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    INTEGRATION OF EPITAXIAL LIFT-OFF SOLAR CELLS WITH MINI-PARABOLIC CONCENTRATOR ARRAYS VIA PRINTING METHOD
    1.
    发明申请
    INTEGRATION OF EPITAXIAL LIFT-OFF SOLAR CELLS WITH MINI-PARABOLIC CONCENTRATOR ARRAYS VIA PRINTING METHOD 审中-公开
    通过印刷方法将外延起飞的太阳能电池与微型聚光器阵列集成

    公开(公告)号：WO2015156874A8

    公开(公告)日：2016-10-20

    申请号：PCT/US2015011601

    申请日：2015-01-15

    Applicant: UNIV MICHIGAN REGENTS

    Inventor： FORREST STEPHEN R ,  LEE KYUSANG ,  FAN DEJIU ,  ZIMMERMAN JERAMY

    IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/054 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/18

    CPC classification number: H01L31/1896 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

    Abstract: There is disclosed a method of preparing a photovoltaic device. In particular, the method comprises integrating epitaxial lift-off solar cells with mini-parabolic concentrator arrays via a printing method. Thus, there is disclosed a method comprising providing a growth substrate; depositing at least one protection layer on the growth substrate; depositing at least one sacrificial layer on the protection layer; depositing at least one photoactive cell on the sacrificial layer; etching a pattern of at least two parallel trenches that extend from the at least one photoactive cell to the sacrificial layer; depositing a metal on the at least one photoactive cell; bonding said metal to a host substrate; and removing the sacrificial layer with one or more etch steps. The host substrate can be a siloxane, which when rolled, can form a stamp used to integrate solar cells into concentrator arrays. There are also disclosed a method of making a growth substrate and the growth substrate made therefrom.

    Abstract translation: 公开了一种制备光伏器件的方法。 特别地，该方法包括通过印刷方法将外延剥离太阳能电池与微型抛物面聚光器阵列集成。 因此，公开了一种包括提供生长衬底的方法; 在生长衬底上沉积至少一个保护层; 在保护层上沉积至少一个牺牲层; 在所述牺牲层上沉积至少一个光活性单元; 蚀刻从至少一个光活性单元延伸到牺牲层的至少两个平行沟槽的图案; 在所述至少一个光活性电池上沉积金属; 将所述金属键合到主体衬底; 以及用一个或多个蚀刻步骤去除牺牲层。 主体衬底可以是硅氧烷，其在卷绕时可以形成用于将太阳能电池集成到聚光器阵列中的印模。 还公开了一种制备生长衬底和由其制成的生长衬底的方法。

    HERSTELLUNG VON ELEKTRONISCHEN BAUTEILEN AUF EINEM SUBSTRAT
    2.
    发明申请
    HERSTELLUNG VON ELEKTRONISCHEN BAUTEILEN AUF EINEM SUBSTRAT 审中-公开
    生产电子元器件在基板

    公开(公告)号：WO2015124419A1

    公开(公告)日：2015-08-27

    申请号：PCT/EP2015/052170

    申请日：2015-02-03

    Applicant: FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH

    Inventor： MERDZHANOVA, Tsvetelina ,  BERGFELD, Stefan

    IPC: H01L31/18

    CPC classification number: H01L31/1896 ,  Y02E10/50

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von elektronischen Bauteilen auf einem transparenten Substrat. Mit der vorliegenden Erfindung wird das Ziel verfolgt, elektronische Bauteile auf Substraten herzustellen, ohne auf preiswerte und daher technisch einfache Substrate angewiesen zu sein. Zur Lösung der Aufgabe wird ein Substrat bereitgestellt, welches für Licht eines eingesetzten Lasers durchlässig ist. Auf das Substrat wird eine durch Laserlicht schmelzbare oder verdampfbare Schicht, vorzugsweise eine Metalischicht und zwar beispielsweise eine aus Silber bestehende Schicht oder eine aus Aluminium bestehende Schicht, aufgetragen. Hierauf werden weitere Schichten aufgetragen, die für die Herstellung des gewünschten elektronischen Bauteils erforderlich sind. Nach der teilweisen oder vollständigen Herstellung des elektronischen Bauteils auf dem Substrat wird die durch Laserlicht schmelzbare oder verdampfbare Schicht von dem Substrat abgelöst und zwar durch Licht des eingesetzten Lasers, welches durch das Substrat hindurch auf die durch Laserlicht schmelzbare oder verdampfbare Schicht gelenkt wird, um so die durch Laserlicht schmelzbare oder verdampfbare Schichtabzutrennen.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于在透明衬底上制造电子元件的方法。 本发明的目的是制造在基板上的电子元件，而不必依靠低成本，因此技术上简单的底物。 为了达到上述目的，提供了一种衬底，其是透明的，以所使用的激光的光。 在衬底是可熔通过激光或可汽化的层，优选为金属层和，例如，涂敷银的现有层或现有铝层。 然后另外的层被施加，这是必要的生产所需的电子部件的。 在基板上的电子元件的部分或完全制备后，通过激光或可汽化层的可熔从衬底并通过所使用的激光，这是通过在衬底通过激光或可汽化的层，以便引导到可熔性的光剥离 可熔性通过激光或可汽化Schichtabzutrennen。

    THERMALLY-ASSISTED COLD-WELD BONDING FOR EPITAXIAL LIFT-OFF PROCESS
    3.
    发明申请
    THERMALLY-ASSISTED COLD-WELD BONDING FOR EPITAXIAL LIFT-OFF PROCESS 审中-公开
    用于外延提升过程的热辅助冷焊

    公开(公告)号：WO2015119690A1

    公开(公告)日：2015-08-13

    申请号：PCT/US2014/065003

    申请日：2014-11-11

    Applicant: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN

    Inventor： FORREST, Stephen, R. ,  LEE, Kyusang

    IPC: H01L31/18

    CPC classification number: H01L31/1864 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/50

    Abstract: A process for assembling a thin-film optoelectronic device is disclosed. The process may include providing a growth structure comprising a wafer having a growing surface, a sacrificial layer, and a device region. The process may further include providing a host substrate and depositing a first metal layer on the device region and depositing a second metal layer on the host substrate. The process may further include bonding the first metal layer to the second metal layer by pressing the first and second metal layers together at a bonding temperature, wherein the bonding temperature is above room temperature and below the lower of a glass transition temperature of the host substrate and a melting temperature of the host substrate.

    Abstract translation: 公开了一种用于组装薄膜光电子器件的方法。 该方法可以包括提供包括具有生长表面的晶片，牺牲层和器件区域的生长结构。 该方法还可以包括提供主机衬底并在器件区域上沉积第一金属层并在主体衬底上沉积第二金属层。 该方法还可以包括通过在接合温度下将第一和第二金属层压在一起而将第一金属层接合到第二金属层，其中接合温度高于室温并且低于主体基板的玻璃化转变温度的较低点 和主体基板的熔融温度。

    THIN FILM LIFT-OFF VIA COMBINATION OF EPITAXIAL LIFT-OFF AND SPALLING
    4.
    发明申请
    THIN FILM LIFT-OFF VIA COMBINATION OF EPITAXIAL LIFT-OFF AND SPALLING 审中-公开
    薄膜通过外延起飞和分离的组合提升

    公开(公告)号：WO2015073089A1

    公开(公告)日：2015-05-21

    申请号：PCT/US2014/052642

    申请日：2014-08-26

    Applicant: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN

    Inventor： FORREST, Stephen, R. ,  LEE, Kyusang ,  ZIMMERMAN, Jeramy, D.

    IPC: H01L21/18

    CPC classification number: H01L31/1896 ,  H01L21/187 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50

    Abstract: The present disclosure generally relates to thin film liftoff processes for use in making devices such as electronic and optoelectronic devices, e.g., photovoltaic devices. The methods described herein use a combination of epitaxial liftoff and spalling techniques to quickly and precisely control the separation of an epilayer from a growth substrate. Provided herein are growth structures having a sacrificial layer positioned between a growth substrate and a sacrificial layer. Exemplary methods of the present disclosure include forming at least one notch in the sacrificial layer and spalling the growth structure by crack propagation at the at least one notch to separate the epilayer from the growth substrate.

    Abstract translation: 本公开一般涉及用于制造诸如电子和光电子器件（例如光伏器件）的器件的薄膜去离子方法。 本文描述的方法使用外延剥离和剥落技术的组合来快速且精确地控制外延层与生长衬底的分离。 本文提供了具有位于生长衬底和牺牲层之间的牺牲层的生长结构。 本公开的示例性方法包括在牺牲层中形成至少一个切口并且通过在至少一个切口处的裂纹扩展剥离生长结构，以将外延层与生长基底分离。

    SHUNT TREATMENT IN INVERTED AND WAFER BONDED SOLAR CELLS
    5.
    发明申请
    SHUNT TREATMENT IN INVERTED AND WAFER BONDED SOLAR CELLS 审中-公开
    反相和波导粘结太阳能电池中的分流处理

    公开(公告)号：WO2014189626A1

    公开(公告)日：2014-11-27

    申请号：PCT/US2014/033681

    申请日：2014-04-10

    Applicant: THE BOEING COMPANY

    Inventor： CHIU, Philip ,  MESROPIAN, Shoghig ,  KRUT, Dimitri D.

    IPC: H01L31/0687 ,  H01L31/18

    CPC classification number: H01L31/0201 ,  H01L31/06875 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  Y10S136/29

    Abstract: Provided are methods and systems for treating shunts on solar cell substrates. Also provided are solar cells including such substrates. A shunt detected on a substrate proximate to a metallized grid pattern (404) is electrically disconnected from at least the bus portion of the grid, which reduces shunt's impact on performance on the solar cell. An antireflective layer may be disposed between the shunt and a portion of the grid extending over the shunt. The exposure pattern (402) of a photoresist used to form the antireflective layer may be adjusted accordingly to achieve this result. In some embodiments, the metallized grid may be modified by adjusting the exposure pattern (404) of a photoresist used to form this grid. The grid may be modified to avoid any contact between the grid and the shunt or to disconnect a portion of the grid contacting the shunt from the bus portion area of the grid.

    Abstract translation: 提供了用于处理太阳能电池基板上的分流器的方法和系统。 还提供了包括这种基板的太阳能电池。 在靠近金属化栅格图案（404）的衬底上检测到的分流器与至少栅极的总线部分电连接，这降低了分流对太阳能电池的性能的影响。 防反射层可以设置在分流器和在分流器之间延伸的网格的一部分之间。 可以相应地调节用于形成抗反射层的光致抗蚀剂的曝光图案（402）以实现该结果。 在一些实施例中，可以通过调整用于形成该栅格的光致抗蚀剂的曝光图案（404）来修改金属化栅格。 可以修改电网以避免电网和分流器之间的任何接触，或者使接触分流器的电网部分与电网的总线部分区域断开。

    薄膜太陽電池セルおよびその製造方法
    7.
    发明申请
    薄膜太陽電池セルおよびその製造方法 审中-公开
    薄膜太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号：WO2014002824A1

    公开(公告)日：2014-01-03

    申请号：PCT/JP2013/066697

    申请日：2013-06-18

    Applicant: シャープ株式会社

    Inventor： 鷲尾　英俊

    IPC: H01L31/04

    CPC classification number: H01L31/1896 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/06875 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

    Abstract: 　薄膜太陽電池セルは、少なくとも１つのＰＮ接合部を有し、互いに対向する第１主面および第２主面を有するセル本体（３０）と、セル本体（３０）の第１主面上に形成された第１電極としての表面電極（２０）と、セル本体（３０）の第２主面上に形成された第２電極としての裏面電極（７）とを備える。前記第１電極と前記第２電極とは、セル本体（３０）を平面的に見て互いに重複しない位置に形成されている。

    Abstract translation: 该薄膜太阳能电池设置有：具有至少一个PN结的具有第一主表面和第二主表面的电池体（30）; 形成在电池体（30）的第一主面上的作为第一电极的表面电极（20）; 和形成在电池体（30）的第二主面上的第二电极的后电极（7）。 第一电极和第二电极形成在电池体（30）的俯视图中彼此不重叠的位置处。

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