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公开(公告)号：WO2023076132A1
公开(公告)日：2023-05-04
申请号：PCT/US2022/047516
申请日：2022-10-24
Applicant: LYTE TECHNOLOGIES INC.
Inventor： HAJATI, Arman , GERSON, Yuval , SHPUNT, Alexander
IPC: H01S5/0239 , G02B6/13 , G02B6/42 , H01S5/026
Abstract: An optoelectronic device (20, 90, 120) includes a photonic integrated circuit (PIC) (24, 92, 94, 126), which includes a PIC substrate (34), having a first side mounted on a carrier substrate (26, 96), first electrical connection pads (70, 130) on a second side of the PIC substrate, optical waveguides (52) on the PIC substrate, and electrical conductors (68, 134) disposed on the PIC substrate and connecting to one or more of the first electrical connection pads. At least one electronic integrated circuit (22, 100, 122, 124) includes a semiconductor substrate (74) having a third side mounted on the second side of the PIC substrate and second electrical connection pads (72, 128) on the semiconductor substrate in electrical communication with the first electrical connection pads. One or more electronic circuit components (76, 78, 80, 82) on the semiconductor substrate are connected electrically to the second electrical connection pads.
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公开(公告)号：WO2023042855A1
公开(公告)日：2023-03-23
申请号：PCT/JP2022/034416
申请日：2022-09-14
Applicant: 三菱電機株式会社
IPC: H01S5/026
Abstract: 半導体レーザ素子（１００）は、半導体レーザ部（１）と、第１方向（Ｙ）において半導体レーザ部に隣接しており、かつ半導体レーザ部から出射された光が入射する遷移部（２）と、第１方向（Ｙ）において遷移部に隣接しており、かつ遷移部から出射された光が入射するスポットサイズ変換部（３）とを備える。半導体レーザ部、遷移部、およびスポットサイズ変換部の各々は、第１方向（Ｙ）および第２方向（Ｘ）に沿って延びる第１面（５Ａ）を有する半導体基板（５）と、第１面と直交する第３方向（Ｚ）において第１面側から順に第１面上に積層されている第１クラッド層（６）、活性層（１１）、および第２クラッド層（１２，２２，３２）とを含む。遷移部およびスポットサイズ変換部の各々は、第２クラッド層の上面の一部と接しており、かつ活性層および第２クラッド層よりも高い屈折率を有している導波路層（２３，３３）をさらに含む。
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公开(公告)号：WO2023041170A1
公开(公告)日：2023-03-23
申请号：PCT/EP2021/075576
申请日：2021-09-17
Applicant: HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. , CHEN, Xin
Inventor： CHEN, Xin
Abstract: A compound transmitter structure (400) comprising: a substrate; an active waveguide structure comprising: a laser emitter (301) on a first area of the substrate; an optical modulator (302) on a second area of the substrate; and a monitoring photodetector (419) located between the laser emitter (301) and the optical modulator (302), the monitoring photodetector (419) being configured to measure the intensity of the laser emitter (301). In this way, the monitoring photodetector (419) may be integrated in the compound transmitter structure (400) in such a way that minimizes the effect on the size and performance of the compound transmitter structure (400).
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公开(公告)号：WO2023035775A1
公开(公告)日：2023-03-16
申请号：PCT/CN2022/106287
申请日：2022-07-18
Applicant: 中兴光电子技术有限公司
Inventor： 周换颖
Abstract: 一种波长锁定器（100）、可调激光器（200）及波长锁定控制方法，该波长锁定器（100）包括环形谐振腔、光输入端（140）、第一光电探测器（220）、第二光电探测器（221）和相位调制器（230）；光输入端（140）设置有第一连接端和第二连接端；环形谐振腔与第二连接端连接，包括环形波导绕线（110），以及分别与环形波导绕线（110）连接的第一分束器（120）和第二分束器（130）；第一光电探测器（220）与第一连接端连接；第二光电探测器（221）与第一分束器（120）连接；相位调制器（230）设置于环形波导绕线（110）上。
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公开(公告)号：WO2023035740A1
公开(公告)日：2023-03-16
申请号：PCT/CN2022/103216
申请日：2022-07-01
Applicant: 苏州旭创科技有限公司
Abstract: 一种能够降低波长调谐工艺难度的激光器及其制作方法、激光设备。激光器包括：有源发光结构(100)，用于发光；硅基结构(200)，与有源发光结构(100)键合，包括硅基波导(210)以及至少两个复合光栅(211)，复合光栅(211)与有源发光结构(100)相对且形成于硅基波导(210)中，复合光栅(211)包括一个一级光栅以及多个二级光栅(2111)，各二级光栅(2111)周期排列而形成一级光栅，至少部分复合光栅(211)内的一级光栅具有与其他复合光栅(211)内的一级光栅不同的光栅周期(T)；硅基结构(200)与有源发光结构(100)形成至少两个激光单元，每个激光单元对应一个复合光栅(211)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2022249360A1
公开(公告)日：2022-12-01
申请号：PCT/JP2021/020077
申请日：2021-05-26
Applicant: ソニーグループ株式会社
IPC: H01S3/0941 , H01S3/113 , H01S5/024 , H01S5/026
Abstract: ［課題］熱的な干渉によるレーザ光の発振効率の低下や、光波長の変換効率の低下を防止。 ［解決手段］レーザ素子は、第１波長に対する第１反射層と、第1波長の面発光を行う活性層と、を有する積層半導体層と、積層半導体層の光軸の後方側に配置され、積層半導体層と対向する第１面に第２波長に対する第２反射層および第１面と反対側の第２面に第１波長に対する第３反射層を有するレーザ媒質と、第２面に配置されるか、又は第２面より光軸の後方側に配置される、第２波長に対する第４反射層と、第１反射層および第３反射層の間で第１波長の光を共振させる第１共振器と、第２反射層および第４反射層の間で第２波長の光を共振させる第２共振器と、積層半導体層とレーザ媒質との間に配置され、積層半導体層及びレーザ媒質の少なくとも一方で発生された熱を排熱する排熱部と、を備える。
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公开(公告)号：WO2022204669A1
公开(公告)日：2022-09-29
申请号：PCT/US2022/071242
申请日：2022-03-21
Applicant: VECTOR ATOMIC, INC.
Inventor： BOYD, Martin M. , ROSLUND, Jonathan David , SKULASON, Gunnar E.
IPC: H01S5/026 , H01S5/0239 , H01S5/042
Abstract: Embodiments herein describe an ASIC design where certain portions of the laser driver are controllable by the user. In one embodiment, the ASIC may include one or more pins which provide a connection interface where the user can electrically connect a sense resistor that corresponds to the particular laser being used. The remaining portions of the laser driver are implemented in the ASIC, thereby giving the user the flexibility to adapt the laser driver to her selected laser while having the advantages that come from using an ASIC.
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公开(公告)号：WO2022201329A1
公开(公告)日：2022-09-29
申请号：PCT/JP2021/012077
申请日：2021-03-23
Applicant: 日本電信電話株式会社
Abstract: ＤＦＢレーザとＥＡ変調器とＳＯＡとをモノシリックに集積した構成において、ＳＯＡの劣化を検出し、出力光の光強度を一定に保つフィードバック制御を行う。半導体光集積素子（１００）は、連続光を出力するＤＦＢレーザ（１０１）と、前記連続光を変調し、変調光を出力するＥＡ変調器（１０２）と、前記変調光を第１の入力ポートから入力し、前記変調光を分割して２つ以上の出力ポートから出力する第１のマルチモード干渉型カプラ（１０４）と、第１のマルチモード干渉型カプラ（１０４）の各々の出力ポートに接続され、分割された変調光をそれぞれ増幅する半導体光増幅器（１０３）と、半導体光増幅器（１０３）の各々の出力と接続された入力ポートと、増幅された変調光を合波して第１の出力ポートから出力する第２のマルチモード干渉型カプラ（１０５）と、第１のマルチモード干渉型カプラ（１０４）の第２の入力ポートに接続されたモニタ用導波路（１０６）とを備えた。
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公开(公告)号：WO2022169986A1
公开(公告)日：2022-08-11
申请号：PCT/US2022/015130
申请日：2022-02-03
Applicant: MARVELL ASIA PTE., LTD.
Inventor： HE, Xiaoguang , NAGARAJAN, Radhakrishnan L.
Abstract: A high-power tunable laser for outputting wavelength tuned laser light includes a gain medium configured to receive light, amplify a light intensity of light in the gain medium and emit light having an amplified light intensity. The gain medium is configured as a reflective semiconductor optical amplifier having a length extending between a backend and a frontend configured as an output port for outputting light having amplified light intensity relative to light that is received at the backend. A wavelength tuner optically coupled to the backend of the gain medium is configured to receive and tune a wavelength of light from the gain medium. The wavelength tuner has a high-reflectivity reflector configured to reflect the light with a tuned wavelength back to the gain medium. The length of the gain medium is dimensioned to amplify light power of light received from the wavelength tuner to output wavelength tune laser light.
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公开(公告)号：WO2022123719A1
公开(公告)日：2022-06-16
申请号：PCT/JP2020/046022
申请日：2020-12-10
Inventor： 進藤 隆彦 SHINDO Takahiko , 陳 明晨 CHIN Meishin , 金澤 慈 KANAZAWA Shigeru
Abstract: 本開示の波長可変送信機におけるＤＢＲレーザは、後方ＤＢＲ領域、活性領域、前方ＤＢＲ領域がこの順に光軸方向に沿って集積化されている。ＳＳＧ－ＤＢＲの２つのＤＢＲ領域への電流が０の状態で、波長可変帯域に対応する複数の反射ピークの内、最も短波長側の反射ピークを用いた発振モードが最も発振しやすい状態となるように回折格子構造が設定さる。ＳＳＧ－ＤＢＲレーザは、前方ＤＢＲの回折格子の平均周期値が後方ＤＢＲの回折格子の平均周期値よりも大きくなるように構成される。前後の２つのＤＢＲ領域に電流を供給しない状態において、２つのＤＢＲ領域の間で、複数の反射ピークの内の最も短波長側にある反射ピークの波長が一致するように、回折格子が構成される。
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