公开(公告)号：WO2019085442A1

公开(公告)日：2019-05-09

申请号：PCT/CN2018/087757

申请日：2018-05-22

申请人： 苏州固锝电子股份有限公司

发明人： 何洪运 ,  程琳 ,  刘玉龙

IPC分类号： H01L25/07

CPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L25/07 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

摘要： 本实用新型公开一种高强度整流桥器件，其第一、第二二极管芯片各自的正极与L形正极输入引脚上表面电连接，第三、第四二极管芯片各自的负极与L形负极输出引脚上表面电连接，第一二极管芯片的负极、第四二极管芯片的正极均通过第一连接片与第一Z形输入引脚电连接，第二二极管芯片的负极、第三二极管芯片的正极均通过第二连接片与第二Z形输入引脚电连接；所述第一连接片、第二连接片各自的中心处两侧均开有一第一半圆孔，所述L形正极输入引脚和L形负极输出引脚各自的芯片支撑区外侧均开有一第一缺口部，所述L形正极输入引脚和L形负极输出引脚各自的芯片支撑区中间处两侧均开有一第二缺口部。本实用新型增加外部引脚面积和增加本体边缘环氧强度的作用，增加了边缘环氧的强度和减小结构应力和减小环氧注胶过程中对内部结构冲击力的作用。

公开(公告)号：WO2019066968A1

公开(公告)日：2019-04-04

申请号：PCT/US2017/054618

申请日：2017-09-29

申请人： INTEL CORPORATION

发明人： GOMES, Wilfred ,  MAHAJAN, Ravindranath V. ,  VISWANATH, Ram S.

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/00 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49811 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： Techniques and mechanisms for conducting heat with a packaged integrated circuit (IC) device. In an embodiment, the IC device comprises a package substrate and one or more IC dies coupled thereto, where a thermal conductor of the IC device extends through the package substrate. A thermal conductivity of the thermal conductor is more than 20 Watts per meter per degree Kelvin (W/mK). In another embodiment, thermal conductor further extends at least partially through a mold compound disposed on the one or more IC dies.

公开(公告)号：WO2019017163A1

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：PCT/JP2018/024214

申请日：2018-06-26

申请人： 株式会社村田製作所

发明人： 佐野　雄一 ,  多田　敏博

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/24 ,  H01L23/29 ,  H01L23/12 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/24 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/36 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

摘要： 半導体基板の素子形成面に、ｐｎ接合を含む半導体素子が形成されている。半導体基板の裏面に第１の凹部が形成されている。第１の凹部の内部、及び半導体基板の裏面の上に金属膜が配置され、金属膜の表面に凹凸が付されている。第１の凹部は、半導体素子のｐｎ接合領域の縁から半導体基板の裏面に向かって広がるように延ばした傾斜角４５度の仮想的な斜面と、裏面とが交わる交線で囲まれた領域と少なくとも部分的に重なる位置に配置されている。

公开(公告)号：WO2018219589A1

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：PCT/EP2018/061428

申请日：2018-05-03

申请人： CONTINENTAL AUTOMOTIVE GMBH

发明人： BAGUNG, Detlev ,  RIEPL, Thomas ,  WOLF, Daniela ,  BINDER, Manfred

IPC分类号： H05K7/20

CPC分类号： H05K7/20436 ,  H01G2/06 ,  H01G2/08 ,  H01G4/40 ,  H01L23/367 ,  H01L23/42 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0206 ,  H05K3/0061 ,  H05K7/205 ,  H05K2201/066 ,  H05K2201/10545 ,  H05K2201/10734 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： Es wird eine Leiterplattenanordnung (10) mit einer Leiterplatte (110) und mit einer metallischen Wärmesenke (130) zu Wärmeableitung von den Bauelementen offenbart. Eines der auf einer Oberseite (112) der Leiterplatte (110) angeordneten Bauelemente ist ein Mikroprozessor-Bauelement (116) mit Lotraster-Grundfläche (120). Die Wärmesenke (130) hat ein Podest (136), das mit der Lotraster-Grundfläche (120) überlappt. Zudem werden ein elektronisches Steuergerät (1) und ein Verfahren zur Herstellung der Leiterplattenanordnung (10) angegeben.

公开(公告)号：WO2018198544A1

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：PCT/JP2018/008866

申请日：2018-03-07

申请人： アオイ電子株式会社

发明人： 小杉　智之 ,  河野　一郎 ,  脇坂　伸治

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/607 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/12 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

摘要： 半導体装置の製造方法は、半導体素子の柱状電極の端面に形成されたはんだ層を回路基板の一面に形成された接続端子上に配置することと、超音波を印加してはんだ層と接続端子とを接合することと、熱硬化性樹脂により半導体素子を封止し、熱硬化性樹脂を硬化させることと、熱硬化性樹脂を硬化させた後、はんだ層を、はんだ層の融点よりも高い温度に加熱して、はんだ層と接続端子とを接合すること、を備える。

公开(公告)号：WO2018173511A1

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：PCT/JP2018/003734

申请日：2018-02-05

申请人： 株式会社デンソー

发明人： 林　英二 ,  上瀧　領二 ,  奥村　知巳

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/12 ,  H01L23/40

CPC分类号： H01L2224/26175 ,  H01L2224/33 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

摘要： 半導体装置は、電極（１２１）を有する半導体チップ（１２）と、金属基材（１８６）を含み、電極との対向面に、半導体チップの実装部（１８２）と、実装部を取り囲む周囲部（１８３）と、を有する導電部材（１８）と、電極と実装部との間に介在し、電極と導電部材とを接続するはんだ（１６）と、半導体チップ、導電部材の少なくとも対向面、及びはんだを一体的に封止する封止樹脂体（１４）と、を備える。導電部材が、周囲部として、実装部を取り囲むように設けられ、封止樹脂体が密着する密着部（１８４）と、実装部と密着部との間に設けられ、はんだが接続されず、密着部よりも封止樹脂体に対する密着性が低くされた非密着部（１８５）と、を有する。

公开(公告)号：WO2018168384A1

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：PCT/JP2018/006524

申请日：2018-02-22

申请人： アオイ電子株式会社

发明人： 脇坂　伸治

IPC分类号： H01L23/12 ,  H05K3/00 ,  H05K3/28

CPC分类号： H01L23/12 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/00 ,  H05K3/28 ,  H01L2924/00012

摘要： 半導体装置の製造方法は、導電性の支持基板の上に絶縁層を形成することと、絶縁層の上に支持基板と接続されている配線層を形成することと、配線層の上に、半導体素子を配置して、半導体素子の接続端子を配線層に電気的に接続することと、支持基板および配線層を備えるパッケージ基板と半導体素子とを封止樹脂を用いて封止することと、封止されたパッケージ基板の支持基板を、外部接続端子を含む導電パターンに基づき一部を残して除去することと、を含む。

公开(公告)号：WO2018068174A1

公开(公告)日：2018-04-19

申请号：PCT/CN2016/101627

申请日：2016-10-10

申请人： 深圳市汇顶科技股份有限公司

发明人： 龙卫 ,  吴宝全 ,  刘相英

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/02

CPC分类号： H01L21/565 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 一种芯片封装结构，包括：至少一封装体（1），每个封装体中包含至少一芯片（11），以及包裹着封装体并可根据封装尺寸需求进行切割的扩充体（2）。一种芯片封装方法包括：将至少一封装体通过载板（3）固定在下模具表面，为封装体封上上模（4）；通过注塑成型令扩充体填满载板和上模之间的空腔，扩充体包裹封装体；脱模得到扩充尺寸后的封装体，根据封装尺寸需求对其进行切割。一种芯片封装方法包括：预加工形成具有镂空区域的镂空框架（5），镂空框架置于下模具表面；将至少一封装体分别置于镂空框架的镂空区域，扩充体填充封装体与镂空框架之间的缝隙，令扩充体包裹封装体；固化得到扩充尺寸后的封装体，并根据封装尺寸需求对其进行切割。实现尺寸可变的芯片封装。

公开(公告)号：WO2018056426A1

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：PCT/JP2017/034411

申请日：2017-09-25

申请人： 株式会社パウデック

发明人： 河合　弘治 ,  八木　修一 ,  越後谷　祥子

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00012

摘要： 半導体パッケージは、絶縁基板１０の第１主面上に３端子半導体素子を構成する半導体層２０が設けられ、半導体層２０上にソース電極３０、ドレイン電極４０およびゲート電極が三角形に配置された半導体チップＣと、ソース電極３０、ドレイン電極４０およびゲート電極とそれぞれ電気的に接続され、半導体層２０の外部に引き出された電極パッド６０、７０などと、半導体層２０、ソース電極３０、ドレイン電極４０、ゲート電極および絶縁基板１０の側面を封止する電気的に絶縁性の樹脂９０とを有する。

摘要翻译： 在半导体封装中，构成三端子半导体元件的半导体层20设置在绝缘基板10的第一主表面上，并且源电极30，漏电极40和栅极 半导体芯片C，其中电极被设置成三角形，源极电极30连接到各自的漏极电极40和栅电极电，并且被拉出的半导体层20，半导体层20的电极焊盘60，70 源电极30，漏电极40，栅电极和用于密封绝缘基板10的侧表面的电绝缘树脂90。

公开(公告)号：WO2018043162A1

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：PCT/JP2017/029668

申请日：2017-08-18

申请人： 株式会社村田製作所

发明人： 佐藤　和茂 ,  天知　伸充 ,  江下　雄也

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/12 ,  H01L25/04 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K1/02 ,  H05K1/18 ,  H05K7/20

CPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L25/04 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/02 ,  H05K1/18 ,  H05K7/20 ,  H01L2924/00012

摘要： 基板に接続された電子部品からの熱を効果的に放散できる回路モジュールを提供する。回路モジュール（１００）は、基板素体（１１）と基板素体（１１）の一方主面に設けられた第１のパッド電極（１２）および第２のパッド電極（１３）とを備えた基板（１０）と、第１の電子部品（２１）と、第１の金属柱（２２）と、第１の樹脂部材（３０）とを備える。第１の電子部品（２１）と第１のパッド電極（１２）とが接続され、第１の金属柱（２２）の一方端面と第２のパッド電極（１３）とが接続され、第１の電子部品（２１）と第１の金属柱（２２）とが、第１の金属柱（２２）の他方端面が露出するように第１の樹脂部材（３０）により一体封止され、第１の金属柱（２２）の他方端面には接続電極（４１）が設けられている。第１の樹脂部材（３０）の表面には、金属層（４２）が、平面視で第１の電子部品（２１）と少なくとも一部が重なるように配置されている。

摘要翻译：

提供一种电路模块，能够有效地散发连接到基板的电子元件的热量。 电路模块（100）包括：基板（10），其包括基板元件主体（11）和设置在基板元件主体（11）的一个主表面上的第一焊盘电极（12）和第二焊盘电极 （10），第一电子部件（21），第一金属柱（22）和第一树脂部件（30）。 第一电子部件（21）和第一焊盘电极（12）连接，第一金属柱（22）的一个端面与第二焊盘电极（13）彼此连接， 电子部件（21）和第一金属柱（22）通过第一树脂部件（30）一体地密封，使得第一金属柱（22）的另一个端面露出，并且第一金属柱 连接电极（41）设置在金属柱（22）的另一个端面上。 在第一树脂部件（30）的表面上，金属层（42）在平面图中布置成至少部分地与第一电子部件（21）重叠。