公开(公告)号：WO2016147265A1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：PCT/JP2015/057540

申请日：2015-03-13

Applicant: 阿久津 伸

Inventor： 阿久津　伸

IPC: C30B13/24

CPC classification number: C30B13/24 ,  C30B13/16 ,  C30B13/22 ,  C30B13/285 ,  C30B13/32 ,  C30B29/66

Abstract: 　赤外線を用い、かつ、るつぼを用いないことにより、製造コストを著しく低減するとともに、赤外線を用いて原料を溶融させても、溶融した原料が種結晶に垂れず、比較的良質な単結晶の製造が容易に可能な単結晶製造装置および単結晶製造方法を提案する。原料把持部２と種結晶把持部３とを互いに天地方向に配置させた上で両者を近接させることにより、前記原料把持部２に把持された原料Ｍと前記種結晶把持部３に把持された種結晶Ｓとを近接させ、加熱部４により原料Ｍを加熱して溶融させた部分と種結晶Ｓとを接触させて溶融帯域Ｍｌを形成し、当該溶融帯域を冷却することにより単結晶を製造する単結晶製造装置１において、前記加熱部４は、赤外線発生手段４１を有し、天地方向の天の位置に種結晶把持部３が配置されており、かつ、天地方向の地の位置に原料把持部２が配置されている、単結晶製造装置１を提供する。

Abstract translation: 提出了一种能够通过使用红外光容易地生产相对优质单晶的装置，并且不使用显着降低生产成本的坩埚，并且不允许熔融原料滴入晶种，即使原料 材料使用红外光熔化，以及单晶的制造方法。 提供了一种用于制造通过形成熔融区MI产生单晶的单晶的装置1，通过使由晶种保持单元3保持的晶种S靠近由原料保持单元2保持的原料M，通过使 原料保持单元2和籽晶保持单元3彼此靠近并且使通过加热单元4加热原料M而产生的熔融部分与晶种S接触，并将其冷却 熔融区，其中，在用于制造单晶的装置1中，加热单元4具有红外线发生装置41，晶种保持单元3设置在垂直方向上的顶部的位置，原料保持单元 2设置在垂直方向上的底部的位置。

公开(公告)号：WO2010115542A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：PCT/EP2010/001985

申请日：2010-03-29

Applicant: CENTROTHERM SITEC GMBH ,  STUBHAN, Frank ,  LECK, Michael

Inventor： STUBHAN, Frank ,  LECK, Michael

IPC: C01B33/02

CPC classification number: C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C30B13/285

Abstract: A clamping and contacting device for mounting and electrically contacting thin silicon rods in silicon deposition reactors is disclosed, the clamping and contacting device having a rod holder for receiving one end of a thin silicon rod. The rod holder comprises at least three contact elements disposed around a receiving space for the thin silicon rod. Each of the contact elements forms a contact surface facing towards a receiving space for electrically and mechanically contacts the thin silicon rod, wherein the contact surfaces of adjacent contact elements are spaced apart.

Abstract translation: 公开了一种用于在硅沉积反应器中安装和电接触薄硅棒的夹紧和接触装置，夹紧和接触装置具有用于容纳薄硅棒的一端的杆保持器。 棒保持器包括围绕用于薄硅棒的容纳空间设置的至少三个接触元件。 每个接触元件形成面向容纳空间的接触表面，用于电和机械地接触薄硅棒，其中相邻接触元件的接触表面间隔开。

公开(公告)号：WO2008093576A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：PCT/JP2008/050882

申请日：2008-01-23

Applicant: SUMCO TECHXIV株式会社 ,  十河 慎二 ,  上田 亮輔

Inventor： 十河 慎二 ,  上田 亮輔

IPC: C30B29/06 ,  C30B13/04

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B13/285 ,  C30B13/32 ,  C30B15/22

Abstract: 　ＣＺ法により製造されたシリコン結晶素材であって、ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造の原料棒として用いられ、機械加工を必要とせずにＦＺ法の結晶成長炉内に装填することができる被把持部を有するシリコン結晶素材及びその製造方法を提供すること。 　ＣＺ法によるシリコン結晶の製造方法により製造され、肩部、直胴部、及び尾部と同様に、ＣＺ法によるシリコン結晶製造過程で形成された、前記ＦＺ法による単結晶製造装置に装着されて単結晶成長を可能とするための被把持部を有する。また、ＣＺ法によるシリコン結晶製造で用いられた種結晶を被把持部として有する。その製造方法は、ＣＺ法によるシリコン結晶の製造方法で製造する際に、結晶の成長条件を一時的に変更して、直胴部の外周面に凸部又は凹部を、又は直胴部の肩部にくぼみ部を形成することを特徴とする。

Abstract translation: 提供了一种硅晶体材料，其通过CZ法制造，用作通过FZ法制造单晶硅材料棒，并且具有用FZ方法装载在晶体生长炉中的把持部分，而不需要 机械加工。 还提供了制造这种硅晶体材料的方法。 硅晶体材料通过使用CZ法的硅晶体制造方法制造，并且在硅晶体生长步骤中设置有与肩部相同的方式制造的把持部，直体部和尾部 采用CZ法，并装载在采用FZ法的单晶制造装置中生长单晶。 使用采用CZ法的硅晶体制造中使用的晶种被用作抓取部分。 通过临时改变晶体生长条件来制造把持部分，以在直体部分的外圆周表面上形成突出部分或凹部，或者在制造时在直体部分的肩部上形成凹痕 硅晶体采用CZ法。