公开(公告)号：WO2023079631A1

公开(公告)日：2023-05-11

申请号：PCT/JP2021/040596

申请日：2021-11-04

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 西澤　弘一郎

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L29/45 ,  C23C18/18 ,  C23C18/32

Abstract: 本開示の半導体装置は半導体基板と、半導体基板の上にＮｉを含む合金またはＮｉで形成された第一のバリア層と、第一のバリア層の上にＣｏを含む合金またはＣｏで形成された第二のバリア層と、第二のバリア層の上に形成されたメタル層とを備える。

公开(公告)号：WO2023008475A1

公开(公告)日：2023-02-02

申请号：PCT/JP2022/028922

申请日：2022-07-27

Applicant: 株式会社ニコン

Inventor： 小泉　翔平 ,  鬼頭　義昭 ,  川端　誠司 ,  木内　徹

IPC: H01L21/768 ,  C23C18/32 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L23/532 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H05K3/18 ,  H05K3/24

Abstract: 基板の上に金属配線を製造する方法であって、前記基板の上の少なくとも一部に第１材料を含む第１の層を形成する工程と、前記第１の層にクラックを形成し、クラックを有する第１の層を形成する工程と、前記クラックを有する第１の層に第２材料を含む第２の層を形成する工程と、を備える、金属配線の製造方法。

公开(公告)号：WO2023286604A1

公开(公告)日：2023-01-19

申请号：PCT/JP2022/025947

申请日：2022-06-29

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 後藤　一幸 ,  白石　雅敏 ,  ▲濱▼田　正人

IPC: C25D21/12 ,  C25D5/02 ,  C25D7/12 ,  C25D17/06 ,  C25D17/08 ,  C25D17/10 ,  C25D17/12 ,  C25D21/00 ,  H01L21/288

Abstract: 制御部は、めっき液供給部及び通電部を制御して、電極対向面の一部範囲である第１対向範囲にめっき液が接触している状態で、処理面に電気を流して第１電解めっき処理を実行するように、制御信号を出力し、めっき液供給部及び通電部を制御して、第１電解めっき処理の後に、電極対向面のうち第１対向範囲よりも広い第２対向範囲にめっき液が接触している状態で、処理面に電気を流して第２電解めっき処理を実行するように、制御信号を出力する。

公开(公告)号：WO2022241088A1

公开(公告)日：2022-11-17

申请号：PCT/US2022/028946

申请日：2022-05-12

Applicant: GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, AS REPRESENTED BY THE SECRETARY OF COMMERCE

Inventor： MOFFAT, Thomas Polk ,  JOSELL, Daniel ,  BRAUN, Trevor Michael

IPC: C25D5/18 ,  C25D7/12 ,  H01L21/288 ,  C25D21/12 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76898

Abstract: Hysteretic current-voltage mediated void-free superconformal and bottom-up filling of recessed features includes providing an electrodeposition composition with a hysteretic cyclic voltammogram; providing the substrate controlling applied electric potential; autonomously reducing the deposition potential of the recess; bifurcating the recess; forming a transition zone and moving the transition zone through the metal deposition; and reducing metal ions to form metal; and forming a resistance enhanced superconformal filling in the recess from the metal, such that forming the resistance enhanced superconformal filling occurs in consequence of autonomously reducing the deposition potential of the recess.

公开(公告)号：WO2022035894A1

公开(公告)日：2022-02-17

申请号：PCT/US2021/045436

申请日：2021-08-10

Applicant: LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： BLAKENEY, Kyle Jordan ,  DORDI, Yezdi

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06 ,  C23C16/455 ,  C23C28/02 ,  H01L21/67

Abstract: An electrically conductive structure in an integrated circuit (IC) includes recessed features in a dielectric layer filled with metal. The recessed features include a conformal, self-forming diffusion barrier and seed layer to limit oxidation of the metal into ions that will diffuse through the dielectric. The self-forming diffusion barrier and seed layer may also form a surface oxide layer that can be removed by an acidic solution.

公开(公告)号：WO2020255772A1

公开(公告)日：2020-12-24

申请号：PCT/JP2020/022492

申请日：2020-06-08

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 白石　雅敏

IPC: C25D7/12 ,  C23C28/02 ,  C25D5/02 ,  C25D5/48 ,  H01L21/288 ,  H05K3/18

Abstract: 本開示による基板処理方法は、準備工程と、阻害膜形成工程と、めっき工程とを含む。準備工程は、表面に凹部が形成され、且つ、表面および凹部（１０１）の内面にシード層（１０２）が形成された基板（Ｗ）を準備する。阻害膜形成工程は、凹部の上部にめっき阻害膜（１０３Ｃ）を形成する。めっき工程は、阻害膜形成工程後、基板にめっき液を接触させることにより、凹部にめっき膜を形成して凹部をめっき膜（１０４）で埋める。

公开(公告)号：WO2020250650A1

公开(公告)日：2020-12-17

申请号：PCT/JP2020/020492

申请日：2020-05-25

Applicant: 株式会社荏原製作所

Inventor： 長井　瑞樹 ,  ▲高▼橋　直人

IPC: C25D7/12 ,  C25D21/12 ,  H01L21/288

Abstract: めっきを行うための方法であって、　第１面及び第２面が異なるパターンを有する基板を準備する工程と、　前記基板の前記第１面及び前記第２面に対して、それぞれ第１めっき電流密度及び第２めっき電流密度の電流を供給して、前記第１面及び前記第２面にそれぞれめっき膜を形成するめっき工程と、　前記第１面及び前記第２面の何れかの面のめっきが先に完了した後、前記めっきが先に完了した面に対して、前記めっきが先に完了した面にめっき中に供給する前記第１めっき電流密度又は前記第２めっき電流密度よりも小さい電流密度の保護電流を供給する工程と、を含む、方法。

公开(公告)号：WO2020116182A1

公开(公告)日：2020-06-11

申请号：PCT/JP2019/045581

申请日：2019-11-21

Applicant: 株式会社高純度化学研究所

Inventor： 高橋　伸尚 ,  水谷　文一

IPC: C23C16/18 ,  C07F17/00 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288

Abstract: 亜鉛含有薄膜を形成するための化学蒸着用原料であって、室温で液体であるため、取り扱い容易な下記式（１）で表されるビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）亜鉛（式（１）中、Ｒ 1 およびＲ 2 は炭素数３のアルキル基を表す。）、ならびに、下記式（２）で表されるビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）亜鉛（式（２）中、Ｒ 3 およびＲ 4 は炭素数２～５のアルキル基を表す。）を含有する化学蒸着用原料および化学蒸着法による亜鉛含有薄膜の製造方法を提供する。

公开(公告)号：WO2020106590A1

公开(公告)日：2020-05-28

申请号：PCT/US2019/061853

申请日：2019-11-15

Applicant: LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： BANIK II, Stephen, J. ,  BERKE, Aaron ,  GRAHAM, Gabriel, Hay ,  KEARNS, Gregory, J ,  CHUA, Lee, Peng ,  BUCKALEW, Bryan, L.

IPC: C25D5/08 ,  C25D17/00 ,  C25D17/02 ,  C25D17/06 ,  H01L21/288

Abstract: The embodiments herein relate to apparatuses and methods for electroplating one or more materials onto a substrate. Embodiments herein utilize a cross flow conduit in the electroplating cell to divert flow of fluid from a region between a substrate and a channeled ionically resistive plate positioned near the substrate down to a level lower than level of fluid in a fluid containment unit for collecting overflow fluid from the plating system for recirculation. The cross flow conduit can include channels cut into components of the plating cell to allow diverted flow, or can include an attachable diversion device mountable to an existing plating cell to divert flow downwards to the fluid containment unit. Embodiments also include a flow restrictor which may be a plate or a pressure relief valve for modulating flow of fluid in the cross flow conduit during plating.

公开(公告)号：WO2020094642A1

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：PCT/EP2019/080239

申请日：2019-11-05

Applicant: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH

Inventor： BERA, Holger ,  SCHWARZ, Christian ,  SCHULZE, Andreas

IPC: C22C19/03 ,  C23C18/50 ,  H01L21/288 ,  H01L23/00

Abstract: An electroless nickel plating solution, comprising - a source of nickel ions, - a source of molybdenum ions, - a source of tungsten ions, - a source of hypophosphite ions - at least one complexing agent, - at least one organic sulphur containing compound in a concentration of 0.38 – 38.00 µmol/L, and - at least one amino acid in a concentration of 0.67 – 40.13 mmol/L, a method for electroless plating of a nickel alloy layer on a substrate, a nickel alloy layer and an article comprising the a nickel alloy layer.