めっき積層体
    3.
    发明申请
    めっき積層体 审中-公开

    公开(公告)号:WO2021166641A1

    公开(公告)日:2021-08-26

    申请号:PCT/JP2021/003848

    申请日:2021-02-03

    IPC分类号: C23C18/52

    摘要: 導体回路等の表面に付与するめっき積層体(めっき皮膜の積層体)であって、該めっき積層体の上にはんだ接合した際に高い接合強度を維持することができ、また、安定的に製造できるようなめっき積層体を提供する。 第一金属を主成分とする被めっき体Sの上に第二金属を主成分とするめっき層Aを析出させた後、めっき層Aの上にパラジウムを主成分とするめっき層Bを置換反応により析出させ、その後更に、めっき層Bの上に、ニッケルを主成分とするめっき層Cを酸化還元反応により析出させる。第一金属は、例えば、銅である。第二金属は、例えば、金、白金又は銀である。

    積層体およびその製造方法
    4.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2021020064A1

    公开(公告)日:2021-02-04

    申请号:PCT/JP2020/026840

    申请日:2020-07-09

    摘要: 本発明の課題は、半導体製造装置の構成部材に適用可能であり、耐食性、特に酸や高温スチームに対する耐食性に優れた金属材料を提供することにある。本発明に係る積層体は、金属基材と、前記金属基材上に形成されたニッケル含有めっき被膜層と、前記ニッケル含有めっき被膜層上に形成された金めっき被膜層とを有し、かつ、前記金めっき被膜層のピンホールが厚さ15nm以上の不働態被膜によって封孔されている。

    めっき液およびその製造方法、並びに、複合材料、銅複合材料およびその製造方法
    9.
    发明申请
    めっき液およびその製造方法、並びに、複合材料、銅複合材料およびその製造方法 审中-公开
    其制造方法及其制造方法,复合材料,铜复合材料及其制造方法

    公开(公告)号:WO2016013219A1

    公开(公告)日:2016-01-28

    申请号:PCT/JP2015/003679

    申请日:2015-07-22

    摘要:  本発明は、液中に炭素ナノ繊維が良好に分散しためっき液を提供する。また、本発明は、導電性および熱伝導性に優れる複合材料を提供する。本発明のめっき液は、めっき可能な金属イオンと、キレート剤と、イオン性界面活性剤と、高分子系界面活性剤と、炭素ナノ繊維とを含む。そして、本発明の第一の複合材料は、当該めっき液を用いて基材表面に電解めっき処理または無電解めっき処理を行って得られる。また、本発明の第二の複合材料は、銅と炭素ナノ構造体とが複合化された銅複合材料であって、銅複合材料は、X線回折分析において、亜酸化銅に帰属されるX線回折ピークの回折強度が検出限界以下である。

    摘要翻译: 本发明提供了碳纳米纤维充分分散在液体中的电镀液。 本发明还提供具有优异的导电性和导热性的复合材料。 该电解液包括可镀金属离子,螯合剂,离子表面活性剂,基于聚合物的表面活性剂和碳纳米纤维。 该第一复合材料通过使用电镀溶液在基材表面上进行电镀工艺或无电镀处理而获得。 该第二复合材料是其中铜和碳纳米纤维结构复合的铜复合材料,其中归于铜复合材料中的氧化铜(I)的X射线衍射峰的衍射强度处于或低于检测 极限在X射线衍射分析。

    導電性粒子、導電材料及び接続構造体
    10.
    发明申请
    導電性粒子、導電材料及び接続構造体 审中-公开
    导电颗粒,导电材料和连接结构

    公开(公告)号:WO2013094636A1

    公开(公告)日:2013-06-27

    申请号:PCT/JP2012/082910

    申请日:2012-12-19

    发明人: 西岡 敬三

    摘要:  電極間の接続抵抗を低くすることができる導電性粒子を提供する。 本発明に係る導電性粒子1は、基材粒子2と、基材粒子2を被覆している導電層3と、導電層3内に埋め込まれている複数の芯物質4とを備える。導電層3は外側の表面に複数の突起3aを有する。導電層3の突起3aの内側に芯物質4が配置されている。基材粒子2の表面と芯物質4の表面とが距離を隔てている。基材粒子2の表面と芯物質4の表面との間の平均距離は5nmを超える。

    摘要翻译: 提供能够降低电极之间的连接电阻的导电粒子。 根据本发明的导电颗粒(1)分别具有:基础颗粒(2); 覆盖所述基体颗粒(2)的导电层(3); 和嵌入导电层(3)中的物质的芯(4)。 导电层(3)在其外表面上具有突起(3a)。 物质的芯(4)设置在导电层(3)上的突起(3a)的内部。 距离将基础颗粒(2)的表面与物质的芯(4)的表面分离,其间的平均距离超过5nm。