公开(公告)号：WO2012107978A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：PCT/JP2011/006321

申请日：2011-11-11

Applicant: パナソニック株式会社 ,  横山 賢司

Inventor： 横山　賢司

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05091 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 　半導体装置は、回路基板の上に半導体チップが実装された半導体装置である。半導体チップは、半導体基板１２と、半導体基板１２の上に形成された第１のパッド１３と、第１のパッド１３の上に層間絶縁膜１５を介して形成された第２のパッド１７と、層間絶縁膜１５に形成され、第１のパッド１３と第２のパッド１７とを接続するビア１６と、第２のパッド１７の上に形成され、第２のパッド１７の中央部を露出する開口部２１を有する保護膜２０と、第２のパッド１７における保護膜２０の開口部２１から露出する部分、及び保護膜２０における開口部２１の周囲に位置する部分の上に形成されたバリアメタル２３とを備えている。ビア１６の径Ｗ16は、保護膜２０の開口部２１の開口径Ｗ21よりも小さい。ビア１６の中心は、バリアメタル２３の中心と合致している。

Abstract translation: 半导体器件，其通过将半导体芯片安装在电路板上而获得。 半导体芯片设置有：半导体衬底（12）; 形成在所述半导体基板（12）上的第一焊盘（13）; 形成在第一焊盘（13）上的间隔绝缘膜（15）的第二焊盘（17）; 形成在层间绝缘膜（15）中并将第一焊盘（13）和第二焊盘（17）彼此连接的通孔（16）; 保护膜（20），其形成在所述第二焊盘（17）上并且具有第二焊盘（17）的中心部分露出的开口部分（21） 以及形成在所述第二焊盘（17）的一部分上的阻挡金属（23），所述部分通过所述保护膜（20）的开口部分（21）露出，并且在所述保护膜（20）的一部分上 ），所述部分围绕开口部分（21）。 通孔（16）的直径（W16）小于保护膜（20）的开口部（21）的开口直径（W21）。 通孔（16）的中心与阻挡金属（23）的中心重合。