发明授权
CN100388488C 具有混合电介质层的半导体集成电路器件及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 具有混合电介质层的半导体集成电路器件及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor integrated circuit devices having a hybrid dielectric layer and methods of fabricating the same
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申请号： CN200510092232.5申请日： 2005-07-06
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公开(公告)号： CN100388488C公开(公告)日： 2008-05-14
- 发明人: 郑镛国 , 元皙俊 , 权大振 , 宋珉宇 , 金元洪
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陶凤波; 侯宇
- 优先权： 52414/04 2004.07.06 KR
- 主分类号： H01L27/00
- IPC分类号： H01L27/00 ; H01L29/92 ; H01L21/82 ; H01L21/02 ; H01L21/00
摘要：
在具有混合电介质层的半导体集成电路器件及其制造方法中，混合电介质层包含按顺序堆迭的下电介质层、中间电介质层和上电介质层。下电介质层包含铪(Hf)或锆(Zr)。上电介质层也包含Hf或Zr。中间电介质层由具有比下电介质层的低的依赖于电压的电容变化的材料层形成。
公开/授权文献
- CN1741271A 具有混合电介质层的半导体集成电路器件及其制造方法 公开/授权日：2006-03-01
IPC分类:
