公开(公告)号：CN100466264C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200510134451.5

申请日：2005-12-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 柯志欣 ,  陈宏玮 ,  李文钦 ,  季明华 ,  葛崇祜

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/095 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/10844 ,  H01L29/7841 ,  H01L29/812

摘要： 本发明提供一种存储单元和形成一存储单元的方法，具体涉及一种植基于穿隧注入效应的肖特基源极/漏极存储单元，包括：覆于绝缘层上的第一导电型态的第一半导体层，其扮演着基体区的角色和功能；覆于半导体层上的栅极介电层；覆于栅极介电层上的栅极；一对在栅极两侧的间隔物；以及在源极区形成的第一肖特基势垒接面和在基体区另一端的漏极区形成的第二肖特基势垒接面。源极和漏极区分别互与栅极有所重叠，此重叠部分的长度以大于5为较佳。在第一和第二肖特基势垒区间则形成若干界面层。本发明可增强该元件的可靠度，且更适用于未来45纳米及更先进的制程。

公开(公告)号：CN101207086A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710194362.9

申请日：2007-12-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 葛崇祜 ,  柯志欣 ,  陈宏玮 ,  李文钦

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7843

摘要： 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体基底；形成“N”型金属氧化物半导体装置于半导体基底的表面上，此步骤包括形成第一源极/漏极电极于“N”型金属氧化物半导体装置的第一源极/漏极区上；形成“P”型金属氧化物半导体装置于半导体基底的表面上，其步骤包括形成第二源极/漏极电极该“P”型金属氧化物半导体装置的第二源极/漏极区上；形成具有第一固有应力的第一应力薄膜，于“N”型金属氧化物半导体装置上；以及形成具有第二固有应力的第二应力薄膜，于“P”型金属氧化物半导体装置上。因此，形成应力沟道区的作用，在小尺寸集成电路中变得更加显著。所以可使得栅极长度小于65纳米的金属氧化物半导体装置仍具有良好的性能。

公开(公告)号：CN101079443A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200610138069.6

申请日：2006-11-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 柯志欣 ,  葛崇祜 ,  陈宏玮 ,  李文钦

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7843

摘要： 本发明是提供一种半导体装置及其制作方法。其中半导体装置具有一理想化应力于沟道区域之中，此半导体装置包含一栅极位于一基底上方，一第一间隙壁形成于栅极侧壁上，且在该第一间隙壁下方存在一非硅化区域，包含一凹槽的一源/漏极区域形成于上述基底之中，以及一硅化区域位于上述源/漏极区域上。一阶梯高度形成于硅化区域的一上部位与一下部位之间。凹槽与各自非硅化区域的边缘间隔一间隙距离。阶梯高度与间隙距离较佳的比例是约小于或等于3。其中非硅化区域的宽度与阶梯高度较佳的比例是约小于或等于3。本发明所述的半导体装置及其制作方法，通过修改金属氧化物半导体装置的尺寸，可理想化沟道中的应力，由此可改善半导体装置的效能。

公开(公告)号：CN1815742A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200510134451.5

申请日：2005-12-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 柯志欣 ,  陈宏玮 ,  李文钦 ,  季明华 ,  葛崇祜

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/095 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/10844 ,  H01L29/7841 ,  H01L29/812

摘要： 本发明提供一种存储单元和形成一存储单元的方法，具体涉及一种植基于穿隧注入效应的肖特基源极/漏极存储单元，包括：覆于绝缘层上的第一导电型态的第一半导体层，其扮演着基体区的角色和功能；覆于半导体层上的栅极介电层；覆于栅极介电层上的栅极；一对在栅极两侧的间隔物；以及在源极区形成的第一肖特基势垒接面和在基体区另一端的漏极区形成的第二肖特基势垒接面。源极和漏极区分别互与栅极有所重叠，此重叠部分的长度以大于5为较佳。在第一和第二肖特基势垒区间则形成若干界面层。本发明可增强该元件的可靠度，且更适用于未来45纳米及更先进的制程。

公开(公告)号：CN1801478A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510075664.5

申请日：2005-06-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈宏玮 ,  杨育佳 ,  李迪弘 ,  杨富量 ,  胡正明

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L21/00 ,  B82B3/00

CPC分类号： H01L29/42384 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明涉及一种半导体元件、半导体纳米线元件及其制作方法，具体涉及一种不具变窄或断裂缺点的纳米线，特别是直径小于20纳米的纳米线，是于退火时利用硅原子堆积而生。其制程为遮蔽一主动区的部分，其中硅原子要不是利用例如二氧化硅、氮化硅等材质来堆积，就是利用其它的介电材质来减少堆积。纳米线、纳米管、纳米棒、或其它的类型皆可用来组成元件，像是一晶体管元件的一沟道。

公开(公告)号：CN102903744B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201210153882.6

申请日：2007-07-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 柯志欣 ,  陈宏玮 ,  葛崇祜 ,  李文钦

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/47 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/7843

摘要： 本发明揭示一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括半导体基底、N型金属氧化物半导体装置在上述半导体基底的表面，其中上述N型金属氧化物半导体装置具有与半导体基底具有肖特基接触的肖特基源极/漏极延伸区。上述一种半导体结构还包括P型金属氧化物半导体装置在上述半导体基底的上述表面，其中上述P型金属氧化物半导体装置具有源极/漏极延伸区，上述源极/漏极延伸区仅仅具有非金属材料。可为上述P型金属氧化物半导体装置与上述N型金属氧化物半导体装置二者，形成上述肖特基源极/漏极延伸区，其中将上述P型金属氧化物半导体装置形成于具有低价带的半导体层的上方，可减少上述P型金属氧化物半导体装置的肖特基势垒。

公开(公告)号：CN101770987A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN201010004653.9

申请日：2008-03-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 柯志欣 ,  李文钦 ,  葛崇祜 ,  陈宏玮

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7845

摘要： 本发明提供一半导体集成电路装置的制造方法，包括：形成一第一阱于半导体基底中；提供一第一栅极结构于半导体基底上，且第一栅极结构延伸离开半导体基底，其中包括提供一应力源于第一栅极结构中，应力源提供一第一应力于第一阱中，且还包括提供一第一栅极电极于第一栅极结构中并位于第一阱上且介于应力源与半导体基底之间；形成一第二阱于半导体基底中；提供一第二栅极结构于半导体基底上，第二栅极结构比第一栅极结构高，且其包括一第二栅极电极位于第二阱上；以及形成一材料层其与第二栅极结构接触且产生一第二应力于第二阱中。通过本发明的半导体集成电路装置及其制造方法能够对晶体管沟道施加所需的张应力或压应力。

公开(公告)号：CN100428446C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200510075664.5

申请日：2005-06-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈宏玮 ,  杨育佳 ,  李迪弘 ,  杨富量 ,  胡正明

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L21/00 ,  B82B3/00

CPC分类号： H01L29/42384 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明涉及一种半导体元件及其制作方法，具体涉及一种不具变窄或断裂缺点的纳米线，特别是直径小于20纳米的纳米线，是于退火时利用硅原子堆积而生。其制程为遮蔽一主动区的部分，其中硅原子要不是利用例如二氧化硅、氮化硅等材质来堆积，就是利用其它的介电材质来减少堆积。纳米线、纳米管、纳米棒、或其它的类型皆可用来组成元件，像是一晶体管元件的一沟道。

公开(公告)号：CN1992206A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610103930.5

申请日：2006-07-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈宏玮 ,  钟堂轩 ,  吕升达 ,  张长昀 ,  吴炳坤 ,  王昭雄 ,  杨富量

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/823437 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

摘要： 本发明是有关于一种半导体元件及其形成方法，在一实施例中，该方法包括在一半导体基材上形成一硬遮罩层；图案化该硬遮罩层而形成复数个开孔；经由该硬遮罩层的该些开孔蚀刻该基材而形成复数个沟渠，该些沟渠将复数个半导体台面隔开；以一介电材料部分填满该些沟渠；移除该硬遮罩层并且形成复数个多重闸极特征，每一多重闸极特征是与至少一个半导体台面的上表面以及侧壁接触。

公开(公告)号：CN1783514A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510115438.5

申请日：2005-11-03

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈宏玮 ,  李文钦 ,  柯志欣 ,  季明华 ,  葛崇祜

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7391 ,  H01L29/868

摘要： 本发明提供一种半导体装置及形成半导体装置的方法，特别涉及一种栅控PIN二极管其形成其的方法。栅控PIN二极管包括一半导体基底；一栅极介电层，形成在半导体基底之上；一栅极，形成在栅极介电层之上；一源栅极间隔及一漏栅极间隔，沿着栅极介电层与栅极的各自侧边而配置；一源极，与一第一型的掺杂物掺杂，实质上在源栅极间隔的下方，且与栅极的一第一侧边之间具有一水平距离；一漏极，与一第二型的掺杂物掺杂，实质上延伸至漏栅极间隔的下方，且实质上与栅极的一第二侧边垂直对齐，其中，第一型与第二型相反；一源极硅化物，相邻于源极；以及一漏极硅化物，相邻于漏极。本发明偏移区的形成更为精确，使得累增崩溃机制控制的更好。