发明授权
- 专利标题： 半导体晶片及半导体装置的制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor wafer and producing method of semiconductor device
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申请号： CN200510089249.5申请日： 2005-07-28
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公开(公告)号： CN100477277C公开(公告)日： 2009-04-08
- 发明人: 杨富量 , 杨育佳 , 陈宏玮 , 曹训志 , 胡正明
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
- 代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇
- 优先权： 10/901,763 2004.07.28 US
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L27/12 ; H01L21/336 ; H01L21/84
摘要：
本发明提供一种半导体晶片及半导体装置的制造方法，具体为一种绝缘层上覆半导体的装置，包含覆于一绝缘层上的一硅主动层，上述硅主动层具有 的晶格方向。上述绝缘层是位于具有 结晶方向的一基底上。具有 取向的晶体管则形成于上述硅主动层上。
公开/授权文献
- CN1773727A 半导体装置、半导体晶片及其制造方法 公开/授权日：2006-05-17
IPC分类:
