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    IONIZING RADIATION STABLE THERMOPLASTIC COMPOSITION, METHOD OF MAKING, AND ARTICLES FORMED THEREFROM
    3.
    发明申请
    IONIZING RADIATION STABLE THERMOPLASTIC COMPOSITION, METHOD OF MAKING, AND ARTICLES FORMED THEREFROM 审中-公开
    辐射稳定热塑性组合物的离子化，制备方法及其形成的制品

    公开(公告)号：WO2007053500A1

    公开(公告)日：2007-05-10

    申请号：PCT/US2006/042183

    申请日：2006-10-26

    Applicant: GENERAL ELECTRIC COMPANY ,  MULLEN, Brian

    Inventor： MULLEN, Brian

    IPC: C08G64/14 ,  C08L69/00

    CPC classification number: C08G64/081 ,  C08G64/14 ,  C08L69/00 ,  C08L69/005 ,  C08L83/10 ,  C08L2666/18 ,  C08L83/00

    Abstract: A thermoplastic composition comprises a sulfonate end-capped polycarbonate of formula: Z-S(O) 2 -O-(-L-) m -O-S(O) 2 -Z wherein each Z is independently an alkyl or aryl group, wherein -(-L-) m - is a polycarbonate linking group with m units of linking unit L, and wherein m is at least one. Methods of making the sulfonate end-capped polycarbonate and thermoplastic composition, and articles prepared therefrom, are also disclosed.

    Abstract translation: 热塑性组合物包含具有下式的磺酸酯封端的聚碳酸酯：ZS（O）2 -O - （ - L - ）m -OS（O）2 其中每个Z独立地是烷基或芳基，其中 - （ - L - ） - 是与m单元的连接单元L的聚碳酸酯连接基团，其中m是 最后一个。 还公开了制备磺酸酯封端的聚碳酸酯和热塑性组合物的方法及其制备的制品。

    PHOTOSENSITIVE BOTTOM ANTI-REFLECTIVE COATINGS
    4.
    发明申请
    PHOTOSENSITIVE BOTTOM ANTI-REFLECTIVE COATINGS 审中-公开
    光敏底部防反射涂层

    公开(公告)号：WO2004012239A2

    公开(公告)日：2004-02-05

    申请号：PCT/US2003/024100

    申请日：2003-07-28

    Applicant: BREWER SCIENCE, INC.

    Inventor： GUERRERO, Douglas J.

    IPC: H01L

    CPC classification number: G03F7/091 ,  C08G64/081 ,  C08G64/1608 ,  C08G64/165 ,  C08G73/0246 ,  C08G73/026 ,  C08G75/23 ,  C08L69/00 ,  C08L81/06 ,  Y10T428/31507 ,  Y10T428/31551 ,  C08L2666/18

    Abstract: Anti-reflective compositions and methods of using these compositions to form circuits are provided. The compositions comprise a polymer dissolved or dispersed in a solvent system. Preferred polymers include polycarbonates, polysulfonyl esters, polycarbonate sulfones, and mixtures thereof. The compositions can be applied to a silicon wafer or other substrate to form a cured or hardened layer which is initially insoluble in typical photoresist developing solutions. Upon exposure to light, the cured or hardened layers become soluble in photoresist developing solutions so that the layer can be selectively removed along with the developed photoresist layer, thus eliminating the need for a separate removal step.

    Abstract translation: 提供了抗反射组合物和使用这些组合物形成电路的方法。 该组合物包含溶解或分散在溶剂体系中的聚合物。 优选的聚合物包括聚碳酸酯，聚磺酰酯，聚碳酸酯砜及其混合物。 该组合物可以施加到硅晶片或其他基材上以形成最初不溶于典型的光刻胶显影溶液中的固化或硬化层。 在曝光时，固化或硬化的层变成可溶于光致抗蚀剂显影溶液中，使得该层可以与显影的光致抗蚀剂层一起选择性地去除，因此不需要单独的去除步骤。

    コポリカーボネートおよび光学レンズ
    7.
    发明申请
    コポリカーボネートおよび光学レンズ 审中-公开
    共聚碳酸酯和光学透镜

    公开(公告)号：WO2010101265A1

    公开(公告)日：2010-09-10

    申请号：PCT/JP2010/053711

    申请日：2010-03-02

    Applicant: 帝人化成株式会社 ,  布目 和徳 ,  松井 学 ,  今中 嘉彦

    Inventor： 布目　和徳 ,  松井　学 ,  今中　嘉彦

    IPC: C08G64/06 ,  G02B1/04

    CPC classification number: C08G64/165 ,  C08G64/081 ,  G02B1/041 ,  C08L69/00

    Abstract: 本発明の目的は、屈折率が高く、複屈折量が小さく、加工性、透明性に優れたコポリカーボネートおよびそれからなる光学レンズを提供することにある。本発明は、下記式（Ｉ）で表される単位および下記式（ＩＩ）で表される単位の合計が全繰り返し単位の８０モル％以上であり、且つ式（Ｉ）で表される単位と式（ＩＩ）で表される単位とのモル比が９８：２～３５：６５の範囲であるコポリカーボネートである。（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２０のアルキル基等である。Ｘは炭素数２～８のアルキレン基等である。ｍおよびｎはそれぞれ独立に１～１０の整数である。） （式中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２０のアルキル基等である。）

    Abstract translation: 本发明提供折射率高，双折射低，加工性和透明性优异的共聚碳酸酯。 还提供了包含共聚碳酸酯的光学透镜。 共聚碳酸酯包含由式（I）表示的单元和由式（II）表示的单元，其中由式（I）表示的单元和式（II）表示的单元的总量为80摩尔％以上 总重复单元和由式（I）表示的单元与由式（II）表示的单元的摩尔比在98:2至35:65的范围内。 式（I）中，R 1，R 2，R 3和R 4各自独立地为氢原子，碳原子数1〜20的烷基等。 X是碳原子数2〜8的亚烷基等; 式（II）中，R 5，R 6，R 7，R 8分别独立地表示氢原子，碳原子数1〜20的烷基等。

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