公开(公告)号：WO2023041486A1

公开(公告)日：2023-03-23

申请号：PCT/EP2022/075291

申请日：2022-09-12

Applicant: SIGNIFY HOLDING B.V.

Inventor： VAN BOMMEL, Ties ,  HIKMET, Rifat, Ata, Mustafa

IPC: F21K9/64 ,  F21S10/02 ,  H05B45/20 ,  H05B45/325 ,  F21V9/30 ,  F21V13/02 ,  H01S5/00 ,  H01L33/00 ,  H01L33/50 ,  H01S5/40 ,  H01S5/42 ,  F21V5/00 ,  F21Y113/17 ,  H01L25/075 ,  H01S5/323

Abstract: The invention provides amongst others a light generating system (1000) comprising a first light generating device (110), a second light generating device (120), and a luminescent material (200), wherein: (A) the first light generating device (110) is configured to generate first device light (111); the second light generating device (120) is configured to generate second device light (121); wherein the first device light (111) and the second device light (121) have different spectral power distributions; (B) the luminescent material (200) is configured to convert at least part of one or more of the first device light (111) and the second device light (121) into luminescent material light (201); (C) the first light generating device (110) comprises a wavelength variable light generating device configured to generate in an operational mode of the light generating system (1000) first device light (111) changing between at least two centroid wavelengths (I) having a wavelength difference of at least 10 nm, with a changing frequency of at least 40 Hz; and (D) the light generating system (1000) is configured to generate in the operational mode of the light generating system (1000) white system light (1001) comprising the luminescent material light (201), and the first device light (111) and the second device light (121).

公开(公告)号：WO2022223402A1

公开(公告)日：2022-10-27

申请号：PCT/EP2022/059893

申请日：2022-04-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD, Sven ,  NÄHLE, Lars

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/02 ,  H01S5/10 ,  H01S5/20 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/323 ,  H01S5/16

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterchips (100) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) angegeben, die einen sich in eine longitudinale Richtung (93) erstreckenden aktiven Bereich (5) aufweist, der im Betrieb des Halbleiterchips zur Erzeugung von Licht (8) mit einer Abstrahlrichtung entlang der longitudinalen Richtung vorgesehen und eingerichtet ist, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen eines Substrats (1) mit einer Hauptoberfläche (12) mit zumindest einer Vertiefung (15), wobei die Hauptoberfläche eine Haupterstreckungsebene entlang der longitudinalen Richtung und entlang einer zur longitudinalen Richtung senkrecht stehenden transversalen Richtung (91) aufweist, Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge auf der Hauptoberfläche mit der zumindest einen Vertiefung, Ausbilden zumindest einer entlang der transversalen Richtung ausgerichteten Facette (6, 6', 6'', 7) in der Halbleiterschichtenfolge durch ein Ätzverfahren, wobei die Facette in zumindest einer Richtung, die parallel zur Haupterstreckungsebene der Hauptoberfläche ist, einen Abstand von kleiner oder gleich 50 µm von der zumindest einen Vertiefung aufweist. Weiterhin wird ein Licht emittierender Halbleiterchip (100) angegeben.

公开(公告)号：WO2022197115A1

公开(公告)日：2022-09-22

申请号：PCT/KR2022/003738

申请日：2022-03-17

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 전헌수 ,  김명은

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/22

Abstract: 본 발명의 일 실시예는, n형의 제1 기판의 제1 면 상에 형성된 n형 클래드층;상기 n형 클래드층 상에 형성되며 활성층을 포함하는 가이드층; 상기 가이드층 상에 형성된 p형 클래드층; 상기 p형 클래드층 상에 형성된 p형 컨택트층; 상기 p형 컨택트층 상에 형성된 p형 전극층; 및 상기 n형의 제1 기판의 상기 제1 면 또는 상기 제1 면에 대향되는 제2 면의 적어도 일부에 접촉하는 n형 전극층;을 포함하고, 상기 p형 컨택트층, 상기 p형 클래드층, 상기 활성층을 포함하는 가이드층 및 상기 n형 클래드층에는 상기 p형 컨택트층, 상기 p형 클래드층, 상기 활성층을 포함하는 가이드층 및 상기 n형 클래드층을 관통하는 구멍들이 형성되며, 상기 구멍들은 광자결정 패턴을 형성하는, 광자결정 반도체 레이저 소자를 제공한다.

公开(公告)号：WO2021095660A1

公开(公告)日：2021-05-20

申请号：PCT/JP2020/041560

申请日：2020-11-06

Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

Inventor： 木村　秀樹 ,  渡部　義昭 ,  山内　義則

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/323

Abstract: 電流の注入によって発光する活性層（１３０）と、前記活性層（１３０）を挟んで第１方向に積層された第１の反射器（１１０）、及び第２の反射器（１２０）とを含む積層構造（１００）を有する光射出部（Ｅｍ）と、前記第１方向における前記積層構造（１００）からの光の射出面にて前記光射出部（Ｅｍ）の周囲に対称性を有して設けられ、前記第１方向に前記積層構造（１００）を掘り込んだ分離溝（１５２）と、前記分離溝（１５２）の前記射出面における最外周形状よりも外側の前記積層構造（１００）に設けられ、前記光射出部（Ｅｍ）よりも電気抵抗が高い高抵抗領域（Ｈｒ）とを備える、発光素子。

公开(公告)号：WO2020212221A1

公开(公告)日：2020-10-22

申请号：PCT/EP2020/060014

申请日：2020-04-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALI, Muhammad ,  KOENIG, Harald ,  STOJETZ, Bernhard ,  LELL, Alfred

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/40 ,  B23K26/06 ,  H01S5/00 ,  H01S5/024 ,  H01S5/323

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) einen Träger (4) sowie einen oder mehrere Laserbarren (2). Der zumindest eine Laserbarren (2) umfasst zumindest drei Einzellaser (22), die parallel zueinander angeordnet sind. Eine Umlenkoptik (3) ist den Einzellasern (22) gemeinsam nachgeordnet. Der mindestens eine Laserbarren (2) und die zugehörige Umlenkoptik (3) sind auf dem Träger (4) montiert und weisen einen Abstand zueinander von höchstens 4 mm auf.

公开(公告)号：WO2020182406A1

公开(公告)日：2020-09-17

申请号：PCT/EP2020/053776

申请日：2020-02-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD, Sven ,  EICHLER, Christoph ,  LELL, Alfred ,  ALI, Muhammad

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32 ,  H01S5/024 ,  H01S5/026 ,  H01S5/40 ,  H01S5/022 ,  H01S5/323 ,  H01S5/20

Abstract: Es wird eine Halbleiterlaserdiode (100) angegeben, die eine in einer vertikalen Richtung aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3), die dazu eingerichtet und vorgesehen ist, im Betrieb in zumindest einem sich in longitudinaler Richtung (93) erstreckenden aktiven Bereich (5) Licht (8) zu erzeugen, und eine transparente elektrisch leitende Abdeckschicht (4) auf der Halbleiterschichtenfolge aufweist, wobei die Halbleiterschichtenfolge in einer vertikalen Richtung (92) mit einer Oberseite (20) abschließt und die Oberseite einen in vertikaler Richtung über dem aktiven Bereich angeordneten Kontaktbereich (21) und zumindest einen in einer zur vertikalen und longitudinalen Richtung senkrechten lateralen Richtung (91) unmittelbar an den Kontaktbereich anschließenden Abdeckbereich (22) aufweist, die Abdeckschicht zusammenhängend auf der Oberseite auf dem Kontaktbereich und dem zumindest einen Abdeckbereich aufgebracht ist, die Abdeckschicht zumindest im zumindest einen Abdeckbereich unmittelbar auf der Oberseite der Halbleiterschichtenfolge aufgebracht ist und zumindest ein den zumindest einen aktiven Bereich definierendes Element (10) vorhanden ist, das von der Abdeckschicht überdeckt wird. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode angegeben.

公开(公告)号：WO2020104251A1

公开(公告)日：2020-05-28

申请号：PCT/EP2019/081009

申请日：2019-11-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WAGNER, Jan ,  BERGBAUER, Werner ,  EICHLER, Christoph ,  LELL, Alfred ,  BRUEDERL, Georg ,  PETER, Matthias

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/02 ,  H01S5/32 ,  H01S5/40 ,  H01S5/20

Abstract: Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser (100) angegeben, mit einer Halbleiterschichtenfolge (10), die auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial basiert, umfassend einen Wellenleiterbereich (3), der eine zwischen einer ersten Wellenleiterschicht (3A) und einer zweiten Wellenleiterschicht (3B) angeordnete aktive Schicht (4) aufweist, wobei - die Halbleiterschichtenfolge (10) ein außerhalb des Wellenleiterbereichs (3) angeordnetes Schichtsystem (20) zur Verminderung von Facettenstörungen in dem Wellenleiterbereich (3) aufweist, - das Schichtsystem (20) eine oder mehrere Schichten (21, 22) mit der Materialzusammensetzung A1 x In y Ga 1-x-y N mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y 0,05 oder einen Indiumanteil y ≥ 0,02 aufweist, und - eine Schichtspannung in dem Schichtsystem (20) zumindest bereichsweise mindestens 2 GPa beträgt.

公开(公告)号：WO2019042827A1

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：PCT/EP2018/072561

申请日：2018-08-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LELL, Alfred ,  ALI, Muhammad ,  STOJETZ, Bernhard ,  KÖNIG, Harald

IPC: H01S5/024 ,  H01S5/042 ,  H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01S5/40

Abstract: Ein kantenemittierender Laserbarren (100) umfasst eine AlInGaN-basierte Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Kontaktseite (10) und einer aktiven Schicht (11) zur Erzeugung von Laserstrahlung. Ferner umfasst der Laserbarren mehrere, in einer lateralen Querrichtung nebeneinander und beabstandet voneinander angeordnete Einzelemitter (2), die im bestimmungsgemäßen Betrieb jeweils Laserstrahlung emittieren. Mehrere Kontaktelemente (20) sind in der lateralen Querrichtung nebeneinander und beabstandet voneinander auf der Kontaktseite angeordnet. Jedes Kontaktelement ist einem Einzelemitter zugeordnet. Jedes Kontaktelement ist über einen zusammenhängenden Kontaktbereich (12) der Kontaktseite elektrisch leitend an die Halbleiterschichtenfolge gekoppelt. Im Bereich zwischen zwei benachbarten Einzelemittern (2) umfasst der Laserbarren eine thermische Entkopplungsstruktur (3). Die Entkopplungsstruktur umfasst ein auf der Kontaktseite aufgebrachtes Kühlelement (30), das einen zusammenhängenden Kühlbereich (13) der Kontaktseite vollständig überdeckt. Das Kühlelement ist entlang des Kühlbereichs elektrisch von der Halbleiterschichtenfolge isoliert und entlang des Kühlbereichs thermisch an Halbleiterschichtenfolge gekoppelt. Der Kühlbereich weist eine Breite, gemessen entlang der lateralen Querrichtung auf, die zumindest halb so groß ist wie Breite eines benachbarten Kontaktbereichs.

公开(公告)号：WO2019002763A1

公开(公告)日：2019-01-03

申请号：PCT/FR2018/051571

申请日：2018-06-27

Applicant: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

Inventor： WILMART, Quentin ,  HASSAN, Karim ,  OLIVIER, Ségolène

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/14 ,  H01S3/08 ,  H01S3/081 ,  H01S3/083 ,  H01S5/02 ,  H01S5/026 ,  H01S5/06 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/1032 ,  H01S3/08022 ,  H01S3/08027 ,  H01S3/0812 ,  H01S3/083 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/1035 ,  H01S5/141 ,  H01S5/142 ,  H01S5/32391

Abstract: Source laser à semi-conducteur dans laquelle, pour coupler optiquement un troisième guide d'onde (15, 36) à un premier guide d'onde (28) par l'intermédiaire d'un deuxième guide d'onde (25), une cavité optique résonante comporte au moins un coupleur contra-directionnel (24, 34) assisté par réseau apte à transformer l'essentiel du signal optique à une longueur d'onde Au qui se propage dans un sens le long du troisième guide d'onde (15, 36), en un signal optique de même longueur d'onde, qui se propage en sens opposé dans le premier (28) ou le deuxième (25) guide d'onde, ce coupleur contra-directionnel comportant à cet effet au moins une partie réalisée dans le troisième guide d'onde (15, 36) et un réseau de motifs répétés avec un pas régulier, ce réseau de motifs étant réalisé dans le deuxième (25) ou le troisième (15, 36) guide d'onde.

公开(公告)号：WO2016133655A1

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：PCT/US2016/014809

申请日：2016-01-26

Applicant: OSRAM SYLVANIA INC.

Inventor： LENEF, Alan ,  KELSO, John ,  KUNDALIYA, Darshan

IPC: H01S5/00 ,  F21K99/00 ,  H01S5/183 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/0071 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0092 ,  H01S5/183 ,  H01S5/32341

Abstract: There is herein described a light source comprising a semiconductor device emitting a primary light, a thermally conductive optic having a reflective coating and a wavelength converter having a front surface and a rear surface. The optic is mounted to the rear surface of the wavelength converter and the primary light impinges on the wavelength converter in an emission region. The wavelength converter converts at least a portion of the primary light into a secondary light that is emitted from the front and rear surfaces of the converter and the optic reflects secondary light emitted from the rear surface back into the emission region. The light source may be used in either transmissive or reflective configurations.

Abstract translation: 这里描述了一种包括发射初级光的半导体器件的光源，具有反射涂层的导热光学器件和具有前表面和后表面的波长转换器。 光学元件安装到波长转换器的后表面，并且初级光照射在发射区域中的波长转换器上。 波长转换器将初级光的至少一部分转换成从转换器的前表面和后表面发射的次级光，并且光学器件将从后表面发射的次级光反射回发射区域。 光源可以以透射或反射配置使用。