公开(公告)号：WO2021122014A1

公开(公告)日：2021-06-24

申请号：PCT/EP2020/084372

申请日：2020-12-03

Applicant: SILTRONIC AG

Inventor： BAUER, Stefan ,  KRETSCHMER, Robert

IPC: C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  G01N21/3563 ,  H01L21/66 ,  G01N21/47 ,  G01N21/95 ,  G01N2021/3568 ,  G01N21/4795 ,  G01N21/9503 ,  G01N21/9505 ,  H01L22/12

Abstract: Verfahren zur Bestimmung von Defektdichten in Halbleiterscheiben aus einkristallinem Silizium mittels Laser Scattering Tomography, umfassend das Bestrahlen einer geteilten Halbleiterscheibe mittels eines IR-Lasers entlang eines Abtastwegs parallel zu einer Trennfläche, die einen Winkel von 90° mit einer Oberfläche der Halbleiterscheibe einschließt, gekennzeichnet durch Teilen der Halbleiterscheibe senkrecht zur Oberfläche der Halbleiterscheibe entlang einer Trennlinie mittels thermischem Laserstrahl-Separieren, wobei die Oberfläche der Halbleiterscheibe im Wesentlichen {111}-orientiert ist.