SYSTEM AND METHOD FOR ON-SITE MIXING OF ULTRA-HIGH-PURITY CHEMICALS FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING
    1.
    发明申请
    SYSTEM AND METHOD FOR ON-SITE MIXING OF ULTRA-HIGH-PURITY CHEMICALS FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING 审中-公开
    用于半导体加工的超高纯化学品现场混合的系统和方法

    公开(公告)号:WO1996039651A1

    公开(公告)日:1996-12-12

    申请号:PCT/US1996010389

    申请日:1996-06-05

    Abstract: A system and method for mixing and/or diluting ultrapure fluids, such as liquid acids, for semiconductor processing. The system includes first and second chemical dispensers, the first and second chemical dispensers adapted to contain first and second fluids to be mixed, respectively; a process connection between the first and second chemical dispensers which allows the first and second fluids to flow therethrough and intermingle to form a mixed fluid, the process connection further allowing the mixed fluid to flow to a location needed by the operator; and an ultrasonic wave emitting device (28), the device (28) provided in a location sufficient to transmit an ultrasonic wave through the mixed fluid, the device (28) including means to measure the velocity of the wave through the mixed fluid, and thus indirectly measure a ratio defined by a quantity of the first chemical to a quantity of the second chemical in the mixed fluid.

    Abstract translation: 用于混合和/或稀释超纯液体(如液体酸)用于半导体加工的系统和方法。 该系统包括第一和第二化学分配器,第一和第二化学分配器分别适于容纳待混合的第一和第二流体; 所述第一和第二化学分配器之间的过程连接允许第一和第二流体流过并混合以形成混合流体,所述过程连接进一步允许混合流体流动到操作者所需的位置; 和超声波发射装置(28),所述装置(28)设置在足以通过所述混合流体传送超声波的位置,所述装置(28)包括测量通过混合流体的波速的装置,以及 从而间接地测量由第一化学品的量与混合流体中的第二化学品的量所定义的比率。

    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON VERDÜNNTER FLUSSSÄURE
    6.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON VERDÜNNTER FLUSSSÄURE 审中-公开
    法产酸摊薄流域

    公开(公告)号:WO2016151089A1

    公开(公告)日:2016-09-29

    申请号:PCT/EP2016/056548

    申请日:2016-03-24

    Applicant: CONDIAS GMBH

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Herstellen von verdünnter Flusssäure mittels einer Elektrodenanordnung (1), die eine Anodenkammer (2) mit einer Anode (4) und eine Kathodenkammer (6) mit einer Kathode (8) aufweist, die durch eine Anionen-Tauschermembran (10) voneinander getrennt sind, wobei bei dem Verfahren - reines Wasser durch die Anodenkammer (2) und - reines Wasser, in dem sich wenigstens ein Elektrolyt befindet, der Fluorid-Ionen (F-) bildet, durch die Kathodenkammer (6) geleitet wird - und eine elektrische Spannung zwischen der Anode (4) und der Kathode 8 angelegt wird, so dass die Fluorid-Ionen (F-) durch die Anionen-Tauschermembran (10) in die Anodenkammer (2) bewegt werden und ein elektrischer Strom fließt.

    Abstract translation: 本发明通过(1),其包含阳极室中的电极布置的装置涉及一种用于稀氢氟酸的制造的方法和设备(2),其具有阳极(4)和阴极室(6)具有阴极(8),其通过阴离子 -Tauschermembran(10)彼此分开,在该方法中 - 纯水通过阳极室(2)和 - 纯净水,其中存在至少一种电解质,氟离子(F-)的形式(通过阴极室6 )被传导 - 和阳极之间的电压(4)和阴极8被施加,以使氟离子(F-)(通过阴离子交换膜(10)到阳极腔室2)移动时,和电 电流流过。

    ON-SITE MANUFACTURE OF ULTRA-HIGH-PURITY NITRIC ACID FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING
    10.
    发明申请
    ON-SITE MANUFACTURE OF ULTRA-HIGH-PURITY NITRIC ACID FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING 审中-公开
    用于半导体加工的超高纯度硝酸的现场制造

    公开(公告)号:WO1996039263A1

    公开(公告)日:1996-12-12

    申请号:PCT/US1996009215

    申请日:1996-06-05

    Abstract: A system and method for semiconductor manufacture using on-site distillation to obtain ultra pure nitric acid from technical grade starting material. The source material for distillation (T-3) is provided at a concentration higher than that of the high boiling point azeotrope, so that dilution does not occur during condensation (C-1). A reflux condenser (CD-1) is used, with a purge of at least 5 % to prevent impurities from accumulating. This is performed on site, at a semiconductor manufacturing facility and the ultrapure chemical thus generated is routed directly, through ultraclean piping, to the point of use in a semiconductor front end (T-5).

    Abstract translation: 一种使用现场蒸馏的半导体制造系统和方法,从工业级原料获得超纯硝酸。 以高于高沸点共沸物的浓度提供蒸馏源(T-3),从而在冷凝(C-1)期间不会发生稀释。 使用回流冷凝器(CD-1),吹扫至少5%以防止杂质积聚。 这在现场执行,在半导体制造设备中,并且由此产生的超纯化学品通过超级管道直接路由到半导体前端(T-5)中的使用点。

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