PRINTED FLEXIBLE ELECTRONIC DEVICES CONTAINING SELF-REPAIRING STRUCTURES
    6.
    发明申请
    PRINTED FLEXIBLE ELECTRONIC DEVICES CONTAINING SELF-REPAIRING STRUCTURES 审中-公开
    包含自修复结构的印刷柔性电子器件

    公开(公告)号:WO2018071723A1

    公开(公告)日:2018-04-19

    申请号:PCT/US2017/056414

    申请日:2017-10-12

    Abstract: Articles, devices and machines are disclosed for initiating structural changes based on material magnetic properties to cause self-adjustment to improve the operation or function of structures, devices or machines. In one aspect, a device exhibiting a self-healing property to repair a damage, the device including a device structure over which magnetic microparticles are dispersed to impart a self-healing ability to enable the device structure, once damaged to have a broken portion, to self-repair based on magnetic attraction of the dispersed magnetic microparticles to cause re-attachment of the broken portion.

    Abstract translation: 公开了用于基于材料磁性引发结构变化以引起自我调节以改善结构,装置或机器的操作或功能的物品,装置和机器。 在一个方面,表现出自愈合性的装置来修复损伤,包括在其上磁性微粒分散以赋予自愈能力,以使该装置的结构,一旦受损有断裂部的装置结构的装置中, 基于分散的磁性微粒的磁吸引力进行自我修复,从而导致断裂部分的重新附着。

    高周波焼入れ用非調質鋼
    8.
    发明申请
    高周波焼入れ用非調質鋼 审中-公开
    用于感应淬火的非热处理钢

    公开(公告)号:WO2017188284A1

    公开(公告)日:2017-11-02

    申请号:PCT/JP2017/016441

    申请日:2017-04-25

    Abstract: 高周波焼入れ用非調質鋼は、質量%でC:0.35~0.44%、Si:0.01~0.30%未満、Mn:0.80~1.50%、P:0.030%以下、S:0.010超~0.095%、Cr:0.10超~0.30%、V:0.050~0.200%、N:0.0040~0.0200%、O:0.0024%以下、Cu:0.05%以下、Ni:0.05%以下を含有し、fn1≦50.0、fn2:0.70~1.00、fn3≧1.30である。鋼中において、酸化物の個数に対する、20.0質量%以上の酸素及び10.0質量%以上のMnを含有するMn酸化物の個数の割合は10.0%以下である。 fn1=80C 2 +55C+13Si+4.8Mn+30P+30S+1.5Cr fn2=C+(Si/10)+(Mn/5)-(5S/7)+(5Cr/22)+1.65V fn3=-2C-Si+2.33Mn+0.26Cr+V-1.5Cu-1.5Ni

    Abstract translation:

    感应非热硬化处理的钢,C以质量%计:0.35〜0.44%以下,Si:小于0.01〜0.30%以下,Mn:0.80〜1 S:0.010〜0.095%,Cr:超过0.10〜0.30%,V:0.050〜0.200%,N:0 0.0040〜0.0200%,O:0.0024%以下,Cu:0.05%以下,Ni:含有0.05%或更少,FN1≦50.0,FN2:0.70〜1.00 ,Fn 3≥1.30。 在钢中,以氧化物的数量,含有20.0质量%或更多的氧并通过质谱或更多的Mn的10.0%的Mn氧化物的个数的比率为不大于10.0%。 FN1 = 80℃ 2 + 55C + 13Si + 4.8Mn + 30P + 30S + 1.5Cr FN2 = C +(SI / 10)+(锰/ 5) - (5S / 7)+(5CR / 22)+ 1.65V FN3 = -2C- Si + 2.33Mn + 0.26Cr + V-1.5Cu-1.5Ni / p

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