公开(公告)号：WO2020251925A1

公开(公告)日：2020-12-17

申请号：PCT/US2020/036773

申请日：2020-06-09

Applicant: MSA TECHNOLOGY, LLC

Inventor： SWANSON, Meghan, E. ,  SANTORO, Daniel, D. ,  BROWN, Michael, Alvin ,  ZANELLA, Mark, Flori

IPC: G01N27/14

Abstract: A sensor system for detecting mass deposition from a gaseous environment includes a first sensor element including a first electrically conductive heating component and a first interface structure on the first electrically conductive heating component. The sensor system further includes electronic circuitry in connection with the first electrically conductive heating component. The electronic circuitry is configured to provide energy to the first electrically conductive heating component to heat the first sensor element and to measure a thermodynamic response of the first sensor element, which varies with mass deposition of one or more compositions on the first interface structure.

公开(公告)号：WO2018210571A1

公开(公告)日：2018-11-22

申请号：PCT/EP2018/061273

申请日：2018-05-03

Applicant: HERAEUS SENSOR TECHNOLOGY GMBH

Inventor： MUZIOL, Matthias ,  ASMUS, Tim ,  DIETMANN, Stefan

IPC: C04B35/00 ,  G01N15/06 ,  G01N27/14 ,  G01N27/16

Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf einen Sensor, insbesondere Hochtemperatursensor, aufweisend zumindest einen vollkeramischen Heizer (3, 3'); und zumindest eine erste Sensorstruktur (9) angeordnet zumindest bereichsweise auf einer ersten Seite des vollkeramischen Heizers (3, 3'). Auch betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren (1000) zum Herstellen eines Sensors.

公开(公告)号：WO2018176549A1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：PCT/CN2017/082347

申请日：2017-04-28

Applicant: 上海申矽凌微电子科技有限公司

Inventor： 赖建文

IPC: G01N27/14

CPC classification number: G01N27/041 ,  G01N27/14

Abstract: 一种气敏电阻的制造方法及使用该方法制造的气体传感器，包括如下步骤：步骤1，在硅片（1）的背面用两阶刻蚀法制作空硅腔体（8）；步骤2，在硅片（1）的正面用同一金属层（6）同时制作加热电阻（16）和气敏电阻的测量电极（11，12，13）；步骤3，在硅片（1）的正面制作气敏电阻以及加热电阻（16）的电极。该气敏电阻的制造方法采用干法湿法两步工艺，可以明显提高刻蚀的效率和质量。工艺流程可以使用一层金属布线同时实现气敏电阻的加热功能和电阻测试功能，简化工艺。气敏材料的测量采用四端的Kevin结构，可以同时精确测量材料的电阻率变化。采用Lift-off工艺制作气敏电阻和铝金属连线，可以独立制作多个气敏材料的传感单元。同时可以与低成本的铝铜金属布线工艺兼容。

公开(公告)号：WO2016102851A1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：PCT/FR2015/053639

申请日：2015-12-18

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： MARTEL, Benoît ,  DUBOIS, Sébastien ,  VEIRMAN, Jordi

IPC: G01N27/04 ,  G01N27/14 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N27/041 ,  G01N27/14 ,  H01L22/14

Abstract: La présente invention se rapporte à un procédé de détermination d'une contamination introduite par un équipement au sein de deux échantillons constitués d'un matériau semi-conducteur non compensé en impuretés dopantes, les deux échantillons ayant des types de conductivité opposés et comportant chacun des impuretés dopantes majoritaires dont le type de conductivité et la concentration sont connus. Le procédé comporte les différentes étapes consistant à : a) soumettre (310) chacun des deux échantillons à un traitement thermique dans l'équipement, la contamination introduite par l'équipement lors du traitement thermique se traduisant par l'apparition d'impuretés dopantes, dont le type de conductivité et la concentration sont inconnus, au sein des deux échantillons, les impuretés dopantes dues à la contamination étant minoritaires dans au moins un des deux échantillons traités; b) mesurer (320) dans chacun des deux échantillons traités la densité de porteurs de charge en fonction de la température; c) définir (330) pour chacun des deux échantillons traités une courbe représentant le logarithme de la densité de porteurs de charge en fonction de l'inverse de la température; d) détecter (340), pour ledit au moins un des deux échantillons traités, la position d'un changement de pente dans une zone de la courbe correspondant à un régime d'ionisation des impuretés dopantes; e) déterminer (350) la concentration des impuretés dopantes minoritaires dudit au moins un des deux échantillons traités à partir de la position du changement de pente.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于将由器件引入的污染物确定为由未用掺杂杂质补偿的半导体材料组成的两个样品的方法，所述两个样品具有相反的导电类型，并且每个包含其中导电类型和浓度已知的多数掺杂杂质 。 该方法包括以下步骤：a）使（310）两个样品中的每一个在器件中进行热处理，在热处理期间由器件引入的污染导致掺杂杂质的出现，其中导电性 类型和浓度是未知的，在两个样品中，在两个处理的样品中的至少一个中污染物产生的掺杂杂质少数; b）在两个处理的样品中的每一个中测量（320）作为温度的函数的电荷载流子的密度; c）对于两个处理的样品中的每一个，定义（330）表示作为温度倒数的函数的电荷载流子密度的对数的曲线; d）对于所述两个处理过的样品中的所述至少一个检测（340）对应于掺杂杂质的电离速率的曲线区域中的斜率变化的位置; e）从斜率变化的位置确定（350）所述两种处理过的样品中的所述至少一种的少数掺杂杂质的浓度。

公开(公告)号：WO2015143576A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：PCT/CL2015/050009

申请日：2015-03-25

Applicant: UNIVERSIDAD DE LOS ANDES ,  PONTIFICIA UNIVERSIDAD CATÓLICA DE CHILE

Inventor： LEBOEUF, Richard ,  RIVERA, Juan De Dios

IPC: G01N25/56 ,  G01N25/60 ,  G01N25/66 ,  G01N27/14

CPC classification number: G01N25/56 ,  G01P5/10

Abstract: Se provee una sonda de flujo de agua líquida de hilo caliente múltiple que permite la medición de velocidad en tierra, el contenido de agua líquida (LWC) y el flujo de agua líquida (LWF) en bruma o neblina. La sonda comprende al menos dos hilos calentados en suspensión en espigas de contacto de conducción eléctrica mantenidos a temperaturas contante o compensaciones de temperatura constante en relación a la temperatura ambiente, donde los sensores de hilo son soldados a estas espigas de contacto o son mecánicamente retenidos entre ranuras en los extremos de las espigas de contacto, y las espigas de contacto tienen extremos biselados y en ángulo ascendente para impedir que el agua que impacta la espiga de contacto pase a la sonda de hilo.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有多条热线的液体水流探针，能够测量陆地上的速度，雾或雾中的液态水含量（LWC）和液态水流量（LWF）。 探头包括悬挂在恒定温度的导电接触针上的至少两根加热线或相对于室温的恒定温度补偿，其中线传感器被焊接到所述接触销上或机械地保持在 接触销和接触销具有倾斜的端部并向上成角度，以防止撞击接触销的水通过导线探针。

公开(公告)号：WO2015132563A1

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：PCT/GB2015/050568

申请日：2015-02-27

Applicant: CAMBRIDGE CMOS SENSORS LIMITED

Inventor： UDREA, Florin ,  ALI, Syed Zeeshan ,  GARDNER, Julian

IPC: G01N27/14 ,  H05B3/26

CPC classification number: G01N27/04 ,  G01N27/14 ,  G01N33/0027 ,  H01L21/8238 ,  H05B3/143 ,  H05B3/265 ,  H05B2203/017

Abstract: It is disclosed herein a semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device. The semiconductor device is made using partly CMOS or CMOS based processing steps, and it includes a semiconductor substrate,a dielectric region over the semiconductor substrate, a heater within the dielectric region and a patterned layer of noble metal above the dielectric region. The method includes the deposition of a photoresist material over the dielectric region, and patterning the photo-resist material to form a patterned region over the dielectric region. The steps of depositing the photo-resist material and patterning the photo-resist material may be performed in sequence using similar photolithography and etching steps to those used in a CMOS process. The resulting semiconductor device is then subjected to further processing steps which ensure that a dielectric membrane and a metal structure within the membrane are formed in the patterned region over the dielectric region.

Abstract translation: 这里公开了半导体器件和半导体器件的制造方法。 半导体器件采用部分基于CMOS或CMOS的处理步骤制造，并且其包括半导体衬底，半导体衬底上的电介质区域，电介质区域内的加热器和介电区域上方的贵金属的图案化层。 该方法包括在电介质区域上沉积光致抗蚀剂材料，以及图案化光致抗蚀剂材料以在电介质区域上形成图案化区域。 可以使用与CMOS工艺中使用的相似的光刻和蚀刻步骤来顺序地执行沉积光致抗蚀剂材料和图案化光致抗蚀剂材料的步骤。 然后对所得的半导体器件进行进一步的处理步骤，其确保在电介质区域上的图案化区域中形成膜内的介电膜和金属结构。

公开(公告)号：WO2008082934A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：PCT/US2007/087743

申请日：2007-12-17

Applicant: HONEYWELL INTERNATIONAL INC. ,  TOBIAS, Peter

Inventor： TOBIAS, Peter

IPC: G01N27/14 ,  G01N33/00

CPC classification number: G01N33/0006 ,  G01N27/16 ,  Y10T436/100833

Abstract: Embodiments of the present invention relate to a gas sensor system comprising a gas sensor, a fluid reservoir enclosing a fluid and in proximity to the gas sensor and a membrane positioned between the gas sensor and fluid reservoir, wherein the membrane allows a sufficient amount of a test gas generated from the fluid to contact the gas sensor for testing. Embodiments also relate to a method of testing a gas sensor, the method comprises contacting reagents within a fluid reservoir, generating a test gas and contacting a gas sensor with the test gas sufficient to test the gas sensor.

Abstract translation: 本发明的实施例涉及一种气体传感器系统，其包括气体传感器，封闭流体并且靠近气体传感器的流体储存器和位于气体传感器和流体储存器之间的膜，其中膜允许足够量的 从流体产生的气体接触气体传感器进行测试。 实施例还涉及一种测试气体传感器的方法，该方法包括使流体储存器内的试剂接触，产生测试气体并使气体传感器与足以测试气体传感器的测试气体接触。

公开(公告)号：WO2004083840A1

公开(公告)日：2004-09-30

申请号：PCT/CA2003/000381

申请日：2003-03-19

Applicant: MICROBRIDGE TECHNOLOGIES INC. ,  LANDSBERGER, Leslie, M. ,  GRUDIN, Oleg ,  FROLOV, Gennadiy

Inventor： LANDSBERGER, Leslie, M. ,  GRUDIN, Oleg ,  FROLOV, Gennadiy

IPC: G01N27/14

CPC classification number: G01N27/14 ,  H01C17/232 ,  H01C17/267

Abstract: There is described a method and circuit for determining a temperature coefficient of change of a parameter of an electrical component, the method comprising: providing at least one thermally-isolated micro-platform on a substrate; placing an electrical component on the at least one thermally-isolated micro-platform; heating the electrical component; measuring a parameter value of the electrical component at a plurality of temperatures; and determining the temperature coefficient based on the measured parameter values.

Abstract translation: 描述了一种用于确定电气部件的参数的温度变化系数的方法和电路，所述方法包括：在衬底上提供至少一个热隔离微平台; 将电气部件放置在所述至少一个热隔离微平台上; 加热电气部件; 在多个温度下测量所述电气部件的参数值; 并根据所测量的参数值确定温度系数。

公开(公告)号：WO1994014057A1

公开(公告)日：1994-06-23

申请号：PCT/DE1993001135

申请日：1993-11-27

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  HIPP, Heinrich

Inventor： ROBERT BOSCH GMBH

IPC: G01N27/14

CPC classification number: H05B3/265 ,  G01N27/4067 ,  H05B3/12

Abstract: The proposal is for a heater arrangement for a measuring probe to determine components in gases, especially internal combustion engine exhaust gases. The heater arrangement consists of at least two at least partially superimposed heating elements (10, 11) electrically insulated from each other by at least one insulating layer. From one heating element (10) to the other (11) a contact (14) through the insulating layer is arranged in such a way that the heating elements (10, 11) are connected in series one behind the other.

公开(公告)号：WO2022122141A1

公开(公告)日：2022-06-16

申请号：PCT/EP2020/085180

申请日：2020-12-09

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH [DE]/[DE]

Inventor： ANDALAM, Sidharta ,  ZHAO, Nahong

IPC: G01N27/14 ,  G01N33/00

Abstract: A sensor node for detection of fungus including a sensor to detect at least one component in a gas by a change of an electrical property, and a control circuit to control a temperature and to measure a transient of the electrical property during an application of a thermal pulse on the sensor. Another aspect concerns a sensing system including one or more sensor nodes, and a server for receiving data from the sensor nodes. Another aspect concerns a method for sensing, including generating a thermal pulse by a control circuit so that information is generated based on a measurement of a transient of an electrical property of a sensor based on the detection of at least one component in a gas, recording the transient, calculating and processing a plurality of parameters into principal components, and processing the principal components to determine a likelihood of a colonization by fungus.