公开(公告)号：WO2022239696A1

公开(公告)日：2022-11-17

申请号：PCT/JP2022/019513

申请日：2022-05-02

Applicant: ローム株式会社

Inventor： 神田　沢水

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181

Abstract: 半導体装置は、第１電極を有する半導体素子と、前記第１電極に対向する第１接合部を有する導通部材と、前記第１電極と前記第１接合部との間に介在する接合層と、前記第１電極および前記第１接合部のいずれかに接合された規制体とを備える。前記半導体素子の厚さ方向に対して直交する方向において、前記規制体は、前記接合層に対向している。

公开(公告)号：WO2023274958A1

公开(公告)日：2023-01-05

申请号：PCT/EP2022/067562

申请日：2022-06-27

Applicant: VITESCO TECHNOLOGIES GERMANY GMBH

Inventor： HÖVERMANN, Markus ,  HABER, Michael ,  KRASSELT, Peter ,  METZLER, Martin ,  EHRMANN, Martin

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/48 ,  H01L23/00 ,  H02M7/00 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/8384 ,  H01L24/08 ,  H01L24/40 ,  H01L25/072 ,  H02M1/327 ,  H02M1/348 ,  H02M7/003 ,  H02M7/5387

Abstract: Ein Leistungshalbbrückenmodul (LM) weist eine Leiterplatte (LP) mit einem ersten Längsabschnitt (AB1), in dem zwei Stromanschlussschienen (SS1, SS4) teilweise übereinander angeordnet sind. Diese bilden Kontaktflächen (KF11, KF4) zur externen Verbindung aus. Ein erster der Stromanschlussschienen (SS1) erstreckt sich weiter in einen zweiten Längsabschnitt (AB2). In diesem hat die Leiterplatte (LP) mindestens eine Ausnehmung (AS1). Im zweiten Längsabschnitt (AB2) weist die erste Stromanschlussschiene (SS1) Kontaktflächen (KF12, 13) in einem Randbereich auf, der die Ausnehmung (AS1) zumindest an einer Seite der Ausnehmung umgibt. Im weiteren Verlauf des zweiten Längsabschnitts (AB2) ist eine zusätzliche Stromanschlussschiene (SS5) vorgesehen, der bis sich zu dem Ende erstreckt, das dem Ende entgegengesetzt ist, zu dem sich die zwei Stromanschlussschienen (SS1, SS4) hin erstrecken. Ein Halbleiter-Träger (HT) weist auf einer Seite zwei nebeneinanderliegende Stromanschlussschiene (SS2, SS3) auf. Auf diesen ist jeweils ein Halbleiterschalter montiert, etwa durch Löten oder Sintern. Die Halbleiterschalter ragen in die Ausnehmung (AS1) der Leiterplatte (LP) hinein, so dass eine oberflächenbezogene Verbindung eine oberseitige Verbindungsfläche eines der Halbleiterschalter (HS2) mit der Kontaktfläche (KF12) verbindet, etwa eine Bonding-Verbindung. Auch der andere Halbleiterschalter (HS1) hat eine oberseitige Verbindungsfläche. Diese ist durch eine weitere oberflächenbezogene Verbindung mit dem Stromträger verbunden, auf dem der erstgenannte Halbleiterschalter (HS2) angeordnet ist. Das Leistungshalbbrückenmodul kann zum Aufbau eines Inverters verwendet werden. Ferner wird ein zugehöriges Herstellungsverfahren beschrieben.