利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

313 条记录 (耗时 0.019 秒)

    절삭공구용 초경합금, 절삭공구 및 절삭공구용 초경합금의 제조방법
    1.
    发明申请
    절삭공구용 초경합금, 절삭공구 및 절삭공구용 초경합금의 제조방법 审中-公开

    公开(公告)号：WO2023038238A1

    公开(公告)日：2023-03-16

    申请号：PCT/KR2022/008458

    申请日：2022-06-15

    申请人： 한국야금 주식회사

    发明人： 신종대 ,  오세웅 ,  안선용 ,  김영흠

    IPC分类号： C22C29/08 ,  B22F3/03 ,  B22F7/06 ,  C23C16/32

    摘要： 본 발명은 중량%로, 4~13%의 Co, 1~12%의 화합물 및 잔부의 WC 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 절삭공구용 초경합금에 있어서, 상기 화합물의 평균 입자 직경이 0.4㎛ 이하이며, 상기 WC의 평균 입자 직경이 1.2 내지 2.2㎛ 일 때, 상기 화합물의 평균 입자 직경과 상기 WC의 평균 입자 직경이 하기 관계식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는, 절삭공구용 초경합금에 관한 것이다. [관계식 1] 18 ≤ 100(A/B) ≤ 30 (상기 관계식 1에서 상기 A는 절삭공구용 초경합금에 있어서 화합물의 평균 입자 직경을 의미하고, 상기 B는 WC의 평균 입자 직경을 의미한다)

    被覆工具
    2.
    发明申请
    被覆工具 审中-公开

    公开(公告)号：WO2023276209A1

    公开(公告)日：2023-01-05

    申请号：PCT/JP2022/002520

    申请日：2022-01-25

    申请人： 京セラ株式会社

    发明人： 金城　洋之 ,  久保　隼人 ,  勝間　忠

    IPC分类号： B23B27/14 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36

    摘要： 本開示の限定されない一面に基づく被覆工具は、超硬合金からなる基体と、基体の表面に位置する被覆層とを有する。被覆層は、基体に接する第１層を有する。第１層は、Ｔｉ（ＣxＮ1-x）（０≦ｘ≦１）を含有する。基体は、複数のＷＣ粒子を含有する。基体の表面から５μｍまでの深さの領域を第１領域とし、基体の表面から１００μｍ以上、２００μｍ以下の深さの領域を第２領域とする。第１領域の炭素量の最大値を第１炭素量とし、第２領域の炭素量の最大値を第２炭素量とする。第１炭素量は、第２炭素量よりも多い。第１領域のＫＡＭ値の平均値は、０．４°未満である。

    CATALYTIC THERMAL DEPOSITION OF CARBON-CONTAINING MATERIALS
    3.
    发明申请
    CATALYTIC THERMAL DEPOSITION OF CARBON-CONTAINING MATERIALS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022225829A1

    公开(公告)日：2022-10-27

    申请号：PCT/US2022/025160

    申请日：2022-04-18

    申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

    发明人： SHEN, Zeqing ,  QI, Bo ,  MALLICK, Abhijit Basu

    IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/32

    摘要： Exemplary methods of semiconductor processing may include providing a silicon-containing precursor and a carbon-containing precursor to a processing region of a semiconductor processing chamber. The carbon-containing precursor may be characterized by a carbon-carbon double bond or a carbon-carbon triple bond. A substrate may be disposed within the processing region of the semiconductor processing chamber. The methods may include providing a boron-containing precursor to the processing region of the semiconductor processing chamber. The methods may include thermally reacting the silicon-containing precursor, the carbon-containing precursor, and the boron-containing precursor at a temperature above about 250 °C. The methods may include forming a silicon-and-carbon-containing layer on the substrate.

    一种纳米金刚石刀具及其制备方法和应用
    5.
    发明申请
    一种纳米金刚石刀具及其制备方法和应用 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022095748A1

    公开(公告)日：2022-05-12

    申请号：PCT/CN2021/126270

    申请日：2021-10-26

    申请人： 上海征世科技股份有限公司

    发明人： 王涛 ,  王箫 ,  满卫东 ,  张雪梅 ,  朱长征 ,  徐念 ,  龚闯

    IPC分类号： B24B29/02 ,  B23K26/38 ,  C23C16/50 ,  C23C16/34 ,  C23C16/02 ,  C23C16/32

    摘要： 一种纳米金刚石刀具的制备方法及其应用，采用金刚石作为原料，除包括切割定型工序、抛光工序和刃口加工工序外，还特别包括在切割定型工序之前进行的预处理工序和在刃口加工工序之后进行的表面修饰工序，其中预处理工序用以尽量消除所述金刚石中的缺陷；表面修饰工序用以在刃口表面形成保护层；在抛光工序中：首先对金刚石刀具基材进行检测以识别金刚石的晶面，然后选取金刚石的(100)晶面或(110)晶面进行后续的抛光，并将抛光后的晶面作为前刀面；刃口加工工序采用保护性刃磨方法或激光定向解理方法。制成的纳米金刚石刀具能够达到刃口精度为1～5nm，适于应用于车削、纳米探针和生物切片等领域。

    成膜方法及び成膜装置
    6.
    发明申请
    成膜方法及び成膜装置 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022070918A1

    公开(公告)日：2022-04-07

    申请号：PCT/JP2021/033912

    申请日：2021-09-15

    申请人： 東京エレクトロン株式会社

    发明人： 長谷川　敏夫

    IPC分类号： C23C16/32 ,  C23C16/455 ,  H01L21/314

    摘要： 本開示の一態様による成膜方法は、基板に金属炭化膜を成膜する成膜方法であって、前記基板に第１の金属元素を含みかつ炭素を含まない第１の原料ガスを供給する工程と、前記基板に前記第１の金属元素とは異なる第２の金属元素を含みかつ炭素を含む第２の原料ガスを供給する工程と、前記基板に還元剤を供給する工程と、を時分割して複数回行うことにより、前記基板の上に前記第１の金属元素及び前記第２の金属元素を含む金属炭化膜を形成する工程を有し、前記第１の原料ガスを供給する工程、前記第２の原料ガスを供給する工程及び前記還元剤を供給する工程を行う順序を調整することで、前記金属炭化膜に含まれる第１の金属元素と第２の金属元素の濃度を制御する。

    炭化物被覆炭素材料
    9.
    发明申请
    炭化物被覆炭素材料 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022009580A1

    公开(公告)日：2022-01-13

    申请号：PCT/JP2021/021580

    申请日：2021-06-07

    申请人： 信越化学工業株式会社

    发明人： 平手　暁大 ,  山村　和市

    IPC分类号： C01B32/00 ,  C01B32/914 ,  C23C16/32

    摘要： 本発明の炭化物被覆炭素材料（１）は、炭素を主成分とし、塩素を含む基材（１０）と、基材（１０）の上に設けられた、炭化物を主成分とし、塩素を含む炭化物層（２０）とを備え、基材（１０）が、炭化物層との界面近傍に、塩素濃度が炭化物層への方向に対して連続的に変化する基材緩衝領域（１１）を有し、炭化物層（２０）が、基材との界面近傍に、塩素濃度が基材への方向に対して連続的に変化する炭化物層緩衝領域（２１）を有し、基材緩衝領域（１１）および炭化物層緩衝領域（２１）の塩素濃度の最大値が１００００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。本発明によれば、炭化物層と炭素を主成分とする基材との界面において十分な密着強度を有する炭化物被覆炭素材料を提供することができる。