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公开(公告)号：WO2023085602A1
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：PCT/KR2022/014687
申请日：2022-09-29
申请人： 신정훈 , 주식회사 비투지홀딩스
发明人： 신정훈 SHIN, Joung Hun
摘要： 질화갈륨 단결정 성장을 위한 하이드라이드 기상 증착 장비는 상하로 배열되는 소스 존과 성장 존을 형성하는 반응로, 상기 소스 존에 배치되며 액상 갈륨과 염화수소 가스의 반응에 의해 소스 가스인 염화갈륨 가스를 생성할 수 있도록 구성되는 소스 가스 생성 용기, 상기 소스 가스 생성 용기에서 생성된 상기 염화갈륨 가스와 암모니아 가스 공급 관을 통해 공급되는 암모니아 가스의 반응에 의해 질화갈륨 단결정 성장이 이루어지는 성장 분위기를 형성하도록 상기 성장 존에 구비되는 성장 챔버, 그리고 상기 성장 챔버에서 상기 염화갈륨 가스와 상기 암모니아 가스의 반응의 결과로 얻어지는 부산물 가스를 배출하기 위한 푸쉬 가스를 상기 성장 챔버로 공급하는 푸쉬 가스 유입 튜브를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2023085601A1
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：PCT/KR2022/014684
申请日：2022-09-29
申请人： 신정훈 , 주식회사 비투지홀딩스
发明人： 신정훈 SHIN, Joung Hun
摘要： 질화갈륨 단결정 성장을 위한 하이드라이드 기상 증착 장비는 상하로 배열되는 소스 존과 성장 존을 형성하는 반응로, 액상 갈륨을 저장하며 염화수소 공급 관을 통해 염화수소 가스를 공급받아 상기 액상 갈륨과 상기 염화수소 가스의 반응에 의해 소스 가스인 염화갈륨 가스를 생성할 수 있도록 구성되는 소스 가스 생성 용기, 상기 소스 가스 생성 용기를 수용하며 상기 소스 존을 통과하도록 상하방향으로 연장되어 상기 소스 가스 생성 용기에서 생성된 상기 염화갈륨 가스를 상기 성장 존으로 안내할 수 있도록 구성되는 소스 가스 가이드 튜브, 그리고 상기 소스 가스 가이드 튜브를 통해 상기 염화갈륨 가스를 공급받고 암모니아 가스 공급 관을 통해 암모니아 가스를 공급받을 수 있도록 구성되며 상기 염화갈륨 가스와 상기 암모니아 가스의 반응에 의해 질화갈륨 단결정 성장이 이루어질 수 있는 분위기를 형성하도록 상기 성장 존에 구비되는 성장 챔버를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2022256082A1
公开(公告)日：2022-12-08
申请号：PCT/US2022/023967
申请日：2022-04-08
摘要： A method and apparatus for processing semiconductor substrates is described herein. The apparatus includes one or more growth monitors disposed within an exhaust system of a deposition chamber. The growth monitors are quartz crystal film thickness monitors and are configured to measure the film thickness grown on the growth monitors while a substrate is being processed within the deposition chamber. The growth monitors are connected to a controller, which adjusts the heating apparatus and gas flow apparatus settings during the processing operations. Measurements from the growth monitors as well as other sensors within the deposition chamber are used to adjust processing chamber models of the deposition chamber as substrates are processed therein.
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公开(公告)号：WO2022171529A1
公开(公告)日：2022-08-18
申请号：PCT/EP2022/052660
申请日：2022-02-04
申请人： AIXTRON SE
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/44 , C30B25/14
摘要： Die Erfindung betrifft einen CVD-Reaktor mit einem eine Kühleinrichtung (12, 16, 17) aufweisenden Gaseinlassorgan (1), welches in eine Prozesskammer (2) mündende Gasaustrittsöffnungen (14) aufweist, wobei die Prozesskammer (2) eine unmittelbar an das Gaseinlassorgan (1) angrenzende Vorlaufzone (V) und eine sich daran in einer Strömungsrichtung (S) eines aus den Gasaustrittsöffnungen (14) in die Prozesskammer (2) eintretenden Prozessgases anschließende Prozesszone (P) aufweist, in welcher ein oder mehrere Lagerplätze (14) zur Lagerung von Substraten (6) angeordnet sind, wobei die Vorlaufzone (V) einen ersten Bodenabschnitt (10) aufweist, der unmittelbar an das Gaseinlassorgan (1) angrenzt und einen zweiten Bodenabschnitt (11) aufweist, der zwischen dem ersten Bodenabschnitt (10) und der Prozesszone (P) angeordnet ist. Um beim Abscheiden von beispielsweise Siliziumkarbid die Bildung von parasitären Belegungen zu Beginn der Vorlaufzone zu unterbinden, wird vorgeschlagen, dass der erste Bodenabschnitt (10) in Strömungsrichtung (S) ansteigt, sodass sich die Höhe der Prozesskammer ausgehend vom Gaseinlassorgan zunächst vermindert.
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公开(公告)号：WO2022123072A1
公开(公告)日：2022-06-16
申请号：PCT/EP2021/085393
申请日：2021-12-13
IPC分类号： C30B35/00 , C30B29/36 , C30B23/02 , C30B23/00 , C30B25/08 , C30B25/14 , C30B25/18 , C23C16/32 , C30B25/10 , C01B32/963
摘要： The present invention relates to a method for producing a preferably elongated SiC solid, in particular of polytype 3C. The method according to the invention preferably comprises at least the following steps: Introducing at least a first source gas into a process chamber, said first source gas comprising Si, introducing at least one second source gas into the process chamber, the second source gas comprising C, electrically energizing at least one separator element disposed in the process chamber to heat the separator element, setting a deposition rate of more than 200pm/h, wherein a pressure in the process chamber of more than 1 bar is generated by the introduction of the first source gas and/or the second source gas, and wherein the surface of the deposition element is heated to a temperature in the range between 1300°C and 1700°C.
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公开(公告)号：WO2022004181A1
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：PCT/JP2021/019171
申请日：2021-05-20
申请人： 住友電気工業株式会社
发明人： 西口 太郎
IPC分类号： C30B29/36 , C23C16/02 , C23C16/42 , C30B25/14 , C30B25/16 , C30B25/20 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/66477
摘要： 本開示に係る炭化珪素エピタキシャル基板は、炭化珪素基板と、第１炭化珪素エピタキシャル層と、第２炭化珪素エピタキシャル層とを有している。第１炭化珪素エピタキシャル層は、炭化珪素基板上にある。第２炭化珪素エピタキシャル層は、第１炭化珪素エピタキシャル層上にある。第１炭化珪素エピタキシャル層における第１粒子の面密度を第１面密度とし、かつ、第２炭化珪素エピタキシャル層における第２粒子の面密度を第２面密度とした場合、第１面密度を第２面密度で除した値は、０．５よりも大きく１未満である。第１粒子および第２粒子の各々の最大径は、２μｍ以上５０μｍ以下である。
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公开(公告)号：WO2021011109A1
公开(公告)日：2021-01-21
申请号：PCT/US2020/036278
申请日：2020-06-05
发明人： OKI, Shinichi , MORI, Yoshinobu
摘要： Disclosed herein is a heat shield assembly for a processing chamber. The processing chamber includes a body having sidewalls, a bottom and a lid that define an interior volume. The heat shield assembly is disposed in the interior volume, and includes a heat shield and a preheat member. The preheat member includes an inner circumference, and is positioned below the heat shield. A susceptor is disposed in the interior volume and configured to support a substrate, and is positioned within the inner circumference of the preheat member. An opening is positioned between the susceptor and the preheat member. A first section of the opening is proximate to a gas inlet, and is covered by the heat shield. A second section of the annular opening is proximate a gas outlet, and is not covered by the heat shield member.
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公开(公告)号：WO2021009019A1
公开(公告)日：2021-01-21
申请号：PCT/EP2020/069473
申请日：2020-07-10
申请人： AIXTRON SE
发明人： SCHÖN, Oliver
IPC分类号： C23C16/455 , C30B25/14
摘要： Die Erfindung betrifft eine Gasaustrittsfläche (16) eines Gaseinlassorgans (2) für einen CVD-Reaktor (1) oder einer Schirmplatte (14) für ein Gaseinlassorgan (2), die eine Vielzahl von um ein Zentrum (10) angeordnete Gasaustrittsöffnungen (7, 17) aufweist, wobei die Mittelpunkte (8') der Gasaustrittsöffnungen (7, 17) auf den Eckpunkten (8') polygonaler, gleichgestalteter und einen geometrischen Mittelpunkt (9) aufweisenden Zellen (8) liegen, wobei die Lage und die Länge der Ränder (8'') der Zellen (8) von sich kreuzenden Bezugslinien (13, 13', 13'') definiert sind, die Bezugslinien (13, 13', 13'') zumindest zwei Linienscharen zugeordnet sind, und die Bezugslinien jeweils einer Linienschar über die gesamte Gasaustrittsfläche gradlinig und parallel zueinander verlaufen. Erfindungsge- mäß liegt das Zentrum (10) um ein Drittel ± 10 Prozent der Länge des Randes vom Eckpunkt (8') entfernt.
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公开(公告)号：WO2019184747A1
公开(公告)日：2019-10-03
申请号：PCT/CN2019/078524
申请日：2019-03-18
申请人： 湖南大学
摘要： 本发明公开了一种双气流生长二维材料反应室设备，包括火炉以及设在火炉内的反应管，所述反应管两端均连接有输送管道和法兰，所述法兰上连接有进气管和出气管。该结构的二维材料反应室设备，通过两端双气流控制代替单向气流控制，能够更好的控制二维材料成核点的产生时间以及生长时间，有效的解决了生产二维材料时成核点产生过早或者生长时间不宜控制的缺点，从而生长出大尺寸，形状规则，厚度分布均匀的高质量单晶。总之，本发明能够起到高效，节约人工成本的效果，同时提高了实验效率，保证了生长二维材料的尺寸、形状和质量，完全适用于管式炉控制生长二维材料。
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公开(公告)号：WO2018189413A1
公开(公告)日：2018-10-18
申请号：PCT/FI2017/050254
申请日：2017-04-10
申请人： PICOSUN OY
发明人： MALINEN, Timo , KOSTAMO, Juhana , PUDAS, Marko
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/00 , C23C16/44 , C23C18/00 , C30B25/00 , C30B25/16 , C30B25/14 , H01L21/00
摘要： A reaction chamber of a substrate processing apparatus contains a reaction space. At least three lateral chemical inlets point towards a centre area of the reaction space each from different directions, each of the at least three lateral chemical inlets providing an individually closable route for a first precursor chemical to the reaction space.
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