패턴 형성 방법
    2.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2023003215A1

    公开(公告)日:2023-01-26

    申请号:PCT/KR2022/009599

    申请日:2022-07-04

    摘要: 기판 상에 금속 함유 레지스트 조성물을 도포하는 단계; 상기 기판의 에지를 따라 에지 비드 제거용 조성물을 도포하는 단계; 건조 및 가열하여 상기 기판 상에 금속 함유 레지스트막을 형성시키는 열처리 단계; 및 노광 및 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법으로서, 상기 에지 비드 제거용 조성물은 아인산계 화합물, 차아인산계 화합물, 아황산계 화합물 및 하이드록삼산계 화합물 중 적어도 1종의 첨가제, 그리고 유기 용매를 포함한다. 대표도: 도 1

    組成物、基板の洗浄方法
    4.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2022163350A1

    公开(公告)日:2022-08-04

    申请号:PCT/JP2022/000716

    申请日:2022-01-12

    发明人: 水谷 篤史

    摘要: 本発明は、半導体デバイス用の組成物であって、残渣除去性に優れる組成物を提供する。また、本発明は、上記組成物を用いた基板の洗浄方法を提供する。組成物は、半導体デバイス用の組成物であって、アルコールと、非プロトン性極性溶媒と、アゾール化合物と、アルカノールアミンと、水と、を含む。

    樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物
    6.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2022114110A1

    公开(公告)日:2022-06-02

    申请号:PCT/JP2021/043347

    申请日:2021-11-26

    摘要: 一態様において、基板樹脂のダメージを抑制しつつ、樹脂マスク除去性に優れる樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物を提供する。 本開示は、一態様において、第四級アンモニウム水酸化物(成分A)、アミノアルコール(成分B)、芳香族アルコール(成分C)及び水(成分D)を含有し、成分Dと成分Cとの質量比D/Cが10以上である、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物に関する。