公开(公告)号：WO2005081256A1

公开(公告)日：2005-09-01

申请号：PCT/SG2005/000022

申请日：2005-01-27

Applicant: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH ,  CHONG, Tow Chong ,  SHI, Lu Ping ,  ZHAO, Rong ,  MIAO, Xiang Shui ,  TAN, Pik Kee ,  MENG, Hao ,  YI, Kai Jun ,  HU, Xiang ,  LI, Ke Bin ,  LUO, Ping

Inventor： CHONG, Tow Chong ,  SHI, Lu Ping ,  ZHAO, Rong ,  MIAO, Xiang Shui ,  TAN, Pik Kee ,  MENG, Hao ,  YI, Kai Jun ,  HU, Xiang ,  LI, Ke Bin ,  LUO, Ping

IPC: G11C11/04

CPC classification number: H01L45/144 ,  G11C11/161 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126

Abstract: A memory cell for an electrically writeable and erasable memory medium as well as a memory medium thereof is provided. The memory cell comprises a data recording element, the data recording element has a plurality of multiple-layer structure disposed one on top of another; each the multiple-layer structure comprising a plurality of sequentially disposed individual layers. At least one of the plurality of individual layers is capable of changing phase between a crystalline state and an amorphous state in response to an electrical pulse, one of the plurality of individual layers having at least one atomic element which is absent from other one of the plurality of individual layers, and the plurality of multiple-layer structure is of a superlattice-like structure to lower a heat diffusion out of the data recording element to shorten a phase change time of the respective individual layers.

Abstract translation: 提供了一种用于电可写和可擦除存储介质及其存储介质的存储单元。 所述存储单元包括数据记录元件，所述数据记录元件具有多个多层结构，所述多层结构一个在另一个之上; 每个多层结构包括多个顺序设置的各层。 多个单独层中的至少一个能够响应于电脉冲改变结晶状态和非晶状态之间的相位，所述多个单独层中的一个具有至少一个原子元素，其不存在于 多个单独的层，并且多个多层结构是超晶格结构，以将数据记录元件的热扩散降低以缩短各个层的相变时间。

公开(公告)号：WO2022269735A1

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：PCT/JP2021/023514

申请日：2021-06-22

Applicant: ユニサンティス　エレクトロニクス　シンガポール　プライベート　リミテッド ,  作井　康司 ,  原田　望

Inventor： 作井　康司 SAKUI Koji ,  原田　望 HARADA Nozomu

IPC: G11C16/04 ,  G11C7/06 ,  G11C11/04 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  G11C11/4085 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4097 ,  G11C16/0408 ,  G11C2211/4016 ,  G11C7/02 ,  G11C8/14 ,  H01L27/10802

Abstract: メモリ装置は、基板上に列状に配列された複数のメモリセルからなるページを備え、前記ページに含まれる各メモリセルの、第１のゲート導体層と、第２のゲート導体層と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域に印加する電圧を制御して、チャネル半導体層の内部に、インパクトイオン化現象により形成した正孔群を保持するページ書込み動作と、前記第１のゲート導体層と、前記第２のゲート導体層と、前記第３のゲート導体層と、前記第４のゲート導体層と、前記第１の不純物領域と、前記第２の不純物領域と、に印加する電圧を制御して、前記正孔群を前記チャネル半導体層の内部から除去するページ消去動作を行う。前記メモリセルの前記第１の不純物層は、ソース線と接続し、前記第２の不純物層は、ビット線と接続し、前記第１のゲート導体層と前記第２のゲート導体層のうちの一方はワード線と接続し、他方は駆動制御線と接続し、前記ビット線は、スイッチ回路を介してセンスアンプ回路に接続する。ページ読出し動作時には、前記正孔群を形成したメモリセルのリフレッシュ動作することと並行し、前記ワード線で選択するメモリセル群のページデータをセンスアンプ回路に読み出す。

公开(公告)号：WO2009042933A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：PCT/US2008/077972

申请日：2008-09-26

Applicant: THE MAINZ GROUP, LLC

Inventor： WESTRICK, William, A. ,  APTER, Elena

IPC: G11C11/04 ,  G06T17/50

CPC classification number: G06T17/05 ,  G06T7/593 ,  G06T2207/10021 ,  G06T2207/30232 ,  G06T2207/30252

Abstract: The present invention involves a surveying system and method which determines the position of a object point using two images. First, at least two reference points appearing on the two images are correlated. Then the position of the object point is determined based on the two images and the two reference points. The application discloses the use of light rays from a region and based on those light rays generates a map of the region.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用两个图像确定对象点的位置的测量系统和方法。 首先，两个图像上出现的至少两个参考点是相关的。 然后，基于两个图像和两个参考点来确定对象点的位置。 该申请公开了使用来自区域的光线并且基于这些光线产生该区域的图。

公开(公告)号：WO1991007755A1

公开(公告)日：1991-05-30

申请号：PCT/SU1989000293

申请日：1989-11-21

Applicant: SPETSIALNOE KONSTRUKTORSKO-TEKHNOLOGICHESKOE ... ,  TEMERTI, Gennady Fedorovich ,  SLUZHBIN, Jury Alexandrovich ,  YASTREBOV, Igor Alexandrovich

Inventor： SPETSIALNOE KONSTRUKTORSKO-TEKHNOLOGICHESKOE ...

IPC: G11C11/04

CPC classification number: G11C11/02 ,  G11C19/0841 ,  G11C19/0883

Abstract: The invention relates to digital memorizing devices using magnetic memory elements. A memory on cylindrical magnetic domains comprising a single-axis magnetic layer (1) and, mounted on its surface, an input-output channel (5), information storage registers (2), a device (36) for generating cylindrical magnetic domains and a device (37) for reading-out the cylindrical magnetic domains. The channel (5) consists of meander-shaped conductors (25, 26) located above each other. Above the channel (5) is located an additional conductor (38), identical to the conductor (26), in which the space (42), limited by the sides of the neighbouring loops (39, 40) of the meander and facing the registers (2), is fully filled with an electric conductive material. The information storage registers (2) are magnetically connected to the channel (5) and consist of electric conductive layers (6, 7, 8) with periodically alternating openings (9, 12; 10, 13; 11, 14).

Abstract translation: 本发明涉及使用磁存储元件的数字记忆装置。 包括单轴磁性层（1）的圆柱形磁畴上的记忆体，并且在其表面上安装有输入 - 输出通道（5），信息存储寄存器（2），用于产生圆柱形磁畴的装置（36）和 用于读出圆柱形磁畴的装置（37）。 通道（5）由位于彼此之上的曲折形导体（25,26）组成。 通道（5）上方设有与导体（26）相同的附加导体（38），其中空间（42）受到曲折的相邻环（39,40）的侧面的限制，并面向 寄存器（2），完全充满导电材料。 所述信息存储寄存器（2）与所述通道（5）磁性连接，并由具有周期性交替的开口（9,12; 10,13; 11,14）的导电层（6,7,8）组成。