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    半導体装置および電力変換装置
    1.
    发明申请
    半導体装置および電力変換装置 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022270168A1

    公开(公告)日：2022-12-29

    申请号：PCT/JP2022/019821

    申请日：2022-05-10

    申请人： 株式会社日立パワーデバイス

    发明人： 谷　和樹 ,  原　賢志

    IPC分类号： H03K17/10 ,  H03K17/687 ,  H02M1/08

    摘要： 複数のパワートランジスタを直列接続して構成するカスコード型の半導体装置において、個々のパワートランジスタにノーマリオフ型のパワートランジスタを用いることができ、なおかつ、個々のパワートランジスタのソース－ドレイン間耐圧とゲート－ソース間耐圧を独立に設計可能であり、一部のパワートランジスタのソース－ドレイン間が耐圧不良になった場合であっても半導体装置全体として著しく耐圧が低下しない、設計・製造上の自由度及び信頼性の高い半導体装置を提供する。１段目のゲートにゲート駆動回路からの駆動信号が入力され、前段のドレインと次段のソースとが直列接続された多段接続の複数の半導体素子を備えた半導体装置において、N型とP型とのうちの一方の導電型を第１導電型とし、他方の導電型を第２導電型としたとき、前記複数の半導体素子は第１導電型MOSFETであり、前記ゲート駆動回路から１段目の半導体素子のゲートにオン駆動信号が入力される際、前記オン駆動信号を２段目以降の半導体素子に供給して、前記２段目以降の半導体素子をオンさせる１つまたは複数の第１の第２導電型MOSFETと、前記ゲート駆動回路から前記１段目の半導体素子のゲートにオフ駆動信号が入力される際、前記第１の第２導電型MOSFETがオフするとともに、前記２段目以降の半導体素子のゲートに、前段の半導体素子のソースまたはドレインの電圧を供給して前記２段目以降の半導体素子をオフする１つまたは複数の第２の第２導電型MOSFETと、を備えることを特徴とする。

    スイッチング回路装置及び電力変換装置
    2.
    发明申请
    スイッチング回路装置及び電力変換装置 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022050280A1

    公开(公告)日：2022-03-10

    申请号：PCT/JP2021/031991

    申请日：2021-08-31

    申请人： オムロン株式会社

    发明人： 野坂　紀元 ,  三嶋　淳也 ,  末木　葵 ,  岡田　亘

    IPC分类号： H03K17/06 ,  H03K17/10 ,  H02M1/08

    摘要： スイッチング回路装置において、キャパシタ（Ｃ１，Ｃ２）は駆動回路（ＤＲＶ１，ＤＲＶ２）に電源電圧をそれぞれ印加する。ダイオード（Ｄ１，Ｄ２）は、直流電圧源（Ｅ１）からキャパシタ（Ｃ１，Ｃ２）にそれぞれ電流が流れるように接続される。抵抗（Ｒ１）及びツェナーダイオード（ＺＤ１）は、端子（Ｐ１）から抵抗（Ｒ１）を介してツェナーダイオード（ＺＤ１）に逆バイアス電圧が印加されるように、端子（Ｐ１）及びノード（Ｎ１）間で直列接続される。ダイオード（Ｄ３）は、抵抗（Ｒ１）及びツェナーダイオード（ＺＤ１）間のノード（Ｎ２）からキャパシタ（Ｃ１）に電流が流れるように接続される。

    SCHALTVORRICHTUNG ZUM AUFTRENNEN EINES STROMPFADS
    4.
    发明申请
    SCHALTVORRICHTUNG ZUM AUFTRENNEN EINES STROMPFADS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020160830A1

    公开(公告)日：2020-08-13

    申请号：PCT/EP2019/086185

    申请日：2019-12-19

    申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

    发明人： HÄNSEL, Stefan ,  HANDT, Karsten

    IPC分类号： H03K17/16 ,  H03K17/10

    摘要： Die Erfindung betrifft eine Schaltvorrichtung zum Auftrennen eines quell- und lastseitige Induktivitäten umfassenden Strompfads eines Gleichspannungsnetzes, umfassend zumindest zwei in Serie verschaltete Schaltmodule, wobei jedes der Schaltmodule zumindest ein steuerbares Halbleiterschaltelement umfasst, dem eine Serienschaltung aus einem Widerstand und einem Kondensator parallel geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, dass im Betrieb der Schaltvorrichtung zum Auftrennen des Strompfads bis zum Abbau der in den Induktivitäten gespeicherten Energie das steuerbare Halbleiter- schaltelement wenigstens eines der Schaltmodule mit einem Tastgrad leitend geschaltet wird, wobei der Tastgrad von der Differenz zwischen der Istspannung und einer Sollspannung über das Halbleiterschaltelement abhängt, wobei die Sollspannung wenigstens aus der Systemspannung des Gleichspannungsnetzes und der Anzahl der Schaltmodule gebildet ist.

    HIGH POWER SILICON ON INSULATOR SWITCH
    5.
    发明申请
    HIGH POWER SILICON ON INSULATOR SWITCH 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019104015A1

    公开(公告)日：2019-05-31

    申请号：PCT/US2018/061974

    申请日：2018-11-20

    申请人： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY, INC.

    发明人： JU, Hojung ,  JOO, Roberto Aparicio

    IPC分类号： H03K17/081 ,  H03K17/041 ,  H03K17/10 ,  H04B1/48 ,  H01P1/15

    摘要： An apparatus comprises a first RF port, a second RF port, a first resonator circuit and at least one second resonator circuit. The first resonator circuit and the second resonator circuit may be connected between the first RF port and the second RF port. The first resonator circuit may comprise a first inductor, a first capacitor, and a first stacked switch device. The second resonator circuit may comprise a second inductor, a second capacitor, and a second stacked switch device. The first capacitor and the first stacked switch device may be coupled in series across the first inductor. The second capacitor, the second inductor, and the second stacked switch device may be connected in parallel.

    OPTIMIERTE KASKODENHALBBRÜCKE
    6.
    发明申请
    OPTIMIERTE KASKODENHALBBRÜCKE 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019063308A1

    公开(公告)日：2019-04-04

    申请号：PCT/EP2018/074744

    申请日：2018-09-13

    申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

    发明人： WEISS, Jörg

    IPC分类号： H03K17/10 ,  H03K17/12

    摘要： Es soll eine verbesserte Kaskodenhalbbrücke mit zwei Kaskoden bereitgestellt werden. Daher wird eine Kaskodenhalbbrücke mit einer ersten Kaskode (K1), die ein erstes selbstleitendes Schaltelement (J1) in Serie mit einem selbstsperrenden Schaltelement (M1) aufweist, und einem zweiten selbstleitenden Schaltelement (J2) zur Verfügung gestellt. Das selbstsperrende Schaltelement (M1) ist das einzige selbstsperrende Schaltelement der Kaskodenhalbbrücke. Darüber hinaus bildet das zweite selbstleitende Schaltelement (J2) mit dem einzigen selbstsperrenden Schaltelement (M1) eine von der ersten verschiedene zweite Kaskode. Die Kaskodenhalbbrücke ist ferner derart ausgebildet, dass die selbstleitenden Schaltelemente (J1, J2) unabhängig vom selbstsperrenden Schaltelement (M1) ansteuerbar sind.

    半導体装置
    7.
    发明申请
    半導体装置 审中-公开
    半导体器件

    公开(公告)号：WO2017009990A1

    公开(公告)日：2017-01-19

    申请号：PCT/JP2015/070332

    申请日：2015-07-15

    申请人： 株式会社 東芝

    发明人： 池田　健太郎 ,  安住　壮紀 ,  長谷川　光平

    IPC分类号： H03K17/08 ,  H03K17/10 ,  H02M1/08

    CPC分类号： H03K17/08104 ,  H01L23/528 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H02M1/08 ,  H02M1/088 ,  H03K17/08 ,  H03K17/08122 ,  H03K17/08142 ,  H03K17/0822 ,  H03K17/102

    摘要： 実施形態の半導体装置は、第１のソース、第１のドレイン、第１のゲートを有するノーマリーオフトランジスタと、第１のドレインに電気的に接続された第２のソース、第２のドレイン、第２のゲートを有するノーマリーオントランジスタと、第１の端部と第２の端部を有し、第２の端部が第２のゲートに電気的に接続されたコンデンサと、第２の端部と第２のゲートとの間に電気的に接続された第１のアノードと、第２のソースに電気的に接続された第１のカソードを有する第１のダイオードと、第１の端部と、第１のゲートとの間に設けられた第１の抵抗と、第１の端部に電気的に接続された第２のアノードと、第１のゲートに電気的に接続された第２のカソードを有し、第１の抵抗と並列に設けられた第２のダイオードと、を備える。

    摘要翻译： 根据实施例的半导体器件包括具有第一源极，第一漏极和第一栅极的常关晶体管，与第一漏极电连接的第二关闭晶体管 一种常开型晶体管，具有源极，第二漏极和第二栅极;第一晶体管，具有第一端和第二端，第二端电连接到第二栅极 电连接在第一端和第二栅极之间的第一阳极，电连接在第二端和第二栅极之间的第一阳极以及电连接到第二源的第一阴极， ，设置在第一端和第一栅极之间的第一电阻器，电连接到第一端的第二阳极，第一栅极 第二二极管，其具有电连接到所述第一电阻器的第二阴极，所述第二二极管与所述第一电阻器并联设置， 提供。

    RF CIRCUIT WITH SWITCH TRANSISTOR WITH BODY CONNECTION
    8.
    发明申请
    RF CIRCUIT WITH SWITCH TRANSISTOR WITH BODY CONNECTION 审中-公开

    公开(公告)号：WO2016144762A3

    公开(公告)日：2016-09-15

    申请号：PCT/US2016/020908

    申请日：2016-03-04

    申请人： QUALCOMM INCORPORATED

    发明人： AUBAIN, Max Samuel ,  KEMERLING, Clint

    IPC分类号： H03K17/10 ,  H03K17/30 ,  H03K17/693

    摘要： In some method and apparatus embodiments, an RF circuit comprises a switch transistor having a source, a drain, a gate, and a body. A gate control voltage is applied to the gate of the switch transistor. A body control voltage is applied to the body of the switch transistor. The body control voltage is a positive bias voltage when the switch transistor is in an on state. In some embodiments, an RF circuit comprises a control voltage applied to the gate of the switch transistor through a first resistance and applied to the body of the switch transistor through a second resistance. The first resistance is different from the second resistance.

    SEMICONDUCTOR SWITCHING STRING
    9.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR SWITCHING STRING 审中-公开
    半导体开关STRING

    公开(公告)号：WO2016139320A1

    公开(公告)日：2016-09-09

    申请号：PCT/EP2016/054595

    申请日：2016-03-03

    申请人： GENERAL ELECTRIC TECHNOLOGY GMBH

    发明人： EFIKA, Ikenna Bruce ,  DAVIDSON, Colin Charnock

    IPC分类号： H03K17/0814 ,  H02M1/088 ,  H02M1/34 ,  H03K17/10

    CPC分类号： H03K17/16 ,  H02M1/088 ,  H02M1/34 ,  H02M7/7575 ,  H02M2001/344 ,  H03K5/02 ,  H03K5/04 ,  H03K17/06 ,  H03K17/08144 ,  H03K17/105 ,  Y02E60/60

    摘要： In the field of power converters, such as high voltage direct current (HVDC) power converters, a semiconductor switching string (10) comprises a plurality of series- connected semiconductor switching assemblies (12). Each semiconductor switching assembly (12) has a main semiconductor switching element (14) that includes first and second connection terminals (16, 18) between which current flows from the first terminal (16) to the second terminal (18) when the main semiconductor switching element (14) is switched on. The main semiconductor switching element (14) has an auxiliary semiconductor switching element (32) electrically connected between the first and second connection terminals (16, 18) thereof. The semiconductor switching string (10) also includes a local control unit (34) which is operatively connected with each auxiliary semiconductor switching element (32). The or each local control unit (34) is programmed to control switching of a respective auxiliary semiconductor switching element (32) to selectively create an alternative current path (36) between the first and second connection terminals (16, 18) associated therewith whereby current is diverted to flow through the alternative current path (36) to reduce the voltage across the corresponding main semiconductor switching element (14). The or each local control unit (34) is so programmed to selectively control switching of a respective auxiliary semiconductor switching element (32) in a fully-on mode in which the auxiliary semiconductor switching element (32) is operated with its maximum rated base current or gate voltage, and one or both of a pulsed switched mode in which the auxiliary semiconductor switching element (32) is turned on and off and an active mode in which the auxiliary semiconductor switching element (32) is operated with a continuously variable base current or gate voltage. The semiconductor switching string (10) still further includes a higher level control unit (52) that is arranged in communication with the or each local control unit (34) and is programmed to selectively implement: (i) a first model based control methodology to collectively operate via the or each local control unit (34) each auxiliary semiconductor switching element (32) in the fully-on mode; and (ii) a second active control based control methodology to selectively and collectively operate via the or each local control unit (34) each auxiliary semiconductor switching element (32) in one or both of the pulsed switched mode and the active mode.

    摘要翻译： 在诸如高压直流（HVDC）功率转换器的功率转换器领域中，半导体开关串（10）包括多个串联连接的半导体开关组件（12）。 每个半导体开关组件（12）具有主半导体开关元件（14），该主半导体开关元件（14）包括第一和第二连接端子（16,18），当半导体主半导体开关元件（14）从第一端子（16）流到第二端子 开关元件（14）接通。 主半导体开关元件（14）具有电连接在其第一和第二连接端子（16,18）之间的辅助半导体开关元件（32）。 半导体开关串（10）还包括与每个辅助半导体开关元件（32）可操作地连接的本地控制单元（34）。 所述或每个本地控制单元（34）被编程为控制相应的辅助半导体开关元件（32）的切换以选择性地在与其相关联的第一和第二连接端子（16,18）之间创建替代电流路径（36），由此电流 被转向流过替代电流路径（36）以降低相应的主半导体开关元件（14）两端的电压。 该或每个本地控制单元（34）被编程为选择性地控制辅助半导体开关元件（32）在其最大额定基极电流下工作的完全启动模式中的相应辅助半导体开关元件（32）的开关 或门电压，以及其中辅助半导体开关元件（32）导通和截止的脉冲开关模式中的一个或两个以及辅助半导体开关元件（32）以连续可变的基极电流工作的有源模式 或栅极电压。 半导体开关串（10）还包括与该或每个本地控制单元（34）通信的较高级别的控制单元（52），并且被编程为选择性地实现：（i）第一模型控制方法， 通过所述或每个本地控制单元（34）集中地操作处于全开模式的每个辅助半导体开关元件（32）; 以及（ii）基于第二主动控制的控制方法，用于经由所述或每个本地控制单元（34）以脉冲切换模式和活动模式中的一个或两者中的每个辅助半导体开关元件（32）选择性地和共同地操作。