发明授权
CN100437356C 浸润式光刻之方法与系统
失效 - 权利终止
- 专利标题： 浸润式光刻之方法与系统
- 专利标题（英）： Method and system for immersion lithography
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申请号： CN200410074260.X申请日： 2004-09-08
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公开(公告)号： CN100437356C公开(公告)日： 2008-11-26
- 发明人: 林佳惠 , 杨育佳
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 台湾省新竹市
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 台湾省新竹市
- 代理机构： 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 赵蓉民; 路小龙
- 优先权： 10/748,076 2003.12.30 US
- 主分类号： G03F7/20
- IPC分类号： G03F7/20 ; H01L21/00
摘要：
一种浸润式光刻系统100与方法，其中浸润之媒介112与近接端110之透镜接合，此近接端110之透镜聚焦图案化光束于光敏材料116上，且保护膜300覆盖在光敏材料116上，而此保护膜300与浸润之媒介112接合。
公开/授权文献
- CN1637609A 浸润式光刻之方法与系统 公开/授权日：2005-07-13
IPC分类:
