公开(公告)号：WO2013124508A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：PCT/ES2013/070096

申请日：2013-02-18

Applicant: UNIVERSITAT POLITÈCNICA DE CATALUNYA

Inventor： ALTET SANAHUJES, Josep ,  GÓMEZ SALINAS, Dídac ,  MATEO PEÑA, Diego

IPC: G01K7/01 ,  G01K15/00

CPC classification number: G01K7/01 ,  G01K15/00

Abstract: La presente invención describe un circuito electrónico cuya magnitud eléctrica de salida depende de la diferencia de tensión de dos de los nodos de entrada del mismo así como de la diferencia de temperatura de dos de sus dispositivos internos. La figura 1 muestra el símbolo del circuito electrónico. Éste tiene como entradas eléctricas dos entradas en tensión (2) y (3) y dos entradas de alimentación (6) y (7), y como salida tiene un nodo (1). Además, tiene dos dispositivos internos (4) y (5) cuya diferencia de temperaturas influirá de forma directa en el valor de la magnitud eléctrica del nodo de salida. En el circuito de la presente invención la variación de la magnitud eléctrica de la salida (1) depende de la diferencia de tensión de los dos nodos de entrada (2) y (3) así como de la diferencia de temperaturas de los dispositivos internos (4) y (5).

Abstract translation: 本发明描述了一种电子电路，其电输出量级取决于所述电路的两个输入节点之间的电压差以及其两个内部装置之间的温度差。 图1显示了电子电路的符号。 所述电路具有两个电压输入（2）和（3）以及两个电源输入（6）和（7）作为电输入并具有一个节点（1）作为输出。 另外，所述电路具有两个内部器件（4）和（5），其中的温差将直接影响输出节点的电气量值。 在本发明的电路中，输出（1）的电气量的变化取决于两个输入节点（2）和（3）之间的电压差以及内部装置（4）之间的温差 ）和（5）。

公开(公告)号：WO2014080062A1

公开(公告)日：2014-05-30

申请号：PCT/ES2013/070810

申请日：2013-11-22

Applicant: UNIVERSITAT POLITÈCNICA DE CATALUNYA

Inventor： GOMEZ SALINAS, Didac ,  MATEO PEÑA, Diego ,  ALTET SANAHUJES, Josep

IPC: G01R29/08 ,  G01K1/20 ,  G01K7/00

CPC classification number: G01K3/14

Abstract: La presente invención describe un circuito electrónico orientado a ser integrado en un cristal semiconductor capaz de proporcionar una magnitud eléctrica a su salida dependiente de la diferencia de temperatura entre dos zonas de la superficie de dicho cristal semiconductor, y que presenta al mismo tiempo un gran rechazo a posibles interferencias térmicas provenientes de otras zonas del mismo cristal. La figura 1 muestra el símbolo del circuito electrónico. Éste tiene dos entradas de alimentación (5) y (6), y como salida tiene un nodo (1). Además, tiene diversos dispositivos internos, (2), (3) y (4) en la figura, las temperaturas de los cuales influirán de forma directa en el valor de la magnitud eléctrica del nodo de salida.

Abstract translation: 本发明涉及一种电子电路，其被设计成内置于半导体晶体中，该半导体晶体可以根据半导体晶体的表面的两个区域之间的温度差在其输出端提供电量，同时表现出高的电位抑制 同一晶体的其他区域的热干扰。 图1显示了电子电路的图形表示。 它有两个电源输入（5）和（6），一个节点（1）作为输出。 此外，该图示出了各种内部装置（2），（3）和（4），其温度直接影响输出节点的电幅值。

公开(公告)号：WO2009121988A4

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：PCT/ES2009/000178

申请日：2009-04-01

Applicant: UNIVERSITAT POLITÈCNICA DE CATALUNYA ,  ALTET SANAHUJES, Josep ,  MATEO PEÑA, Diego ,  ALDRETE VIDRIO, Héctor Eduardo

Inventor： ALTET SANAHUJES, Josep ,  MATEO PEÑA, Diego ,  ALDRETE VIDRIO, Héctor Eduardo

IPC: G01K7/20

Abstract: Procedimiento para la observación de la amplitud y fase de componentes espectrales del aumento de temperatura en regiones (3) de un circuito integrado (5) provocado por el funcionamiento de un circuito dispositivo (2) ubicado en el cristal semiconductor (1). Dicho circuito o dispositivo (2) se activa con una señal eléctrica (4) que contiene la suma de dos funciones sinusoidales de frecuencias f 1 y f 2. La frecuencia de la componente espectral de la temperatura medida e F=f 2- f 1. La temperatura sensada dependerá de las señales eléctricas (tensiones y corrientes) presentes en el circuito o dispositivo (2) a las frecuencias f 1 y f 2, pudiendo ser utilizada, sin que este ejemplo limite la aplicación de la presente, para detectar niveles anormalmente elevados de tensión y de corriente a estas frecuencias.

公开(公告)号：WO2013124507A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：PCT/ES2013/070095

申请日：2013-02-18

Applicant: UNIVERSITAT POLITÈCNICA DE CATALUNYA

Inventor： REVERTER CUBARSI, Ferran ,  ALTET SANAHUJES, Josep

IPC: G01K7/01

CPC classification number: G01K7/01

Abstract: La presente invención describe un circuito sensor para la medida de las variaciones de temperatura en pequeña señal a una frecuencia F provocadas por la potencia disipada por otro circuito, denominado circuito bajo medida, a la misma frecuencia F. El circuito sensor está compuesto por un transductor de temperatura acoplado térmicamente al circuito bajo medida a través del sustrato del mismo cristal semiconductor, un circuito de polarización y un filtro amplificador acoplado en alterna para eliminar los efectos de las variaciones lentas de temperatura. Por ejemplo, y sin que esta aplicación limite las reivindicaciones de la patente, la tensión de salida del circuito sensor, con una componente espectral a la frecuencia F amplificada, puede ser utilizada para determinar características eléctricas del circuito bajo medida sin necesidad de cargarlo eléctricamente.

Abstract translation: 本发明涉及一种传感器电路，用于测量由相同频率F被称为被测电路所消耗的功率所引起的频率F处的小信号温度变化。传感器电路由以下部分形成：温度 热耦合到通过半导体晶体的衬底测量的电路的换能器，偏置电路和AC耦合的放大器滤波器，以消除缓慢的温度变化的影响。 作为示例，但是在不限制专利权利要求的情况下，包括放大频率F的频谱分量的传感器电路的输出电压可用于确定被测电路的电特性，而不必必须 带电

公开(公告)号：WO2013121070A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：PCT/ES2013/070092

申请日：2013-02-15

Applicant: UNIVERSITAT POLITÈCNICA DE CATALUNYA

Inventor： ALTET SANAHUJES, Josep ,  GÓMEZ SALINAS, Dídac ,  MATEO PEÑA, Diego

IPC: G01R31/3163

CPC classification number: H03F1/223

Abstract: La presente invención describe un procedimiento para la medición de la eficiencia de amplificadores de potencia integrados lineales clase A utilizando mediciones de temperatura en continua. La Fig. 1 muestra un circuito integrado (1) que contiene un amplificador lineal de potencia clase A (2). La figura también muestra el generador que suministra una tensión continua para alimentar al amplificador (3) y el generador de señal (4) que el amplificador amplifica y entrega a la carga (5). Mediciones de la componente continua de la temperatura en puntos seleccionados del circuito integrado, en este caso el punto (6), permiten la medición de la eficiencia del amplificador sin necesidad de utilizar equipos de medición de señales analógicas alta frecuencia.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用连续温度测量来测量A类集成线性功率放大器的效率的方法。 图1示出了包含A类线性功率放大器（2）的集成电路（1）。 图1还示出了提供连续电压以为放大器（3）和发生器（4）提供放大器放大并传送到负载（5）的信号的发生器。 通过测量集成电路选定点温度的连续分量，在这种情况下（6），t可以测量放大器的效率，而不需要使用高频模拟信号测量设备。

公开(公告)号：WO2013093159A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：PCT/ES2012/070882

申请日：2012-12-19

Applicant: UNIVERSITAT POLITÈCNICA DE CATALUNYA

Inventor： ALTET SANAHUJES, Josep ,  GÓMEZ SALINAS, Didac ,  Mateo Peña, Diego

IPC: G01R31/316

CPC classification number: G01R31/316 ,  G01R31/2875 ,  G01R31/2884 ,  G01R31/311

Abstract: La presente invención describe un procedimiento para la estimación de características eléctricas de circuitos analógicos integrados en un cristal semiconductor mediante la medición en continua de la temperatura. La Fig. 1 muestra un cristal semiconductor (1) que puede contener diferentes circuitos analógicos (2). Por ejemplo, y sin que la lista limite los ámbitos de aplicación del presente procedimiento, la figura muestra un amplificador. Este amplificador dispone de entradas de señal (4) y entradas de la tensión de alimentación (3). La polarización del circuito en continua aplicando una tensión a las entradas de alimentación (3), sin aplicar señal a las entradas (4), provoca que los dispositivos que forman el amplificador disipen potencia. Mediciones del incremento de temperatura provocada por esta disipación de potencia en puntos seleccionados del semiconductor (5) permiten obtener características del circuito analógico, tales como, y sin que la lista limite los ámbitos de aplicación del presente procedimiento, ganancia de amplificadores. La medida de la temperatura se realiza en continua y puede hacerse bien mediante sensores de temperatura integrados en el mismo cristal semiconductor, bien mediante sensores externos.

Abstract translation: 本发明描述了一种通过连续温度测量来估计集成在半导体晶体中的模拟电路的电特性的方法。 图1示出了可以包含各种模拟电路（2）的半导体晶体（1）。 例如，不想限制本方法的范围，该图示出了放大器。 所述放大器具有信号输入（4）和电压输入（3​​）。 通过向电压输入（3​​）施加电压而不对输入（4）施加信号，使得电路的连续极化使得形成放大器的器件消耗功率。 由半导体选择点的所述功率消耗引起的温度升高的测量使得可以获得模拟电路的特性，例如，不旨在限制本程序的范围，放大器增益。 温度是通过内置于实际半导体晶体中的温度传感器或通过外部传感器连续测量的。