR LIQUIDE ADVANCED MATERIALS, LLC ,  GIRARD, Jean-Marc ,  ZHANG, Peng ,  SANCHEZ, Antonio ,  KHANDELWAL, Manish ,  ITOV, Gennadiy ,  PESARESI, Reno

Inventor： GIRARD, Jean-Marc ,  ZHANG, Peng ,  SANCHEZ, Antonio ,  KHANDELWAL, Manish ,  ITOV, Gennadiy ,  PESARESI, Reno

IPC: C07F7/02 ,  C01B21/088 ,  C01B21/087 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455

CPC classification number: C07F7/025 ,  C01B21/087 ,  C01B21/088 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/515

Abstract: ALD processes for forming the silicon and oxygen containing films using mono-substituted TSA precursors are disclosed. The mono-substituted TSA precursors have the formula: (SiH3)2N-SiH2-X, wherein X is a halogen atom or an amino group.

Abstract translation: 公开了使用单取代的TSA前体形成硅和含氧膜的ALD工艺。 单取代的TSA前体具有下式：（SiH 3）2 N-SiH 2 -X，其中X是卤素原子或氨基。

公开(公告)号：WO2016166986A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：PCT/JP2016/002037

申请日：2016-04-15

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 佐藤　尽 ,  加納　満

IPC: B32B9/00 ,  B32B37/02 ,  C23C14/08 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50

CPC classification number: B32B37/02 ,  B32B9/00 ,  B32B27/06 ,  B32B27/281 ,  B32B2255/205 ,  B32B2379/08 ,  B32B2457/14 ,  B32B2457/202 ,  B32B2553/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/45555 ,  C23C16/50

Abstract: ガスバリア性が高く、且つ、耐久性に優れた積層体を提供する。積層体（１）は、酸素原子または窒素原子を含む官能基を有する有機高分子材料よりなる基材（２）と、基材（２）に含まれる有機高分子の官能基に結合し、原子層堆積法により形成される機能層（３）と、機能層（３）を覆うように設けられ、遷移金属原子を含有するオーバーコート層（４）とを備える。基材（２）と機能層（３）との密着性に優れると共に、機能層（３）がオーバーコート層により保護されているため、高いガスバリア性と熱や湿度などの環境ストレスに対する優れた耐久性とを両立できる。

Abstract translation: 提供具有优异的阻气性和优异的耐久性的层压体。 该层叠体（1）包括：由具有氧原子或氮原子的官能团的有机高分子材料构成的基材（2） 与所述基板（2）中包含的有机聚合物的官能团结合并通过原子层沉积形成的功能层（3）; 以及设置成覆盖功能层（3）并且包括过渡金属原子的外涂层（4）。 由于基材（2）和功能层（3）之间的粘附性优异，功能层（3）被外涂层保护，所以可以实现优异的阻气性和优异的耐环境应力，例如 热和湿度。