公开(公告)号：WO2023073478A1

公开(公告)日：2023-05-04

申请号：PCT/IB2022/059835

申请日：2022-10-14

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 柳澤悠一 ,  方堂涼太 ,  澤井寛美 ,  宍戸英明 ,  中村太紀

IPC: H10K59/122 ,  G02B5/20 ,  G09F9/30 ,  H05B33/02 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H10K59/123 ,  H10K59/38

Abstract: 高精細化が容易な表示装置を提供する。表示品位の高い表示装置を提供する。 表示装置は、画素電極、第１の有機層、第２の有機層、第１の絶縁層、第２の絶縁層、及び共通電極を有する。第１の絶縁層は、画素電極の上面の一部と接する第１の部分、画素電極の側面に接する第２の部分、及び画素電極と接しない第３の部分を有する。第１の有機層は、画素電極の上面の他の一部と接する第４の部分、及び第１の部分と接する第５の部分を有する。第２の有機層は、第３の部分と接し、且つ、第１の有機層と離隔する。第２の絶縁層は、第５の部分、及び第２の有機層を覆い、且つ、第１の有機層と第２の有機層との間において、第１の絶縁層と接する。共通電極は第４の部分と重なる部分と、第２の絶縁層を介して第２の有機層と重なる部分と、を有する。また、第１の有機層と第２の有機層とは同一の材料を含む。

公开(公告)号：WO2023089443A1

公开(公告)日：2023-05-25

申请号：PCT/IB2022/060668

申请日：2022-11-07

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 中村太紀 ,  杉澤希 ,  片山雅博 ,  後藤尚人 ,  岡崎健一

IPC: H10K59/122 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H10K50/84 ,  H10K50/844 ,  H10K59/38 ,  H10K71/00

Abstract: 表示品位の高い表示装置を提供する。 第１の有機絶縁層と、第１の有機絶縁層上の第１の無機絶縁層、及び第２の無機絶縁層と、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第２の有機絶縁層と、を有する表示装置。第１の発光素子は、第１の無機絶縁層上の第１の画素電極と、第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、第１のＥＬ層上の共通電極と、を有する。第２の発光素子は、第２の無機絶縁層上の第２の画素電極と、第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、第２のＥＬ層上の共通電極と、を有する。第２の有機絶縁層は、第１のＥＬ層と第２のＥＬ層の間に設けられ、第２の有機絶縁層上に、共通電極が設けられる。第１の有機絶縁層は、第２の有機絶縁層と重なる領域に凹部を有し、第１の無機絶縁層は、凹部と重なる第１の突出部を有し、第２の無機絶縁層は、凹部と重なる第２の突出部を有する。

公开(公告)号：WO2023073481A1

公开(公告)日：2023-05-04

申请号：PCT/IB2022/059841

申请日：2022-10-14

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 方堂涼太 ,  笹村康紀 ,  笹川慎也

IPC: H10K59/124 ,  G02B5/20 ,  G09F9/30 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H05B33/24 ,  H05B33/28 ,  H10K50/00 ,  H10K50/19 ,  H10K50/814 ,  H10K50/818 ,  H10K59/10 ,  H10K59/122 ,  H10K59/30 ,  H10K59/38 ,  H10K59/84 ,  H10K71/16 ,  H10K71/60 ,  H10K102/20

Abstract: 表示品位の高い表示装置を提供する。 第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、第１の着色層と、第２の着色層と、第１の絶縁層と、を有し、第１の発光デバイスは、第１の絶縁層上の第１の画素電極と、第１の画素電極上の第１のＥＬ層と、第１のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第２の発光デバイスは、第１の絶縁層上の第２の画素電極と、第２の画素電極上の第２のＥＬ層と、第２のＥＬ層上の共通電極と、を有し、第１の着色層は、第１の発光デバイスに重畳して配置され、第２の着色層は、第２の発光デバイスに重畳して配置され、第２の着色層は、第１の着色層とは透過する光の波長域が異なり、第１の絶縁層は、第１の画素電極と第２の画素電極の間に、凹部を有し、第１の絶縁層の凹部に、第３のＥＬ層が配置され、第１のＥＬ層と、第２のＥＬ層と、第３のＥＬ層は、同一の材料を有し、第１の画素電極の膜厚と凹部の深さの和が、第３のＥＬ層の膜厚以上である。

公开(公告)号：WO2023073477A1

公开(公告)日：2023-05-04

申请号：PCT/IB2022/059834

申请日：2022-10-14

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  方堂涼太 ,  菅谷健太郎 ,  柳澤悠一

IPC: H10K59/122 ,  G09F9/30 ,  H05B33/06 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H10K50/115 ,  H10K50/125 ,  H10K50/84 ,  H10K59/179 ,  H10K59/38 ,  H10K71/00

Abstract: 高精細な表示装置を提供する。 絶縁表面上に第１の発光デバイスと第２の発光デバイスを有する。第１の発光デバイスが有する第１の画素電極の側面には第１の側壁絶縁層が接し、第２の発光デバイスが有する第２の画素電極の側面には第２の側壁絶縁層が接する。第１の発光デバイスは、第１の着色層と重なり、第２の発光デバイスは、第１の着色層とは異なる色の光を透過する第２の着色層と重なる。第１の発光デバイスと第２の発光デバイスは共通電極を共有する。第１の発光デバイスが有する第１の層と、第２の発光デバイスが有する第２の層と、絶縁層の上面に位置し、かつ、第１の側壁絶縁層と第２の側壁絶縁層との間に位置する材料層と、は、いずれも同一の発光材料を有し、互いに離隔されている。

公开(公告)号：WO2023059456A1

公开(公告)日：2023-04-13

申请号：PCT/US2022/044629

申请日：2022-09-23

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： WU, Chung-Chih ,  CHEN, Po-Jui ,  LIN, Hoang Yan ,  SU, Guo-Dong ,  LEE, Wei-Kai ,  LIN, Wan-Yu ,  KWAK, Byung Sung ,  VISSER, Robert Jan ,  CHANG, Chi-Jui

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/58 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H10K2102/351 ,  H10K50/85 ,  H10K50/865 ,  H10K59/38 ,  H10K71/00

Abstract: A light-emitting pixel structure is described that may include a group of light-emitting diode structures, where each of the light-emitting diode structures is operable to emit light characterized by a different peak emission wavelength. The structures may also include a patterned light absorption barrier characterized by a group of openings in the barrier, where each of the openings permit a transmission of a portion of the light from one of the light-emitting diode structures through the barrier. The structures may further include a metasurface layer operable to change a direction of at least some of the light transmitted through the openings of the patterned light absorption barrier from the light-emitting diode structures.

公开(公告)号：WO2023089447A1

公开(公告)日：2023-05-25

申请号：PCT/IB2022/060709

申请日：2022-11-08

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 片山雅博 ,  後藤尚人 ,  岡崎健一

IPC: H10K59/122 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786 ,  H10K50/19 ,  H10K50/813 ,  H10K50/826 ,  H10K59/124 ,  H10K59/38

Abstract: クロストークが抑制された表示装置を提供する。 第１の領域と、第１の領域より上面の位置が低い第２の領域とを有する第１の絶縁層と、第１の領域上と重なる領域を有する、第２の絶縁層と、第２の絶縁層を介して第１の領域上と重なる領域を有する、発光デバイスと、第２の領域上と重なる領域を有する、積層体と、積層体上と重なる領域を有する、第３の絶縁層と、を有し、第２の絶縁層は、第２の領域と重なる突出部を有し、発光デバイスは、少なくとも発光層、発光層上の第１の上部電極、及び第１の上部電極上の第２の上部電極を有し、第２の上部電極は、第３の絶縁層上と重なる領域を有し、積層体は、発光層と同じ材料を有する、表示装置である。

公开(公告)号：WO2023073472A1

公开(公告)日：2023-05-04

申请号：PCT/IB2022/059799

申请日：2022-10-13

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 楠紘慈 ,  瀬尾哲史 ,  山崎舜平

IPC: H10K59/122 ,  G02B5/20 ,  G09F9/30 ,  H05B33/02 ,  H05B33/06 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H10K50/84 ,  H10K59/179 ,  H10K59/38 ,  H10K71/00

Abstract: 高精細な表示装置を提供する。 絶縁表面上に第１の発光デバイスと第２の発光デバイスを有する。第１の発光デバイスが有する第１の画素電極の側面には第１の側壁絶縁層が接し、第２の発光デバイスが有する第２の画素電極の側面には第２の側壁絶縁層が接する。第１の発光デバイスは、第１の色変換層を介して第１の着色層と重なる。第１の発光デバイスと第２の発光デバイスは共通電極を共有する。第１の発光デバイスが有する第１の層と、第２の発光デバイスが有する第２の層と、絶縁層の上面に位置し、かつ、第１の側壁絶縁層と第２の側壁絶縁層との間に位置する材料層と、は、いずれも同一の発光材料を有し、互いに離隔されている。