公开(公告)号：WO2017111090A1

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：PCT/JP2016/088501

申请日：2016-12-22

Applicant: TDK株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学

Inventor： 政井　琢 ,  佐藤　祐介 ,  森下　純平 ,  舟窪　浩 ,  清水　荘雄 ,  根本　祐一

IPC: C30B29/32 ,  B41J2/14 ,  C04B35/475 ,  C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  C23C14/28 ,  G11B5/596 ,  G11B21/10 ,  G11B21/21 ,  H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  H01L41/187 ,  H02N2/02 ,  H02N2/18

CPC classification number: B41J2/14 ,  C04B35/475 ,  C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  C23C14/28 ,  C30B29/32 ,  G11B5/596 ,  G11B21/10 ,  G11B21/21 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187

Abstract: ｄ ３１ 及びｇ ３１ が大きい圧電薄膜が提供される。圧電薄膜３は、単結晶基板１に重なる。圧電薄膜３は、下記化学式１で表される結晶質の酸化物を含む。（１００）、（００１）、（１１０）、（１０１）及び（１１１）からなる群より選ばれる酸化物の面方位の一つが、単結晶基板１の法線方向Ｄ Ｎ において優先的に配向している。 （Ｂｉ ｘ Ｋ ｙ ）ＴｉＯ ３ 　（１） ［上記化学式１中、０．３０≦ｘ≦０．６０，　０．３０≦ｙ≦０．６０，　０．６０≦ｘ＋ｙ≦１．１０。］

Abstract translation: 提供了

d <31>和g <31>。 压电薄膜3与单晶衬底1重叠。 压电薄膜3包含由以下化学式1表示的结晶氧化物。 选自由（100），（001），（110），（101）和（111）组成的组的氧化物的面取向之一垂直于法线方向D N < >优先面向。 （BiX x K y）TiO 3（1）[0.30≤x≤0.60， 30≤y≤0.60,0.60≤x+y≤1.10。 ]

公开(公告)号：WO2017012793A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：PCT/EP2016/063865

申请日：2016-06-16

Applicant: EPCOS AG

Inventor： HIROSE, Masakazu ,  TAUCHI, Goushi ,  IMURA, Tomoya ,  TERADA, Tomohiro

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  C04B35/475 ,  C04B35/47 ,  C04B35/462 ,  C04B35/465

CPC classification number: H01G4/30 ,  C04B35/462 ,  C04B35/47 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227

Abstract: The problem addressed lies in providing a dielectric composition which is advantageously used in locations where a high voltage is applied, which has an excellent dielectric constant when a DC bias is applied, excellent DC bias characteristics, and also has excellent mechanical strength; and also in providing a dielectric element comprising said dielectric composition, an electronic component and a laminated electronic component. A dielectric composition having a perovskite crystal structure containing at least Bi, Na, Sr and Ti. The dielectric composition comprises at least one selected from among La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Yb, Ba, Ca, Mg and Zn. The dielectric composition comprises specific particles having a core-shell structure that has at least one core portion including SrTiO 3 . 0.20 ≤ α ≤ 0.70, where α is the ratio of the number of specific particles with respect to the total number of particles contained in the dielectric composition.

Abstract translation: 所提出的问题在于提供一种电介质组合物，其有利地用于施加高电压的位置，当施加DC偏压时具有优异的介电常数，优异的DC偏置特性，并且还具有优异的机械强度; 并且还提供包括所述电介质组合物，电子部件和层压电子部件的电介质元件。 具有至少含有Bi，Na，Sr和Ti的钙钛矿晶体结构的电介质组合物。 电介质组合物包含选自La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Yb，Ba，Ca，Mg和Zn中的至少一种。 电介质组合物包含具有核 - 壳结构的具有至少一个包含SrTiO 3的核心部分的特定颗粒。 0.20≤α≤0.70，其中α是特定颗粒数相对于介电组合物中所含的总颗粒数的比率。

公开(公告)号：WO2016189003A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：PCT/EP2016/061701

申请日：2016-05-24

Applicant: EPCOS AG

Inventor： IMURA, Tomoya ,  TERADA, Tomohiro

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/462 ,  C04B35/47 ,  C04B35/475

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/462 ,  C04B35/47 ,  C04B35/475 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B41/009 ,  C04B41/4578 ,  C04B41/5111 ,  C04B41/88 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/612 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/785 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/228 ,  H01G4/30

Abstract: The present invention provides a dialectic composition having excellent DC bias characteristics and also having high insulation resistance at high temperatures, and also provides a dielectric element, an electronic component and a laminated electronic component. A dielectric composition which is a perovskite compound in which the main component comprises Bi, Na, Sr, Ln and Ti, and the Ln is at least one type of rare earth element, characterized in that the mean crystal grain size is between 0.1 pm and 1 μm.

Abstract translation: 本发明提供了具有优异的直流偏压特性并且在高温下也具有高绝缘电阻的辩证组合物，并且还提供介电元件，电子部件和层压电子部件。 作为主成分为Bi，Na，Sr，Ln和Ti的钙钛矿型化合物的电介质组合物，Ln为至少一种稀土类元素，其特征在于平均晶粒尺寸为0.1μm〜 1μm。

公开(公告)号：WO2016007255A1

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：PCT/US2015/035475

申请日：2015-06-12

Applicant: FERRO CORPORATION

Inventor： SYMES, Walter ,  PRINZBACH, Gregory, R. ,  MALONEY, John, J. ,  HENRY, James, E. ,  BROWN, Orville, W. ,  SRIDHARAN, Srinivasan ,  HER, Yie-shen ,  WANG, Stanley ,  GRADDY, George, E. ,  SAKOSKE, George, E.

IPC: C04B35/468 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/129 ,  C03C8/18 ,  C04B35/16 ,  C04B35/18 ,  C04B35/195 ,  C04B35/22 ,  C04B35/453 ,  C04B35/465 ,  C04B35/468 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/475 ,  C04B35/478 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/725 ,  C04B2235/77 ,  C09D5/24 ,  H01G4/105 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1227

Abstract: LTCC devices are produced from dielectric compositions comprising a mixture of precursor materials that, upon firing, forms a dielectric material comprising a matrix of titanates of alkaline earth metals, the matrix doped with at least one selected from rare- earth element, aluminum oxide, silicon oxide and bismuth oxide.

Abstract translation: LTCC器件由包括前体材料的混合物的介电组合物制成，其在烧制时形成包含碱土金属的钛酸盐基质的电介质材料，所述基质掺杂有选自稀土元素，氧化铝，硅中的至少一种 氧化物和氧化铋。

公开(公告)号：WO2013187339A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：PCT/JP2013/065897

申请日：2013-06-09

Applicant: 株式会社富士セラミックス

Inventor： 田上　究 ,  久保　佳信 ,  福島　利博 ,  加藤　和昭

IPC: C04B35/462 ,  H01L41/08 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22

CPC classification number: C04B35/475 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3262 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/43

Abstract: 　本発明は、特に圧力に対する発生電荷量の低ヒステリシス、大きな等価圧電定数を有する圧電磁器組成物及びその製造方法に関する。　加圧力と減圧力に対し電荷の発生傾向が異なる２種のＡ成分、Ｂ成分からなる磁器組成物、（１－ｙ）｛（Ｎａ ０．５　 ，Ｂｉ ０．５ ） １－ｘ Ｍ ｘ Ｂｉ ４ Ｔｉ ４ Ｏ １５ ＋ｚＷｔ％Ｍｎ｝をＡ成分、（ｙ）ＳｒＢｉ ４ Ｔｉ ４ Ｏ １５ をＢ成分とする。ここで、Ｍ及びｘ、ｙ及びｚを所定範囲とした、特定範囲内の等価圧電定数を有するヒステリシスを±０．１％以内とする圧電磁器組成物。

Abstract translation: 本发明具体涉及一种压电陶瓷组合物，该压电陶瓷组合物响应于压力而产生的电荷量具有低滞后性，并具有大的等效压电常数; 以及制造所述压电陶瓷组合物的方法。 该压电陶瓷组合物具有在特定范围内的等效压电常数和±0.1％内的滞后，并且是包含响应于压缩力和减压力而产生电荷的不同倾向的两种类型的组分A和B的陶瓷组合物， 其中组分A是（1-y）{（Na0.5，Bi0.5）1-xMxBi4Ti4O15 + zWt％Mn}，组分B是（y）SrBi4Ti4O15。 这里，M，x，y和z在预定范围内。

公开(公告)号：WO2013187338A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：PCT/JP2013/065896

申请日：2013-06-09

Applicant: 株式会社富士セラミックス

Inventor： 田上　究 ,  久保　佳信 ,  福島　利博 ,  加藤　和昭

IPC: C04B35/462 ,  G01L1/16 ,  H01L41/08 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22

CPC classification number: C04B35/475 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3267 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/43

Abstract: 　本発明は、圧電磁器組成物及びその製造方法、特に圧力に対する発生電荷量の低ヒステリシス、かつ、特定範囲内の等価圧電定数特性を有する圧力検知に好適な圧電磁器組成物及びその製造方法に関するものである。　加圧力と減圧力に対し圧電磁器組成物として下記の配合とした磁器組成物　（Ｎａ ０．５　 ，Ｂｉ ０．５ ） １－ｘ Ｍ ｘ Ｂｉ ４ Ｔｉ ４ Ｏ １５ ＋０．２Ｗｔ％Ｍｎ であって、ここで、Ｍ及びｘ、ｙ及びｚを所定範囲とした、特定範囲内の等価圧電定数を有するヒステリシスが±０．１％以内とする圧電磁器組成物。

Abstract translation: 压电陶瓷组合物及其制造方法技术领域本发明涉及一种压电陶瓷组合物及其制造方法，特别是：在压力下产生的电荷量滞后小的压电陶瓷组合物具有特定范围内的等效压电常数特性， 适用于检测压力; 以及制造所述压电陶瓷组合物的方法。 该压电陶瓷组合物是具有式（Na0.5，Bi0.5）1-xMxBi4Ti4O15 + 0.2Wt％Mn的陶瓷组合物，其中M，x，y和z在预定范围内，作为响应于 压缩力和减压力，压电陶瓷组合物具有在特定范围内的等效压电常数和滞后在±0.1％以内。

公开(公告)号：WO2013157650A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：PCT/JP2013/061688

申请日：2013-04-19

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 島田　武司 ,  上田　到 ,  猪野　健太郎

IPC: C04B35/468 ,  H01C7/02

CPC classification number: H01C7/008 ,  C04B35/468 ,  C04B35/475 ,  C04B35/495 ,  C04B35/505 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/02 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/65 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/75 ,  C04B2235/80 ,  H01B1/08 ,  H01C7/025 ,  H01C17/06533

Abstract: 　非鉛のペロブスカイト型の半導体磁器組成物において、抵抗温度係数αが小さくなることを抑制でき、特性が安定して得られる半導体磁器組成物の製造方法を提供する。　BaTiO 3 系酸化物におけるBaの一部をBiおよびA（AはNa,Li,Kのうち少なくとも一種）で置換した非鉛の半導体磁器組成物の製造方法であって、前記半導体磁器組成物を形成するための原料を700℃以上1300℃以下で仮焼し、前記の仮焼した原料に1300℃以上1450℃以下で液相となるBa及びTiを含む酸化物を添加し、成形し、その後、1300℃以上1450℃以下の温度で焼結することを特徴とする。

Abstract translation: 本发明提供能够抑制电阻温度系数（α）变小的非铅钙钛矿半导体陶瓷组合物的制造方法，得到稳定的特性。 一种制备其中BaTiO3氧化物中的一些Ba被Bi和A（A代表Na，Li和K中的一种或多种）代替的非铅半导体陶瓷组合物的方法，其特征在于：煅烧， 在700℃至1300℃（包括端值），用于形成半导体陶瓷组合物的起始材料; 将含有Ba和Ti的氧化物和在1300℃至1450℃（含）的液体加入到煅烧的原料中; 成型相同; 然后在1300℃〜1450℃的温度下进行烧结。

公开(公告)号：WO2013157649A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：PCT/JP2013/061687

申请日：2013-04-19

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 島田　武司 ,  上田　到 ,  猪野　健太郎

IPC: C04B35/468 ,  H01C7/02

CPC classification number: H01C7/008 ,  C04B35/468 ,  C04B35/475 ,  C04B35/495 ,  C04B35/505 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/02 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/65 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/75 ,  C04B2235/80 ,  H01B1/08 ,  H01C7/025 ,  H01C17/06533

Abstract: 　BaTiO 3 系酸化物におけるBaの一部をBiおよびA（AはNa,Li,Kのうち少なくとも一種）で置換した非鉛の半導体磁器組成物であって、結晶粒内の径方向にBiの濃度を測定したとき、粒内の中心部分と外郭部分との間に中心部分と外郭部分のそれぞれよりもBi濃度が高い領域を有する、半導体磁器組成物が提供される。

Abstract translation: 提供了一种无铅半导体陶瓷组合物，其中BaTiO 3氧化物中的一些Ba被Bi和A（A代表Na，Li和K中的一种或多种）代替，所述半导体陶瓷组合物具有位于 外壳部分和晶粒的中心部分，并且当在晶粒内沿径向方向测量Bi的浓度时，具有比外壳部分和中心部分更高的Bi浓度。

公开(公告)号：WO2013146303A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：PCT/JP2013/057221

申请日：2013-03-14

Applicant: 国立大学法人山梨大学

Inventor： 和田　智志

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/475 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B35/26 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/768

Abstract: 　高温でも高い比誘電率を有する誘電材料を提供すること、またその誘電材料を用いた誘電素子、コンデンサ、積層コンデンサ及び蓄電装置を提供する。本発明の誘電材料は、自発分極方位がそろった分域（以下ドメインという）を備え、前記ドメインの大きさが１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下であることを特徴とする。

Abstract translation: 提供即使在高温也具有高相对介电常数的电介质材料，并且还提供介电元件，电容器，多层电容器和使用电介质材料的电力存储装置。 该电介质材料的特征在于，电介质材料具有均匀自发极化取向的畴（以下称为畴），并且所述畴的尺寸为1nm以上至50nm以下。

公开(公告)号：WO2012035151A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：PCT/EP2011/066138

申请日：2011-09-16

Applicant: EPCOS AG ,  WANG, Yongli ,  HOFFMANN, Christian

Inventor： WANG, Yongli ,  HOFFMANN, Christian

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/638 ,  C04B35/626 ,  H01L41/187 ,  H01L41/24 ,  C04B35/462 ,  C04B35/475

CPC classification number: H01L41/1878 ,  C04B35/462 ,  C04B35/475 ,  C04B35/49 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/768 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/43

Abstract: Es wird ein keramischer Werkstoff angegeben, der die allgemeine Formel (BiXNayM zLuM V w)(Ti1-sZs)03 aufweist, wobei gilt: M umfasst zumindest ein Element der ersten Hauptgruppe, M umfasst zumindest ein Element der zweiten Hauptgruppe, L umfasst zumindest ein Element der Lanthanoide, V ist eine Leerstelle und Z ist ausgewählt aus Zr, Hf und Kombinationen davon. Es wird weiterhin ein piezoelektrischer Aktor mit dem keramischen Werkstoff sowie ein Verfahren zur Herstellung des keramischen Werkstoffs angegeben.

Abstract translation: 它是指定的陶瓷材料，具有通式（BiXNayM <1> zLuM <2> V w）的（TI1-ENS）03，其中：M <1>包括第一主族的至少一种元素，M <2>包括第二主族的至少一种元素，L包含镧系元素中的至少一种元素，V是一个空间，而Z是选自Zr，Hf和它们的组合。 本发明还提供与陶瓷材料和用于陶瓷材料的制备方法的压电致动器。