公开(公告)号：WO2022072880A1

公开(公告)日：2022-04-07

申请号：PCT/US2021/053237

申请日：2021-10-01

Applicant: VIXAR, INC. ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LENEF, Alan ,  KNORR, Fabian ,  JOHNSON, Klein ,  SETIADI, Dadi ,  KHODAMI, Maryam

IPC: F21V5/04 ,  F21V5/00 ,  F21K9/60 ,  G01B11/25 ,  G02B27/42

Abstract: The present disclosure is directed to systems and methods useful for providing a low profile metalens array that provides a relatively uniform far-field illumination in the visible and/or near-infrared electromagnetic spectrum using a plurality of vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) disposed a distance from a plurality of metalenses forming a metalens array, in which the VCSELs are decorrelated from the metalenses forming the metalens array.

公开(公告)号：WO2022229445A1

公开(公告)日：2022-11-03

申请号：PCT/EP2022/061594

申请日：2022-04-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KNORR, Fabian ,  LEX, Florian

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1341

Abstract: Eine optische Vorrichtung umfasst: eine Flüssigkristallschicht (13), eine unter der Flüssigkristallschicht (13) angeordnete erste Materialschicht (15), die eine der Flüssigkristallschicht zugewandte, flache Oberflächenseite (17) aufweist, und eine über der Flüssigkristallschicht (13) angeordnete, zweite Materialschicht (19), die ebenfalls eine der Flüssigkristallschicht (13) zugewandte, flache Oberflächenseite (21) aufweist, und wobei die erste Materialschicht (15) und/oder die zweite Materialschicht (19) eine optische Funktionalität aufweist, die über eine bloße Durchlässigkeit für Licht hinausgeht.

公开(公告)号：WO2020173830A1

公开(公告)日：2020-09-03

申请号：PCT/EP2020/054644

申请日：2020-02-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KNORR, Fabian ,  ALBRECHT, Tony ,  BOSS, Markus

IPC: H01S5/022 ,  G02B27/42 ,  H01S5/183

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) zur Emission einer Strahlung. Ein optisches Element (3) ist dem Halbleiterchip (2) nachgeordnet. Der Halbleiterchip (2) und das optische Element (3) sind in einen Vergusskörper (4) eingebettet. Das optische Element (3) weist eine strukturierte, zusammenhängende und optisch wirksame Fläche (31, 32) auf, die sich im Inneren des optischen Elements (3) direkt an einem optischen Kontrastbereich (33), bevorzugt einem evakuierten oder gasgefüllten Hohlraum, befindet. Die optisch wirksame Fläche (31, 32) überdeckt eine Strahlungsaustrittsfläche (20) des Halbleiterchips (2) vollständig.

公开(公告)号：WO2020148367A1

公开(公告)日：2020-07-23

申请号：PCT/EP2020/050991

申请日：2020-01-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KNORR, Fabian

IPC: G02B1/00 ,  B29C33/38 ,  B29C59/02 ,  B82Y10/00 ,  G02B5/18 ,  G02B6/122 ,  G03F7/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Nanostempelverfahren zur Herstellung eines nanooptischen Bauteils, umfassend die Verfahrensschritte: Ausbildung einer Nanostruktur in einer Schicht aus optischem Prägematerialauf einem ersten Trägersubstrat mittels eines ein Nanorelief aufweisenden Formstempels,wobei die Nanostruktur mehrere Nanoerhebungen umfasst, die über einen Prägematerial- sockel verbunden sind; Herstellung einer beschichteten Nano- struktur durch Abdeckung der Nanoerhebungen mit einer Füllma- terialschicht, wobei die Füllmaterialschicht und das optische Prägematerial unterschiedliche Brechungsindizes aufweisen;Auf- bringung eines zweiten Trägersubstrats auf der beschichteten Nanostruktur;Ablösung des ersten Trägersubstrats; und Materi- alabtrag des Prägematerialsockels sowie ein mit dem Verfahren hergestelltes nanooptisches Bauteil.

公开(公告)号：WO2020104514A1

公开(公告)日：2020-05-28

申请号：PCT/EP2019/081905

申请日：2019-11-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PAJKIC, Zeljko ,  NUETZEL, Florian ,  KNORR, Fabian ,  MUELLER, Michael

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/183 ,  H01S5/026 ,  H01S5/42

Abstract: Beschrieben wird eine Lichtemittereinheit (10) mit wenigstens einem VCSEL-Chip (11), die eine Lichtaustrittsfläche (15), über die vom VCSEL-Chip (11) erzeugtes und senkrecht zur Chipebene abgestrahltes Licht in eine Umgebung (16) emittiert wird, und die Kontakte (17) zur Zuführung der für die Erzeugung des Lichts durch den VCSEL-Chip (11) benötigten elektrischen Energie aufweist. Die beschriebene technische Lösung zeichnet sich dadurch aus, dass zumindest eine senkrecht zur Chipebene angeordnete Seitenfläche (18) des VCSEL-Chips (11) wenigstens abschnittsweise von einem Abdeckelement (12) berührt und überdeckt wird.